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BYG24
威世半导体
快速雪崩整流贴片
特点
玻璃钝化结
低反向电流
软恢复特性
快速反向恢复时间
波和回流焊接
15811
应用
续流二极管的开关电源和变流器
缓冲二极管
零件表
部分
BYG 24
BYG 24克
BYG 24
类型分化
V
R
= 200 V @ I
FAV
= 1.5 A
V
R
= 400 V @ I
FAV
= 1.5 A
V
R
= 600 V @ I
FAV
= 1.5 A
DO-214AC
DO-214AC
DO-214AC
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压=重复
峰值反向电压
测试条件
部分
BYG 24
BYG 24克
BYG 24
峰值正向浪涌电流
平均正向电流
结存储
温度范围
在脉冲雪崩能量
模式，不重复（感性
负荷开关关闭）
I
（ BR ）R
= 1 A，T
j
= 25 °C
t
p
= 10毫秒，半正弦波
符号
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FAV
T
j
= T
英镑
E
R
价值
200
400
600
30
1.5
- 55至+ 150
20
单位
V
V
V
A
A
°C
mJ
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结案件
交界处的环境
环氧玻璃硬组织35
m
*
17
每库珀区
电极
环氧玻璃硬组织35
&muMm * 50毫米库珀区
每个电极
2
测试条件
部分
符号
R
thJC
R
thJA
价值
25
150
单位
K / W
K / W
mm
2
R
thJA
125
K / W
文档编号86067
修订版1.2 ， 10月19日 - 04
www.vishay.com
1
BYG24
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
击穿电压
I
F
= 1 A
I
F
= 1.5 A
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
, T
j
= 100 °C
I
R
= 100
A
BYG 24
BYG 24克
BYG 24
反向恢复时间
I
F
= 0.5 A;我
R
= 1 ;我
R
= 0.25 A
测试条件
部分
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
t
rr
200
400
600
140
民
典型值。
最大
1.15
1.25
1
10
单位
V
V
A
A
V
V
V
ns
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
60
R
thJA
=
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
j
- 结温（
°C
)
125K/W
155K/W
175K/W
P
R
-limit
@100%V
R
V
R
= V
RRM
100.00
I
F
- 正向电流（ A）
10.00
T
j
=150°C
1.00
T
j
=25°C
0.10
P
R
-limit
@80%V
R
0.01
0.0
16826
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
16
V
F
- 正向电压（ V）
图1.最大。反向功率耗散与结
温度
图3.正向电流与正向电压
100
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
I
R
- 反向电流（mA ）
1.8
V
R
= V
RRM
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
25
50
75
100
125
150
16827
V
R
=V
RRM
半正弦波
R
thJA
v25K/W
thJA =
25K/W
10
R
thJA =
125K/W
R
thJA =
150K/W
1
16825
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
j
- 结温（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图2.反向电流与结温
图4.平均正向电流与环境温度
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2
文档编号86067
修订版1.2 ， 10月19日 - 04
BYG24
威世半导体
30
C
D
- 二极管电容（pF ）
f=1MHz
25
20
15
10
5
0
0.1
16828
1.0
10.0
V
R
- 反向电压（ V）
100.0
图5.二极管电容与反向电压
尺寸英寸（毫米）
5.3 +0.2 / -0.4
4.4 +0.1 / -0.2
ISO方法E
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
2.15 ± 0.15
0.1 ± 0.07
3 +0.3 / -0.5
2.6 +0.2 / -0.3
1.5 +0.2 / -0.1
0.2
塑料外壳JEDEC DO 214
类似SMA
阴极指示
by
a
BAND
14275-1
文档编号86067
修订版1.2 ， 10月19日 - 04
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BYG24
威世半导体
快速雪崩整流贴片
特点
玻璃钝化结
低反向电流
软恢复特性
快速反向恢复时间
波和回流焊接
15811
应用
续流二极管的开关电源和变流器
缓冲二极管
零件表
部分
BYG 24
BYG 24克
BYG 24
类型分化
V
R
= 200 V @ I
FAV
= 1.5 A
V
R
= 400 V @ I
FAV
= 1.5 A
V
R
= 600 V @ I
FAV
= 1.5 A
DO-214AC
DO-214AC
DO-214AC
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压=重复
峰值反向电压
测试条件
部分
BYG 24
BYG 24克
BYG 24
峰值正向浪涌电流
平均正向电流
结存储
温度范围
在脉冲雪崩能量
模式，不重复（感性
负荷开关关闭）
I
（ BR ）R
= 1 A，T
j
= 25 °C
t
p
= 10毫秒，半正弦波
符号
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FAV
T
j
= T
英镑
E
R
价值
200
400
600
30
1.5
- 55至+ 150
20
单位
V
V
V
A
A
°C
mJ
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结案件
交界处的环境
环氧玻璃硬组织35
m
*
17
每库珀区
电极
环氧玻璃硬组织35
&muMm * 50毫米库珀区
每个电极
2
测试条件
部分
符号
R
thJC
R
thJA
价值
25
150
单位
K / W
K / W
mm
2
R
thJA
125
K / W
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威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
击穿电压
I
F
= 1 A
I
F
= 1.5 A
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
, T
j
= 100 °C
I
R
= 100
A
BYG 24
BYG 24克
BYG 24
反向恢复时间
I
F
= 0.5 A;我
R
= 1 ;我
R
= 0.25 A
测试条件
部分
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
t
rr
200
400
600
140
民
典型值。
最大
1.15
1.25
1
10
单位
V
V
A
A
V
V
V
ns
