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分立半导体
数据表
OK , halfpage
M3D168
BYG80系列
超快速低损耗
控制雪崩整流器
产品speci fi cation
取代1996年5月24日的数据
1997年11月25日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超快速低损耗
控制雪崩整流器器
特点
玻璃钝化
较高的最大工作
温度
低漏电流
卓越的稳定性
保证雪崩能量
吸收能力
UL 94V -O塑料分类
运12毫米压纹带。
顶视图
SIDE VIEW
手册中, 4列
BYG80系列
该明确定义的无空隙的情况下的一个
传递模塑热硬化
塑料。
描述
DO- 214AC表面贴装
封装玻璃钝化芯片。
阴极
BAND
k
a
MSA474
Fig.1简化外形( DO- 214AC ; SOD106 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
RRM
参数
反向重复峰值电压
BYG80A
BYG80B
BYG80C
BYG80D
BYG80F
BYG80G
BYG80J
V
R
连续反向电压
BYG80A
BYG80B
BYG80C
BYG80D
BYG80F
BYG80G
BYG80J
I
F( AV )
平均正向电流
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G
BYG80J
I
F( AV )
平均正向电流
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G
BYG80J
T
AMB
= 60
°C;
AL
2
O
3
PCB安装
(参见图27 ) ;参见图5,图6和图7
平均超过任何20毫秒的时间;
另请参阅图17 , 18和19
T
tp
= 100
°C;
参见图2 ,图3和4
平均超过任何20毫秒的时间;
另请参阅图17 , 18和19
50
100
150
200
300
400
600
2.4
2.3
2.0
1.25
1.15
0.95
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
50
100
150
200
300
400
600
V
V
V
V
V
V
V
条件
分钟。
马克斯。
单位
1997年11月25日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超快速低损耗
控制雪崩整流器器
符号
I
F( AV )
参数
平均正向电流
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G
BYG80J
I
FRM
重复峰值正向电流
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G
BYG80J
I
FRM
重复峰值正向电流
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G
BYG80J
I
FRM
重复峰值正向电流
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G
BYG80J
I
FSM
非重复峰值正向电流T = 8.3 ms半正弦波;牛逼
j
= 25
°C
前激增; V
R
= V
RRMmax
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G ; BYG80J
E
RSM
T
英镑
T
j
非重复性峰值反向
雪崩能量
储存温度
结温
看到图20
L = 120 mH的;牛逼
j
= T
j max的情况
前激增;
感性负载断开
T
AMB
= 60
°C;
环氧印刷电路板安装;
参见图14 ,图15和16
T
AMB
= 60
°C;
AL
2
O
3
PCB安装;
参见图11 ,图12和13
T
tp
= 100
°C;
参见图8,图9和图10
65
65
条件
T
AMB
= 60
°C;
环氧印刷电路板安装
(参见图27 ) ;参见图5,图6和图7
平均超过任何20毫秒的时间;
另请参阅图17 , 18和19
BYG80系列
分钟。
马克斯。
0.95
0.85
0.65
21
21
18
11
11
9
8
8
6
36
32
10
+175
+175
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
单位
mJ
°C
°C
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G
BYG80J
V
F
正向电压
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G
BYG80J
I
F
= 1 ;见图21 , 22和23
0.93
0.98
1.20
V
V
V
条件
I
F
= 1 ;牛逼
j
= T
j max的情况
;
见图21 , 22和23
分钟。
典型值。
马克斯。
0.67
0.73
0.96
V
V
V
单位
1997年11月25日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超快速低损耗
控制雪崩整流器器
符号
V
( BR )R
参数
反向雪崩
击穿电压
BYG80A
BYG80B
BYG80C
BYG80D
BYG80F
BYG80G
BYG80J
I
R
I
R
反向电流
反向电流
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G和J
t
rr
反向恢复时间
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G和J
C
d
二极管电容
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G
BYG80J
dI
R
--------
dt
反向的最大斜率
恢复电流
BYG80A到D
BYG80F ; BYG80G和J
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
注1
注2
笔记
条件
从我开机时,
F
= 1 A到
V
R
30 V和DI
F
/ DT =
1
A / μs的;
看到图28
从我开机时,
F
= 0.5 A至
I
R
= 1 ;在我测
R
= 0.25 A;
看到图29
F = 1兆赫; V
R
= 0;看到图26
90
70
65
V
R
= V
RRMmax
;
参见图24和图25
V
R
= V
RRMmax
; T
j
= 165
°C;
参见图24和图25
条件
I
R
- 0.1毫安
55
110
165
220
330
440
675
分钟。
BYG80系列
典型值。
马克斯。
单位
10
V
V
V
V
V
V
V
A
100
150
25
50
A
A
ns
ns
pF
pF
pF
3
4
A / μs的
A / μs的
价值
25
100
150
单位
K / W
K / W
K / W
1.装置安装在铝
2
O
3
印刷电路板, 0.7mm厚;铜的厚度
≥35 m,
看到图27 。
2.设备安装在环氧玻璃印刷电路板, 1.5mm厚;铜的厚度
≥40 m,
看到图27 。
欲了解更多信息,请参阅
“总则相关手册” 。
1997年11月25日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超快速低损耗
控制雪崩整流器器
图形数据
MGL081
BYG80系列
手册, halfpage
4
手册, halfpage
4
MBK454
IF ( AV )
(A)
3
IF ( AV )
(A)
3
2
2
1
1
0
0
100
TTP (OC)
200
0
0
40
80
120
160
200
TTP ( ° C)
BYG80A到D
开关模式的应用; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5; a = 1.42.
BYG80F和G
开关模式的应用; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5; a = 1.42.
Fig.2
最大允许正向平均
当前,作为扎点温度的函数
(包括因损失反向漏) 。
Fig.3
最大允许正向平均
当前,作为扎点温度的函数
(包括因损失反向漏) 。
手册, halfpage
4.0
MGL094
手册, halfpage
2
MGL079
IFAV
(A)
3.0
IF ( AV )
(A)
1.5
(1)
2.0
1
(2)
1.0
0.5
0
0
40
80
120
200
160
TTP (
ο
C)
0
0
100
TAMB (
ο
C)
200
BYG80J
开关模式的应用。
V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5; a = 1.42.
BYG80A到D
开关模式的应用; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5; a = 1.42
设备安装如图27所示;
1 :铝
2
O
3
印刷电路板; 2 :环氧印刷电路板。
Fig.4
最大允许正向平均
当前,作为扎点温度的函数
(包括因损失反向漏) 。
Fig.5
最大允许正向平均
当前环境温度的函数的
(包括因损失反向漏) 。
1997年11月25日
5
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    BYG80D
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