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飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流器器二极管
超高速,低开关损耗
特点
极快的切换
低反向恢复电流
低热阻
降低开关损耗
相关联的MOSFET
BYC10-600
符号
快速参考数据
V
R
= 600 V
V
F
1.8 V
I
F( AV )
= 10 A
t
rr
= 19 ns(典型值)
k
1
a
2
应用
有源功率因数校正
半桥镇流器
半桥/全桥开关
式电源。
该BYC10-600在所提供的
SOD59 ( TO220AC )常规
引线封装。
钉扎
1
2
TAB
描述
阴极
阳极
阴极
SOD59 ( TO220AC )
TAB
1
2
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FRM
I
FSM
参数
反向重复峰值电压
峰值反向工作电压
连续反向电压
平均正向电流
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
马克斯。
600
600
500
10
20
65
71
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
C
C
T
英镑
T
j
T
mb
114 C
δ
= 0.5;与重新加V
RRM (最大)
;
T
mb
78 C
重复峰值正向电流
δ
= 0.5;与重新加V
RRM (最大)
;
T
mb
78 C
非重复性峰值正向
T = 10毫秒
电流。
T = 8.3毫秒
正弦;牛逼
j
= 150前激增
与重新加V
RWM (最大)
储存温度
工作结温
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
分钟。
-
在自由空气中。
-
典型值。
-
60
马克斯。
2
-
单位
K / W
K / W
1999年5月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流器器二极管
超高速,低开关损耗
电气特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
V
F
I
R
t
rr
t
rr
t
rr
I
RRM
I
RRM
V
fr
参数
正向电压
反向电流
反向恢复时间
反向恢复时间
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
峰值反向恢复电流
正向恢复电压
条件
I
F
= 10 A;牛逼
j
= 150C
I
F
= 20 A;牛逼
j
= 150C
I
F
= 10 A;
V
R
= 600 V
V
R
= 500 V ;牛逼
j
= 100 C
I
F
= 1 ; V
R
= 30 V ;的dI
F
/ DT = 50 A / μs的
I
F
= 10 A; V
R
= 400 V;
dI
F
/ DT = 500 A / μs的
I
F
= 10 A; V
R
= 400 V;
dI
F
/ DT = 500 A / μs的;牛逼
j
= 125C
I
F
= 10 A; V
R
= 400 V;
dI
F
/ DT = 100 A / μs的;牛逼
j
= 125C
I
F
= 10 A; V
R
= 400 V;
dI
F
/ DT = 500 A / μs的;牛逼
j
= 125C
I
F
= 10 A;迪
F
/ DT = 100 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1.4
1.7
2.0
9
1.1
35
19
32
3
9.5
8
BYC10-600
马克斯。
1.8
2.3
2.8
200
3.0
55
-
40
7.5
12
11
单位
V
V
V
A
mA
ns
ns
ns
A
A
V
IL
VIN
150 uH容
典型值
ID
VO = 400 V直流
输出二极管
输入电压VIN = 400 V直流
IR IF
感性负载
IL
500 V MOSFET
图1 。典型的应用,输出整流升压
转换器的功率因数校正电路。连续
导通,模式,其中晶体管导通,而
正向电流仍流过二极管。
图2 。典型应用中,在半续流二极管
桥变换器。连续导通模式,其中
每个晶体管导通,而正向电流仍
中流动的其它桥臂的二极管。
1999年5月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流器器二极管
超高速,低开关损耗
BYC10-600
30
25
20
正向损耗, PF ( W)
VO = 1.3 V
卢比= 0.05欧姆
BYC10-600
TMB (最大值)C
D = 1.0
90
100
110
120
ID
DIF / DT
IRRM
0.5
0.2
0.1
ID = IL
由于亏损
二极管的反向恢复
15
10
5
T
I
t
p
D=
t
p
T
t
时间
VD
130
140
150
15
0
0
5
10
平均正向电流IF ( AV ) (A )
如图3所示。最大正向耗散的函数
平均正向电流;矩形电流
波形在哪里
F( AV )
=I
F( RMS )
x
D.