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
60
R
thJA
=
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
j
- 结温（
°C
)
125K/W
155K/W
175K/W
P
R
-limit
@100%V
R
V
R
= V
RRM
100.00
I
F
- 正向电流（ A）
10.00
T
j
=150°C
1.00
T
j
=25°C
0.10
P
R
-limit
@80%V
R
0.01
0.0
16826
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
16
V
F
- 正向电压（ V）
图1.最大。反向功率耗散与结
温度
图3.正向电流与正向电压
100
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
I
R
- 反向电流（mA ）
1.8
V
R
= V
RRM
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
25
50
75
100
125
150
16827
V
R
=V
RRM
半正弦波
R
thJA
v25K/W
thJA =
25K/W
10
R
thJA =
125K/W
R
thJA =
150K/W
1
16825
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
j
- 结温（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图2.反向电流与结温
图4.平均正向电流与环境温度
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文档编号86067
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威世半导体
30
C
D
- 二极管电容（pF ）
f=1MHz
25
20
15
10
5
0
0.1
16828
1.0
10.0
V
R
- 反向电压（ V）
100.0
图5.二极管电容与反向电压
尺寸英寸（毫米）
5.3 +0.2 / -0.4
4.4 +0.1 / -0.2
ISO方法E
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
2.15 ± 0.15
0.1 ± 0.07
3 +0.3 / -0.5
2.6 +0.2 / -0.3
1.5 +0.2 / -0.1
0.2
塑料外壳JEDEC DO 214
类似SMA
阴极指示
by
a
BAND
14275-1
文档编号86067
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威世半导体
快速雪崩整流贴片
特点
玻璃钝化结
低反向电流
软恢复特性
快速反向恢复时间
波和回流焊接
15811
应用
续流二极管的开关电源和变流器
缓冲二极管
零件表
部分
BYG 24
BYG 24克
BYG 24
类型分化
V
R
= 200 V @ I
FAV
= 1.5 A
V
R
= 400 V @ I
FAV
= 1.5 A
V
R
= 600 V @ I
FAV
= 1.5 A
DO-214AC
DO-214AC
DO-214AC
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压=重复
峰值反向电压
测试条件
部分
BYG 24
BYG 24克
BYG 24
峰值正向浪涌电流
平均正向电流
结存储
温度范围
在脉冲雪崩能量
模式，不重复（感性
负荷开关关闭）
I
（ BR ）R
= 1 A，T
j
= 25 °C
t
p
= 10毫秒，半正弦波
符号
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FAV
T
j
= T
英镑
E
R
价值
200
400
600
30
1.5
- 55至+ 150
20
单位
V
V
V
A
A
°C
mJ
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结案件
交界处的环境
环氧玻璃硬组织35
m
*
17
每库珀区
电极
环氧玻璃硬组织35
&muMm * 50毫米库珀区
每个电极
2
测试条件
部分
符号
R
thJC
R
thJA
价值
25
150
单位
K / W
K / W
mm
2
R
thJA
125
K / W
文档编号86067
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威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
击穿电压
I
F
= 1 A
I
F
= 1.5 A
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
, T
j
= 100 °C
I
R
= 100
A
BYG 24
BYG 24克
BYG 24
反向恢复时间
I
F
= 0.5 A;我
R
= 1 ;我
R
= 0.25 A
测试条件
部分
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
t
rr
200
400
600
140
民
典型值。
最大
1.15
1.25
1
10
单位
V
V
A
A
V
V
V
ns
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
60
R
thJA
=
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
j
- 结温（
°C
)
125K/W
155K/W
175K/W
P
R
-limit
@100%V
R
V
R
= V
RRM
100.00
I
F
- 正向电流（ A）
10.00
T
j
=150°C
1.00
T
j
=25°C
0.10
P
R
-limit
@80%V
R
0.01
0.0
16826
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
16
V
F
- 正向电压（ V）
图1.最大。反向功率耗散与结
温度
图3.正向电流与正向电压
100
I
FAV
- 平均正向电流（ A）
I
R
- 反向电流（mA ）
1.8
V
R
= V
RRM
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
25
50
75
100
125
150
16827
V
R
=V
RRM
半正弦波
R
thJA
v25K/W
thJA =
25K/W
10
R
thJA =
125K/W
R
thJA =
150K/W
1
16825
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
j
- 结温（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图2.反向电流与结温
图4.平均正向电流与环境温度
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威世半导体
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C
D
- 二极管电容（pF ）
f=1MHz
25
20
15
10
5
0
0.1
16828
1.0
10.0
V
R
- 反向电压（ V）
100.0
图5.二极管电容与反向电压
尺寸英寸（毫米）
5.3 +0.2 / -0.4
4.4 +0.1 / -0.2
ISO方法E
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
2.15 ± 0.15
0.1 ± 0.07
3 +0.3 / -0.5
2.6 +0.2 / -0.3
1.5 +0.2 / -0.1
0.2
塑料外壳JEDEC DO 214
类似SMA
阴极指示
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