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分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D121
BYD77系列
超快速低损耗
控制雪崩整流器
产品speci fi cation
取代1996年5月24日的数据
1999年11月15日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超快速低损耗
控制雪崩整流器器
特点
玻璃钝化
较高的最大工作
温度
低漏电流
卓越的稳定性
保证雪崩能量
吸收能力
运8毫米压纹带
最小的表面贴装
整流轮廓。
MAM061
BYD77系列
密封和疲劳免费
为扩大所有的系数
使用部分匹配。
（1） Implotec是飞利浦公司的商标。
描述
腔免费的圆柱形玻璃SOD87
包通过Implotec
(1)
技术。这个包是
手册中， 4列
k
a
Fig.1简化外形（ SOD87 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
RRM
BYD77A
BYD77B
BYD77C
BYD77D
BYD77E
BYD77F
BYD77G
V
R
连续反向电压
BYD77A
BYD77B
BYD77C
BYD77D
BYD77E
BYD77F
BYD77G
I
F（ AV ）
平均正向电流
BYD77A到D
BYD77E至G
I
F（ AV ）
平均正向电流
BYD77A到D
BYD77E至G
T
tp
= 105
°C;
参见图2和3;
平均超过任何20毫秒的时间;
还参见图10和11
T
AMB
= 60
°C;
印刷电路板安装（见
图16 ） ;参见图4和5;
平均超过任何20毫秒的时间;
还参见图10和11
50
100
150
200
250
300
400
2.00
1.85
0.85
0.80
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
参数
反向重复峰值电压
50
100
150
200
250
300
400
V
V
V
V
V
V
V
条件
分钟。
马克斯。
单位
1999年11月15日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超快速低损耗
控制雪崩整流器器
符号
I
FRM
参数
重复峰值正向电流
BYD77A到D
BYD77E至G
I
FRM
重复峰值正向电流
BYD77A到D
BYD77E至G
I
FSM
E
RSM
T
英镑
T
j
非重复峰值正向电流
非重复性峰值反向
雪崩能量
储存温度
结温
T = 10 ms半正弦波;牛逼
j
= T
j max的情况
前激增; V
R
= V
RRMmax
L = 120 mH的;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;感性负载断开
T
AMB
= 60
°C;
参见图8和9
65
65
条件
T
tp
= 105
°C;
参见图6和图7
BYD77系列
分钟。
马克斯。
15
13
8.5
8.0
25
10
+175
+175
A
A
A
A
A
单位
mJ
°C
°C
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
BYD77A到D
BYD77E至G
V
F
正向电压
BYD77A到D
BYD77E至G
V
（ BR ）R
反向雪崩击穿
电压
BYD77A
BYD77B
BYD77C
BYD77D
BYD77E
BYD77F
BYD77G
I
R
反向电流
V
R
= V
RRMmax
;
见图14
V
R
= V
RRMmax
;
T
j
= 165
°C;
见图14
t
rr
反向恢复时间
BYD77A到D
BYD77E至G
从切换时
I
F
= 0.5 A至I
R
= 1 A;
测量我
R
= 0.25 A;
见图18
I
R
- 0.1毫安
55
110
165
220
275
330
440
1
100
V
V
V
V
V
V
V
A
A
I
F
= 1 A;
参见图12和图13
条件
I
F
= 1 ;牛逼
j
= T
j max的情况
;
参见图12和图13
分钟。
典型值。
马克斯。
0.75
0.83
0.98
1.05
V
V
V
V
单位
25
50
ns
ns
1999年11月15日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超快速低损耗
控制雪崩整流器器
符号
C
d
参数
二极管电容
BYD77A到D
BYD77E至G
dI
R
--------
dt
反向恢复的最大斜率
当前
BYD77A到D
BYD77E至G
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
记
参数
从结热阻，以配合点
从结点到环境的热阻
注1
条件
从切换时
I
F
= 1 A到V
R
≥
30 V和
dI
F
/ DT =
1
A / μs的;
见图17
条件
F = 1兆赫; V
R
= 0 V;
见图15
分钟。
BYD77系列
典型值。
50
40
马克斯。
单位
pF
pF
4
5
A / μs的
A / μs的
价值
30
150
单位
K / W
K / W
1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板， 1.5mm厚; Cu层的厚度
≥40 m,
见图16 。
欲了解更多信息，请参阅
“总则相关手册” 。
1999年11月15日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超快速低损耗
控制雪崩整流器器
图形数据
MCD598
BYD77系列
MCD596
4
手册， halfpage
IF （ AV ）
(A)
3
3
手册， halfpage
I F （ AV）
(A)
2
2
1
1
0
0
BYD77A到D
A = 1.42 ; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
开关模式的应用。
100
TTP （
o
C)
200
0
0
BYD77E至G
A = 1.42 ; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
开关模式的应用。
100
o
TTP （ C）
200
Fig.2
最大允许正向平均
当前，作为扎点温度的函数
（包括因损失反向漏） 。
Fig.3
最大允许正向平均
当前，作为扎点温度的函数
（包括因损失反向漏） 。
MCD597
1.2
手册， halfpage
I
F（ AV ）
(A)
0.8
手册， halfpage
1.0
MCD595
I F （ AV）
(A)
0.5
0.4
0
0
100
TAMB （ ℃）
200
0
0
100
TAMB （ ℃）
200
BYD77A到D
A = 1.42 ; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
设备安装，如图16所示。
开关模式的应用。
BYD77E至G
A = 1.42 ; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
设备安装，如图16所示。
开关模式的应用。
Fig.4
最大允许正向平均
当前环境温度的函数的
（包括因损失反向漏） 。
Fig.5
最大允许正向平均
当前环境温度的函数的
（包括因损失反向漏） 。
1999年11月15日
5
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