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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D122

BYD71系列

超快速低损耗

控制雪崩整流器

产品speci fi cation

取代1996年5月24日的数据

1996年09月19日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超快速低损耗

控制雪崩整流器器

特点

玻璃钝化

较高的最大工作

温度

低漏电流

卓越的稳定性

保证雪崩能量

吸收能力

提供弹药包。

k

a

BYD71系列

密封和疲劳免费

为扩大所有的系数

使用部分匹配。

（1） Implotec是飞利浦公司的商标。

描述

腔免费圆柱形玻璃SOD91

包通过Implotec

(1)

技术。这个包是

MAM196

Fig.1简化外形（ SOD91 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

RRM

BYD71A

BYD71B

BYD71C

BYD71D

BYD71E

BYD71F

BYD71G

V

R

连续反向电压

BYD71A

BYD71B

BYD71C

BYD71D

BYD71E

BYD71F

BYD71G

I

F（ AV ）

平均正向电流

BYD71A到D

BYD71E至G

I

F（ AV ）

平均正向电流

BYD71A到D

BYD71E至G

T

tp

= 55

°C;

导线长度= 10毫米;

参见图2和3;

平均超过任何20毫秒的时间;

还参见图10和11

T

AMB

= 60

°C;

印刷电路板安装（见

图16 ） ;参见图4和5;

平均超过任何20毫秒的时间;

还参见图10和11

50

100

150

200

250

300

400

0.56

0.54

V

V

V

V

V

V

V

A

A

参数

反向重复峰值电压

50

100

150

200

250

300

400

V

V

V

V

V

V

V

条件

分钟。

马克斯。

单位

0.43

0.41

A

A

1996年09月19日

2

不建议用于新设计

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超快速低损耗

控制雪崩整流器器

符号

I

FRM

参数

重复峰值正向电流

BYD71A到D

BYD71E至G

I

FRM

重复峰值正向电流

BYD71A到D

BYD71E至G

I

FSM

非重复峰值正向电流

T = 10 ms半正弦波;

T

j

= T

j max的情况

前激增;

V

R

= V

RRMmax

t = 20

s

半正弦波;牛逼

j

= T

j max的情况

暴涨前

65

65

T

AMB

= 60

°C;

参见图8和9

条件

T

tp

= 55

°C;

参见图6和图7

BYD71系列

分钟。

马克斯。

4.7

5.0

3.7

3.9

7

A

A

A

A

A

单位

P

RSM

非重复性峰值反向功率

耗散

BYD71A到D

BYD71E至G

250

150

+175

+175

W

W

°C

°C

T

英镑

T

j

储存温度

结温

电气特性

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

V

F

参数

正向电压

BYD71A到D

BYD71E至G

V

F

正向电压

BYD71A到D

BYD71E至G

V

（ BR ）R

反向雪崩击穿

电压

BYD71A

BYD71B

BYD71C

BYD71D

BYD71E

BYD71F

BYD71G

I

R

反向电流

V

R

= V

RRMmax

;

见图14

V

R

= V

RRMmax

;

T

j

= 165

°C;

见图14

t

rr

反向恢复时间

BYD71A到D

BYD71E至G

从切换时

I

F

= 0.5 A至I

R

= 1 A;

测量我

R

= 0.25 A

见图18

I

R

- 0.1毫安

55

110

165

220

275

330

440

1

75

V

V

V

V

V

V

V

A

A

I

F

= 0.5 A;

参见图12和图13

条件

I

F

= 0.5 A;牛逼

j

= T

j max的情况

;

参见图12和图13

分钟。

典型值。

马克斯。

0.84

0.90

1.05

1.11

V

V

V

V

单位

25

50

ns

ns

1996年09月19日

3

不建议用于新设计

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超快速低损耗

控制雪崩整流器器

符号

C

d

参数

二极管电容

BYD71A到D

BYD71E至G

dI

R

--------

dt

反向恢复的最大斜率

当前

BYD71A到D

BYD71E至G

热特性

符号

R

日J- TP

R

日J-一

记

参数

从结热阻，以配合点

从结点到环境的热阻

注1

条件

导线长度= 10毫米

从切换时

I

F

= 1 A到V

R

≥

30 V

和DI

F

/ DT =

1

A / μs的;

见图17

条件

F = 1兆赫; V

R

= 0 V;

见图15

分钟。

BYD71系列

典型值。

25

20

马克斯。

单位

pF

pF

4

5

A / μs的

A / μs的

价值

180

250

单位

K / W

K / W

1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板， 1.5mm厚; Cu层的厚度

≥40 m,

见图16 。

欲了解更多信息，请参阅

“总则相关手册” 。

1996年09月19日

4

不建议用于新设计

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超快速低损耗

控制雪崩整流器器

图形数据

MCD565

BYD71系列

MCD564

手册， halfpage

0.8

手册， halfpage

0.8

IF （ AV ）

(A)

0.6

引线长度10毫米

IF （ AV ）

(A)

0.6

引线长度10毫米

0.4

0.4

0.2

0.2

0

0

BYD71A到D

A = 1.42 ; V

R

= V

RRMmax

;

δ

= 0.5.

开关模式的应用。

100

TTP （ C）

o

0

200

0

BYD71E至G

A = 1.42 ; V

R

= V

RRMmax

;

δ

= 0.5.

开关模式的应用。

100

TTP （

o

C)

200

Fig.2

最大允许正向平均

当前，作为扎点温度的函数

（包括因损失反向漏）。

Fig.3

最大允许正向平均

当前，作为扎点温度的函数

（包括因损失反向漏）。

MGC526

MGC527

手册， halfpage

0.6

手册， halfpage

0.6

IF （ AV ）

(A)

0.4

IF （ AV ）

(A)

0.4

0.2

0.2

0

0

100

TAMB （ C）

o

0

200

0

100

TAMB （

o

C)

200

BYD71A到D

A = 1.42 ; V

R

= V

RRMmax

;

δ

= 0.5.

设备安装，如图16所示。

开关模式的应用。

BYD71E至G

A = 1.42 ; V

R

= V

RRMmax

;

δ

= 0.5.

设备安装，如图16所示。

开关模式的应用。

Fig.4

最大允许正向平均

当前环境温度的函数的

（包括因损失反向漏）。

Fig.5

最大允许正向平均

当前环境温度的函数的

（包括因损失反向漏）。

1996年09月19日

5

不建议用于新设计

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