二极管的反向恢复的开关损耗, Pdsw (W)的
图6 。在晶体管由于开关损耗的起源
二极管的反向恢复。
0.25
100
反向恢复时间, TRR ( NS )
BYC10-600
F = 20千赫
TJ = 125℃
0.2 VR = 400 V
10 A
20 A
0.15
0.1
0.05
0
100
20 A
10 A
IF = 5 A
IF = 5 A
TJ = 125℃
VR = 400 V
10
100
额定电流, DIF / dt的变化( A /美国)
1000
额定电流, DIF / dt的变化( A /美国)
1000
图4 。在典型的反向恢复开关损耗
二极管,由于电流的dI的变化率的函数
F
/ DT 。
由于二极管反向恢复损耗晶体管, PTSW ( W)
20 A
图7 。典型的反向恢复时间t
rr
作为一个功能
的电流的dI的变化率
F
/ DT 。
8
7
6
5
4
3
100
峰值反向恢复电流, IRRM ( A)
BYC10-600
10 A
F = 20千赫
TJ = 125℃
VR = 400 V
10
20 A
IF = 5 A
IF = 5 A
2
1
BYC10-600
0
100
额定电流, DIF / dt的变化( A /美国)
1000
TJ = 125℃
VR = 400 V
额定电流, DIF / dt的变化( A /美国)
1000
1
100
图5 。在晶体管由于典型的开关损耗
反向二极管的恢复,作为变化的函数
目前迪
F
/ DT 。
图8 。典型的峰值反向恢复电流,I
RRM
作为
目前迪变化率功能
F
/ DT 。
1999年5月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流器器二极管
超高速,低开关损耗
BYC10-600
I
dI
F
dt
F
20
正向电流IF ( A)
TJ = 25℃
TJ = 150℃
BYC10-600
t
15
rr
时间
10
典型值
最大
Q
I
R
I
s
10%
100%
5
RRM
0
0
1
2
正向电压VF (V )
3
4
图9 。反向恢复的定义参数T
rr
, I
RRM
图12 。典型和最大正向特性
I
F
= F(V
F
); T
j
= 25℃, 150℃。
20
峰值正向恢复电压, VFR (V )
TJ = 25℃
IF = 10 A
BYC10-600
100mA
反向漏电流( A)
BYC10-600
15
典型值
10mA
TJ = 125℃
100 C
75 C
1mA
10
100uA
50 C
25 C
5
10uA
0
0
50
100
150
额定电流的变化, DIF / DT ( A / S)
200
1uA
0
100
200
300
400
反向电压( V)
500
600
图10 。典型正向恢复电压,V
fr
作为
目前迪变化率功能
F
/ DT 。
I
图13 。典型的反向漏电流的函数
的反向电压。我
R
= F(V
R
) ;参数T
j
瞬态热阻抗,第Z J- MB (K / W)
F
10
1
时间
VF
0.1
0.01
P
D
t
p
D=
V
VF
时间
t
p
T
t
fr
0.001
1us
T
10us
100us的1毫秒
10毫秒100毫秒
1s
脉冲宽度TP (多个)
BYV79E
10s
图11 。正向恢复电压V的定义
fr
图14 。最大的热阻抗Z
日J- MB
作为
功能的脉冲宽度。
1999年5月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流器器二极管
超高速,低开关损耗
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
BYC10-600
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
3,0最大
不镀锡
3,0
15,8
最大
13,5
1,3
最大
1
(2x)
2
0,9最大(2个)
0,6
2,4
5,08
图15 。 SOD59 ( TO220AC ) 。引脚1连接到安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1999年5月
5
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流器器二极管
超高速,低开关损耗
特点
极快的切换
低反向恢复电流
低热阻
降低开关损耗
相关联的MOSFET
BYC10-600
符号
快速参考数据
