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飞利浦半导体
产品speci fi cation
双二极管
快速，高电压
特点
低正向电压降
快速开关
软恢复特性
高的热循环
性能
隔离安装标签
BYM359X
符号
阻尼器
调制器
快速参考数据
阻尼器
V
R
=1500 V
V
F
≤
1.3 V
I
F（ RMS ）
=15.7 A
调制器
V
R
=800 V
V
F
≤
1.45 V
I
F（ RMS ）
= 11 A
I
FSM
≤
60 A
t
rr
≤
145纳秒
1
3
2
I
FSM
≤
60 A
t
rr
≤
300纳秒
概述
结合阻尼器和调制器
二极管中的分离的塑料
信封中的水平偏转
彩电和电脑显示器。
该BYM359X包含二极管
其性能特点
特别设计
应用程序从16kHz的到56kHz
该BYM359X系列供应
传统的含铅SOT186A
封装。
钉扎
针
1
2
3
描述
阻尼器阴极
共阳极/阴极
调制器的阳极。
SOT186A
例
1 2 3
极限值
T
j
= 25 C除非另有说明
阻尼器
符号
V
RSM
V
RRM
V
RWM
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
FRM
I
FSM
参数
峰值不重复反向
电压。
反向重复峰值电压
峰值反向工作电压
平均正向电流
RMS正向电流
重复峰值正向电流
峰值非重复正向
当前
sinusoidal;a=1.57
t=25
s δ=
0.5
T
hs
≤
83 C
T = 10ms的
T = 8.3毫秒
正弦;
与重新申请
V
RWM （最大）
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1500
1500
1300
10
15.7
20
60
66
调制器
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
800
600
600
8
11.0
16.0
60
66
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
T
英镑
T
J
储存温度
工作结温
-40
-
150
150
-40
-
150
150
C
C
1999年12月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双二极管
快速，高电压
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
-
BYM359X
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
热阻
阻尼器
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
热阻结到
散热器
热阻结到
环境
条件
带散热器
复合
在自由空气中。
典型值。
-
55
马克斯。
4.8
-
调制器
典型值。
-
-
马克斯。
4.8
55
单位
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
阻尼器
符号
V
F
I
R
参数
正向电压
反向电流
条件
I
F
= 6.5 A
I
F
= 6.5 A;牛逼
j
= 125C
V
R
= V
RWM
V
R
= V
RWM
T
j
= 100 C
典型值。
1.1
1.05
10
50
马克斯。
1.45
1.3
250
500
调制器
典型值。
1.15
1.1
10
100
马克斯。
1.55
1.45
100
600
单位
V
V
A
A
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
阻尼器
符号
t
rr
Q
s
V
fr
参数
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值正向恢复电压
条件
I
F
= 1 ; V
R
≥
30 V;
- 二
F
/ DT = 50 A / μs的
2 A， 30 V ， 20 A / μs的
I
F
= 6.5 A;
dI
F
/ DT = 50 A / μs的
典型值。
200
1.2
27
马克斯。
300
2.0
-
调制器
典型值。
125
0.5
18.0
马克斯。
145
0.7
-
单位
ns
C
V
1999年12月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双二极管
快速，高电压
BYM359X
I
dI
F
dt
F
15
PF / W
VO = 1.25 V
卢比= 0.03欧姆
BY329
三（最大值） / C
a = 1.57
1.9
2.2
78
TRR
时间
10
4
5
102
2.8
126
Qs
I
I
25%
100%
R
RRM
0
0
2
4
IF （ AV ） / A
6
150
8
图1 。吨的定义
rr
, Q
s
我
RRM
图4 。调制器的最大正向损耗，
P
F
= F（我
F（ AV ）
） ;正弦电流波形;参数
A =外形= I
F（ RMS ）
/I
F（ AV ）
.
I
F
80
70
IFS （ RMS ） / A
BY229
IFSM
60
50
时间
VF
V
VF
时间
fr
40
30
20
10
0
1ms
10ms
0.1s
TP /秒
1s
10s
图2 。 V的定义
fr
图5 。调制器的最大非重复性RMS正向
电流。我
F
= F （T
p
） ;正弦电流波形;
T
j
= 150C前激增与重新加V
RWM
.
20
PF / W
VO = 1.25 V
卢比= 0.03欧姆
BY329
三（最大值） / C
54
D = 1.0
78
30
IF / A
TJ = 150℃
TJ = 25℃
BY229F
15
0.5
0.2
0.1
I
t
p
D=
t
p
T
t
20
10
102
10
5
T
126
典型值
最大
0
0
2
4
6
IF （ AV ） / A
8
10
150
12
0
0
0.5
1
VF / V
1.5
2
如图3所示。调制器的最大正向损耗，
P
F
= F（我
F（ AV ）
） ;方波电流波形;
参数D =占空比= T
p
/T.
图6 。调制器的典型和最大正向
特征;我
F
= F（V
F
） ;参数T
j
1999年12月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双二极管
快速，高电压
BYM359X
10
QS / UC
TJ = 150℃
TJ = 25℃
BY329
100
CD / PF
BY329
IF = 10 A
10 A
2A
1
1A
2A
1A
10
0.1
1
10
-dIF / DT （ A /美国）
100
1
1
10
VR / V 100
1000
图7 。调制器的最大Q
s
在T
j
= 25°C和150°C
图9 。调制器的典型结电容C
d
at
F = 1 MHz的
;
T
j
= 25C
10
瞬态热阻抗，第Z J- HS （K / W）
1000
TRR / NS
BY329
IF = 10 A
10A
1A
1A
0.1
1
100
0.01
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
TJ = 150℃
TJ = 25℃
10
1
10
-dIF / DT （ A /美国）
100
0.001
1us
T
10us
100us的1毫秒
10毫秒100毫秒
1s
脉冲宽度TP （多个）
BY229F
10s
图8 。调制器的最大吨
rr
测得的I 25 ％
RRM
;
T
j
= 25°C和150°C
图10 。调制器的瞬态热阻抗
Z
th
= F （T
p
)
1999年12月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双二极管
快速，高电压
BYM359X
80
70
IFS （ RMS ） / A
BY359
IF / A
30
Tj=150C
BY359
IFSM
60
50
40
30
10
20
Tj=25C
典型值
20
10
0
1ms
10ms
0.1s
TP /秒
1s
10s
0
0
1.0
VF / V
2.0
最大
图11 。阻尼器最大非重复性RMS正向
电流。我
F
= F （T
p
） ;正弦电流波形;
T
j
= 150C前激增与重新加V
RWM
.
瞬态热阻抗，第Z J- HS （K / W）
图13 。阻尼器的正向特性我
F
= F（V
F
);
参数T
j
10
1
0.1
0.01
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0.001
1us
T
10us
100us的1毫秒
10毫秒100毫秒
1s
脉冲宽度TP （多个）
BY359F
10s
图12 。阻尼器的瞬态热阻抗
Z
th
= F （T
p
)
1999年12月
5
启1.200
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BCX5316
BA09SFP
B43540B5397M000
BCP772
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BST16T/R
B37950K1154K072
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