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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D423

BYD72系列

超快速低损耗

控制雪崩整流器

初步speci fi cation

1998年12月3日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

超快速低损耗

控制雪崩整流器器

特点

玻璃钝化

较高的最大工作

温度

低漏电流

卓越的稳定性

保证雪崩能量

吸收能力

提供弹药包。

MGL571

BYD72系列

密封和疲劳免费

为扩大所有的系数

使用部分匹配。

（1） Implotec是飞利浦公司的商标。

描述

腔免费的圆柱形玻璃SOD120

包通过Implotec

(1)

技术。这个包是

手册， halfpage

k

a

Fig.1简化外形（ SOD120 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

RRM

BYD72A

BYD72B

BYD72C

BYD72D

BYD72E

BYD72F

BYD72G

V

R

连续反向电压

BYD72A

BYD72B

BYD72C

BYD72D

BYD72E

BYD72F

BYD72G

I

F（ AV ）

平均正向电流

BYD72A到D

BYD72E至G

I

FSM

T

英镑

T

j

非重复峰值正向电流

储存温度

结温

见图7

T

AMB

= 25

°C;

印刷电路板

安装，间距5mm时，见图8 ;

平均超过任何20毫秒的时间;

参见图2和图3

T = 10 ms半正弦波;

T

j

= 25

°C;

V

R

= V

RRMmax

65

65

50

100

150

200

250

300

400

1.02

0.95

15

+175

+175

V

V

V

V

V

V

V

A

A

A

°C

°C

参数

反向重复峰值电压

50

100

150

200

250

300

400

V

V

V

V

V

V

V

条件

分钟。

马克斯。

单位

1998年12月3日

2

飞利浦半导体

初步speci fi cation

超快速低损耗

控制雪崩整流器器

电气特性

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

V

F

参数

正向电压

BYD72A到D

BYD72E至G

I

R

t

rr

反向电流

反向恢复时间

BYD72A到D

BYD72E至G

V

FRM

正向恢复电压

BYD72A到D

BYD72E至G

热特性

符号

R

日J-一

记

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

当切换到我

F

1 = 50 ns的

V

R

= V

RRMmax

V

R

= V

RRMmax

; T

j

= 165

°C;

见图6

从我开机时，

F

= 0.5 A至I

R

= 1 A;

测量我

R

= 0.25 A;见图9

条件

I

F

= 1 ;参见图4和图5

BYD72系列

马克斯。

0.98

1.05

1

100

25

50

1.55

3.40

V

V

单位

A

A

ns

ns

V

V

价值

150

单位

K / W

1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板， 1.5mm厚;铜层的厚度

≥40 m,

螺距5毫米;见图8 。

1998年12月3日

3

飞利浦半导体

初步speci fi cation

超快速低损耗

控制雪崩整流器器

图形数据

MDA811

BYD72系列

手册， halfpage

2

IF （ AV ）

手册， halfpage

1

MDA812

(A)

1.6

IF （ AV ）

(A)

0.8

1.2

0.6

0.8

0.4

0.4

0.2

0

0

40

80

120

160

200

TAMB （ ° C）

0

0

40

80

120

160

200

TAMB （ ° C）

BYD72A到D

A = 1.42 ; V

R

= V

RRMmax

;

δ

= 0.5.

设备安装，如图8所示。

BYD72E至G

A = 1.42 ; V

R

= V

RRMmax

;

δ

= 0.5.

设备安装，如图8所示。

Fig.2

最大允许正向平均

当前环境温度的函数的

（包括因损失反向漏）。

Fig.3

最大允许正向平均

当前环境温度的函数的

（包括因损失反向漏）。

手册， halfpage

10

IF

MDA820

手册， halfpage

10

IF

MDA821

(A)

8

(A)

8

6

6

4

4

2

2

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

VF （ V）

2

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

VF （ V）

2

BYD72A到D

虚线：T已

j

= 175

°C.

实线：T已

j

= 25

°C.

BYD72E至G

虚线：T已

j

= 175

°C.

实线：T已

j

= 25

°C.

Fig.4

正向电流为正向功能

电压;典型值。

4

Fig.5

正向电流为正向功能

电压;典型值。

1998年12月3日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

超快速低损耗

控制雪崩整流器器

BYD72系列

手册， halfpage

10

MDA825

200

手册， halfpage

Tj

(°C)

160

MDA814

IR

(A)

1

120

G

80

10

1

40

10

2

0

40

80

120

160

200

TJ （ ° C）

0

0

100

200

300

VR （ V）

400

Fig.6

反向电流交界处的函数

温度;典型值。

Fig.7

最大允许结温

作为反向电压的函数。

手册， halfpage

50

5

3

50

2

3

MBK812

尺寸（mm）。

图8的设备安装在一个印刷电路板。

1998年12月3日

5

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