V
R
= 600 V
V
F
1.8 V
I
F( AV )
= 10 A
t
rr
= 19 ns(典型值)
k
1
a
2
应用
有源功率因数校正
半桥镇流器
半桥/全桥开关
式电源。
该BYC10-600在所提供的
SOD59 ( TO220AC )常规
引线封装。
钉扎
1
2
TAB
描述
阴极
阳极
阴极
SOD59 ( TO220AC )
TAB
1
2
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FRM
I
FSM
参数
反向重复峰值电压
峰值反向工作电压
连续反向电压
平均正向电流
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
马克斯。
600
600
500
10
20
65
71
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
C
C
T
英镑
T
j
T
mb
114 C
δ
= 0.5;与重新加V
RRM (最大)
;
T
mb
78 C
1
重复峰值正向电流
δ
= 0.5;与重新加V
RRM (最大)
;
T
mb
78 C
1
非重复性峰值正向
T = 10毫秒
电流。
T = 8.3毫秒
正弦;牛逼
j
= 150前激增
与重新加V
RWM (最大)
储存温度
工作结温
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
分钟。
-
在自由空气中。
-
典型值。
-
60
马克斯。
2
-
单位
K / W
K / W
1998年9月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流器器二极管
超高速,低开关损耗
电气特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
V
F
I
R
t
rr
t
rr
I
RRM
V
fr
参数
正向电压
反向电流
反向恢复时间
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
正向恢复电压
条件
I
F
= 10 A;牛逼
j
= 150C
I
F
= 20 A;牛逼
j
= 150C
I
F
= 10 A;
V
R
= 600 V
V
R
= 500 V ;牛逼
j
= 100 C
I
F
= 10 A到V
R
= 400 V;
dI
F
/ DT = 500 A / μs的
I
F
= 10 A到V
R
= 400 V;
dI
F
/ DT = 500 A / μs的;牛逼
j
= 125C
I
F
= 10 A到V
R
= 400 V;
dI
F
/ DT = 500 A / μs的;牛逼
j
= 125C
I
F
= 10 A;迪
F
/ DT = 100 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1.4
1.7
2.0
9
1.1
19
32
9.5
8
BYC10-600
马克斯。
1.8
2.3
2.8
200
3.0
-
40
12
11
单位
V
V
V
A
mA
ns
ns
A
V
IL
VIN
150 uH容
典型值
ID
VO = 400 V直流
输出二极管
输入电压VIN = 400 V直流
IR IF
感性负载
IL
500 V MOSFET
图1 。典型的应用,输出整流升压
转换器的功率因数校正电路。连续
导通,模式,其中晶体管导通,而
正向电流仍流过二极管。
图2 。典型应用中,在半续流二极管
桥变换器。连续导通模式,其中
每个晶体管导通,而正向电流仍
中流动的其它桥臂的二极管。
1998年9月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流器器二极管
超高速,低开关损耗
BYC10-600
30
25
20
正向损耗, PF ( W)
VO = 1.3 V
卢比= 0.05欧姆
BYC10-600
TMB (最大值)C
D = 1.0
90
100
110
120
ID
DIF / DT
IRRM
0.5
0.2
0.1
ID = IL
由于亏损
二极管的反向恢复
15
10
5
T
I
t
p
D=
t
p
T
t
时间
VD
130
140
150
15
0
0
5
10
平均正向电流IF ( AV ) (A )
如图3所示。最大正向耗散的函数
平均正向电流;矩形电流
波形在哪里
F( AV )
=I
F( RMS )
x
D.
