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分立半导体
数据表
手册， halfpage
M3D113
BYG90-40系列
肖特基势垒整流二极管
产品speci fi cation
1996年5月6日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒整流器器二极管
特点
低开关损耗
吸收非常高的能力
浪涌电流
快速恢复时间
保护环
塑料SMD封装。
应用
低功率开关电源
耗材
整顿
极性保护。
描述
该BYG 90-40系列由
肖特基势垒整流二极管，
编造平面技术，并
封装在矩形
SOD106A塑料SMD封装。
顶视图
阴极标识
手册中， 4列
BYG90-40系列
k
k
a
a
MAM129 - 1
Fig.1简化外形（ SOD106A ） ，引脚配置和符号。
1996年5月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒整流器器二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每二极管
V
R
连续反向电压
BYG90-20
BYG90-30
BYG90-40
V
RRM
反向重复峰值电压
BYG90-20
BYG90-30
BYG90-40
V
RWM
峰值反向工作电压
BYG90-20
BYG90-30
BYG90-40
I
F（ AV ）
平均正向电流
T
AMB
= 65
°C;
见图2 ;
R
日J-一
= 80 K / W ;注意1 ;
V
R（当量）
= 0.2 V ;注意2
t = 8.3
s
半正弦波;
JEDEC的方法
t
p
= 100
s
参数
条件
BYG90-40系列
分钟。
马克斯。
单位
20
30
40
20
30
40
20
30
40
1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
I
FSM
I
RSM
T
英镑
T
j
笔记
非重复峰值正向电流
非重复性峰值反向电流
储存温度
结温
65
30
0.5
+125
125
A
A
°C
°C
1.参考SOD106A标准安装条件。
2.对于肖特基势垒二极管的热失控，必须考虑，因为在一些应用中，反向功率
损耗P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图测定的反向功率损耗
P
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
1996年5月6日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒整流器器二极管
电气特性
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
见图2 ;注1
I
F
= 1 A
I
F
= 3 A
I
F
= 1 ;牛逼
j
= 100
°C
I
R
反向电流
V
R
= V
RRMmax
;注意1 ;见图3
V
R
= V
RRMmax
; T
j
= 100
°C;
注意1 ;
看科幻G.3
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOD106A标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
二极管电容
V
R
= 4 V ; F = 1兆赫;见图4
参数
条件
分钟。
BYG90-40系列
典型值。
马克斯。
单位
550
850
450
1
10
75
mV
mV
mV
mA
mA
pF
条件
注1
价值
80
单位
K / W
1996年5月6日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒整流器器二极管
图形数据
BYG90-40系列
10
4
手册， halfpage
IF
（MA ）
10
3
MLC388
10
4
手册， halfpage
IR
(A)
10
3
MLC389
(1)
(2)
(3)
10
2
(1)
(2)
(3)
(4)
10
2
(4)
10
10
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V F （ V）
(1)
(2)
(3)
(4)
T
AMB
= 125
°C.
T
AMB
= 100
°C.
T
AMB
= 75
°C.
T
AMB
= 25
°C.
(1)
(2)
(3)
(4)
1.0
1
0
10
20
30
V R （ V） 40
T
AMB
= 125
°C.
T
AMB
= 100
°C.
T
AMB
= 75
°C.
T
AMB
= 25
°C.
Fig.2
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.3
反向电流反向的函数
电压;典型值。
10
3
手册， halfpage
MLC390
Cd
（PF ）
10
2
10
0
8
16
24
32 V (V) 40
R
F = 1兆赫。
Fig.4
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
5
1996年5月6日
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