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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D423

BYD12系列

控制雪崩整流器

初步speci fi cation

1998年12月3日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

控制雪崩整流器器

特点

玻璃钝化

较高的最大工作

温度

低漏电流

卓越的稳定性

保证雪崩能量

吸收能力

提供弹药包。

手册， halfpage

k

BYD12系列

密封和疲劳免费

为扩大所有的系数

使用部分匹配。

（1） Implotec是飞利浦公司的商标。

描述

腔免费的圆柱形玻璃SOD120

包通过Implotec

(1)

技术。这个包是

a

MGL571

Fig.1简化外形（ SOD120 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

RRM

BYD12D

BYD12G

BYD12J

BYD12K

BYD12M

V

R

连续反向电压

BYD12D

BYD12G

BYD12J

BYD12K

BYD12M

I

F（ AV ）

平均正向电流

T

AMB

= 25

°C;

印刷电路板

安装，间距5mm时，看到图6 ;

平均超过任何20毫秒内，

见图2

T = 10 ms半正弦波;

T

j

= 25

°C

前激增;

V

R

= V

RRMmax

看科幻G.3

200

400

600

800

1000

V

V

V

V

V

参数

反向重复峰值电压

200

400

600

800

1000

V

V

V

V

V

条件

分钟。

马克斯。

单位

0.82 A

I

FSM

非重复峰值正向电流

15

A

T

英镑

T

j

储存温度

结温

65

65

+175

+175

°C

°C

1998年12月3日

2

飞利浦半导体

初步speci fi cation

控制雪崩整流器器

电气特性

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

V

F

I

R

参数

正向电压

反向电流

I

F

= 1 ;见图4

V

R

= V

RRMmax

V

R

= V

RRMmax

; T

j

= 165

°C;

见图5

热特性

符号

R

日J-一

记

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

条件

BYD12系列

马克斯。

1.05

1

100

V

单位

A

A

价值

150

单位

K / W

1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板， 1.5mm厚;铜层的厚度

≥40 m,

螺距5毫米;见图6 。

1998年12月3日

3

飞利浦半导体

初步speci fi cation

控制雪崩整流器器

图形数据

BYD12系列

手册， halfpage

1

MDA808

MGC736

IF （ AV ）

200

手册， halfpage

Tj

( C)

150

o

(A)

0.8

0.6

100

0.4

D

50

0.2

G

J

K

M

0

0

40

80

120

160

200

TAMB （ ° C）

0

0

400

800

VR ，V

RRM

1200

(V)

A = 1.57 ; V

R

= V

RRMmax

;

δ

= 0.5.

设备安装，如图6所示。

Fig.2

最大允许正向平均

当前环境温度的函数的

（包括因损失反向漏）。

实线= V

R

.

虚线= V

RRM

;

δ

= 0.5.

Fig.3

最大允许结温

作为反向电压的函数。

手册， halfpage

10

IF

MDA817

10

2

手册， halfpage

IR

(A)

10

MDA822

(A)

8

6

1

4

10

1

2

0

0

0.5

1

1.5

VF （ V）

2

10

2

0

40

80

120

160

200

TJ （ ° C）

实线：T已

j

= 25

°C.

虚线：T已

j

= 175

°C.

V

R

= V

RRMmax

.

Fig.4

正向电流为正向功能

电压;典型值。

4

Fig.5

反向电流交界处的函数

温度;典型值。

1998年12月3日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

控制雪崩整流器器

BYD12系列

手册， halfpage

50

5

3

50

2

3

MBK812

尺寸（mm）。

图6器件安装在一块印刷电路板。

1998年12月3日

5

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