BYV （F ， B） 32-50通BYV （F ， B） 32-200
威世通用半导体
双共阴极超快整流器
TO-220AB
ITO-220AB
2
BYV32系列
销1
3脚
销2
例
3
1
BYVF32系列
销1
3脚
销2
2
3
1
TO-263AB
K
特点
玻璃钝化结
超快恢复时间
低开关损耗，效率高
低正向压降
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB和
ITO - 220AB封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于交换式高频整流用
电源，逆变器，续流二极管，
直流 - 直流转换器，以及其它功率开关
应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
2
1
BYVB32系列
销1
销2
K
散热器
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
18 A
50 V至200 V
150 A
25纳秒
0.85 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
= 125 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
操作和储存温度范围
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
V
AC
BYV32-50
50
35
50
BYV32-100
100
70
100
18
150
- 65至+ 150
1500
BYV32-150
150
105
150
BYV32-200
200
140
200
单位
V
V
V
A
A
°C
V
文档编号： 88558
修订： 05- 08年5月
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1
BYV （F ， B） 32-50通BYV （F ， B） 32-200
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
每个二极管的正向电压
(1)
最大直流反接
在额定电流每二极管
阻断电压DC
最大反向
每个二极管的恢复时间
典型结
每个二极管电容
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
测试条件
I
F
= 20 A
I
F
= 5.0 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
I
F
= 1 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 100 A / μs的，我
rr
= 10 % I
RM
4.0 V， 1 MHz的
符号
V
F
BYV32-50
BYV32-100
BYV32-150
BYV32-200
单位
V
1.15
0.85
10
600
25
45
I
R
A
t
rr
C
J
ns
pF
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
从结二极管每到外壳的典型热阻
符号
R
θJC
BYV
1.6
BYVF
5.0
BYVB
1.6
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
BYV32-200-E3/45
BYVF32-200-E3/45
BYVB32-200-E3/45
BYVB32-200-E3/81
BYV32-200HE3/45
(1)
BYVF32-200HE3/45
(1)
BYVB32-200HE3/45
(1)
BYVB32-200HE3/81
(1)
单位重量（g ）
1.85
1.97
1.35
1.35
1.85
1.97
1.35
1.35
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
管
管
磁带和卷轴
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BYV （F ， B） 32-50通BYV （F ， B） 32-200
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
20
1000
负载电阻或电感
16
正向平均整流电流（ A）
瞬时反向漏
电流（ μA ）
18
100
T
C
= 100 °C
12
10
8
1
4
T
C
= 25 °C
0
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0
20
40
60
80
100
情况下环境温度（ ℃）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图1.正向电流降额曲线
图4.典型的反向漏电特性每二极管
150
60
T
J
= 150 °C
10毫秒单一正弦半波
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 5 MVP -P
峰值正向浪涌电流（ A）
100
结电容（pF ）
125
50
40
75
30
50
20
25
10
0
1
10
100
0
1
10
100
数
环，在50赫兹的
反向
电压
(V)
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
图5.典型结电容每二极管
100
正向电流（A ）
10
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
正向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
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BYV （F ， B） 32-50通BYV （F ， B） 32-200
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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日前，Vishay
放弃
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日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
BYV32-50 THRU BYV32-200
快捷高效塑封整流
反向电压 -
50至150伏特
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
DIA 。
0.148 (3.74)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
正向电流 -
18.0安培
特点
双整流器建设，积极centertap
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
玻璃钝化芯片路口
低功耗
低正向电压，
高电流能力
高浪涌能力
超快恢复时间高效率
高温焊接保证：
250℃， 0.16" （ 4.06毫米）从壳体10秒
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
针
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
机械数据
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
销1
3脚
销2
例
尺寸以英寸（毫米）
案例：
JEDEC TO- 220AB模压塑料车身超过
钝化芯片
终端：
镀导致每MIL -STD- 750 ，
方法2026
极性：
由于标
安装位置：
任何
重量：
0.08盎司， 2.24克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
BYV32-50
BYV32-100
BYV32-150
BYV32-200
单位
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
C
=120°C
峰值正向浪涌电流
10ms的单半正弦波叠加在
在T
J
=150°C
每站最大正向电压：
I
F
=20A
I
F
= 5.0A ，T
J
=100°C
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
每腿典型结电容
T
C
=25°C
T
C
=100°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
100
70
100
18.0
150
105
150
200
140
200
伏
伏
伏
安培
I
FSM
150.0
安培
V
F
1.15
0.85
10.0
600.0
25.0
45.0
20.0
3.0
-65到+150
伏
A
ns
pF
° C / W
°C
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
R
θJC
T
J
, T
英镑
每站最大反向恢复时间
（注1 ）
（注2 ）
每站最大热电阻
（注3）
工作和存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 1A V
R
= 30V ，的di / dt = 100A / μs的， IRR = 10 ％I
RM
（ 2 ）测得1.0 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
结（ 3 ）到环境的热阻和结点每腿外壳安装在散热片
4/98
额定值和特性曲线BYV32-50 THRU BYV32-200
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流每支架
峰值正向浪涌电流，
安培
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流，
安培
20
18
16
12
8.0
4.0
0
负载电阻或电感
150
125
100
75
50
25
0
T
J
=150°C
10ms的单一正弦半波
（ JEDEC的方法）
0
50
100
150
外壳温度
1
10
周期数的AT 50 H
Z
100
图。 3 - 典型正向
特性每支架
图。 4 - 典型的反向特性
每腿
100
1,000
瞬时正向电流，
安培
10
瞬时反向漏电流，
微安
T
J
= 25°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
100
T
C
=100°C
1
10
0.1
0.01
0.4
1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
正向电压，
伏
T
C
=25°C
0.1
图。 5 - 典型结电容每支架
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压％
60
结电容， pF的
50
40
30
20
10
0
T
J
=25°C
F = 1.0 MH
Z
Vsig=5mVp-p
1
10
反向电压，伏
100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
超快
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
BYV32系列
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图12 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
根据要求提供的附件1 ：是指安装了TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1994年10月
5
启1.100
QQ：2880707522 复制