二极管的反向恢复的开关损耗, Pdsw (W)的
图6 。在晶体管由于开关损耗的起源
二极管的反向恢复。
0.25
100
反向恢复时间, TRR ( NS )
BYC10-600
F = 20千赫
TJ = 125℃
0.2 VR = 400 V
10 A
20 A
0.15
0.1
0.05
0
100
20 A
10 A
IF = 5 A
IF = 5 A
TJ = 125℃
VR = 400 V
10
100
额定电流, DIF / dt的变化( A /美国)
1000
额定电流, DIF / dt的变化( A /美国)
1000
图4 。在典型的反向恢复开关损耗
二极管,由于电流的dI的变化率的函数
F
/ DT 。
由于二极管反向恢复损耗晶体管, PTSW ( W)
20 A
图7 。典型的反向恢复时间t
rr
作为一个功能
的电流的dI的变化率
F
/ DT 。
8
7
6
5
4
3
100
峰值反向恢复电流, IRRM ( A)
BYC10-600
10 A
F = 20千赫
TJ = 125℃
VR = 400 V
10
20 A
IF = 5 A
IF = 5 A
2
1
BYC10-600
0
100
额定电流, DIF / dt的变化( A /美国)
1000
TJ = 125℃
VR = 400 V
额定电流, DIF / dt的变化( A /美国)
1000
1
100
图5 。在晶体管由于典型的开关损耗
反向二极管的恢复,作为变化的函数
目前迪
F
/ DT 。
图8 。典型的峰值反向恢复电流,I
RRM
作为
目前迪变化率功能
F
/ DT 。
1998年9月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流器器二极管
超高速,低开关损耗
BYC10-600
I
dI
F
dt
F
20
正向电流IF ( A)
TJ = 25℃
TJ = 150℃
BYC10-600
t
15
rr
时间
10
典型值
最大
Q
I
R
I
s
10%
100%
5
RRM
0
0
1
2
正向电压VF (V )
3
4
图9 。反向恢复的定义参数T
rr
, I
RRM
图12 。典型和最大正向特性
I
F
= F(V
F
); T
j
= 25℃, 150℃。
20
峰值正向恢复电压, VFR (V )
TJ = 25℃
IF = 10 A
BYC10-600
100mA
反向漏电流( A)
BYC10-600
15
典型值
10mA
TJ = 125℃
100 C
75 C
1mA
10
100uA
50 C
25 C
5
10uA
0
0
50
100
150
额定电流的变化, DIF / DT ( A / S)
200
1uA
0
100
200
300
400
反向电压( V)
500
600
图10 。典型正向恢复电压,V
fr
作为
目前迪变化率功能
F
/ DT 。
I
图13 。典型的反向漏电流的函数
的反向电压。我
R
= F(V
R
) ;参数T
j
瞬态热阻抗,第Z J- MB (K / W)
F
10
1
时间
VF
0.1
0.01
P
D
t
p
D=
V
VF
时间
t
p
T
t
fr
0.001
1us
T
10us
100us的1毫秒
10毫秒100毫秒
1s
脉冲宽度TP (多个)
BYV79E
10s
图11 。正向恢复电压V的定义
fr
图14 。最大的热阻抗Z
日J- MB
作为
功能的脉冲宽度。
1998年9月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流器器二极管
超高速,低开关损耗
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
BYC10-600
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
3,0最大
不镀锡
3,0
15,8
最大
13,5
1,3
最大
1
(2x)
2
0,9最大(2个)
0,6
2,4
5,08
图15 。 SOD59 ( TO220AC ) 。引脚1连接到安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1998年9月
5
启1.100
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
初步
BYC10-600
超快,低开关
损失整流二极管
描述
在UTC
BYC10-600
是一个整流二极管。它提供了设计者
超快速开关和低开关损耗的相关
MOSFET。
在UTC
BYC10-600
可以在应用中使用,如
半桥/全桥开关电源,有源功率
因数校正和半桥照明镇流器。
二极管
特点
*低反向恢复电流
*超快速切换
*低开关损耗相关联的MOSFET
*低热阻
符号
订购信息
订购数量
无铅电镀
无卤
BYC10L-600-TA2-T
BYC10G-600-TA2-T
TO-220-2
注意:
引脚分配:A:阳极, K:阴极,标签:安装底座
引脚分配
1
2
TAB
K
A
K
填料
www.unisonic.com.tw
2010 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R601-023.b
BYC10-600
绝对最大额定值
初步
二极管
参数
符号
评级
单位
反向重复峰值电压
V
RRM
600
V
峰值反向工作电压
V
RWM
600
V
连续反向电压牛逼
TAB
114°C
V
R
500
V
δ
= 0.5;与重新加V
RRM (最大)
;
平均正向电流
I
F( AV )
10
A
T
TAB
≤78°C
正向重复峰值
δ
= 0.5;与重新加V
RRM (最大)
;
I
FRM
20
A
当前
T
TAB
≤78°C
T = 10ms的
I
FSM
65
A
非重复性峰值
T = 8.3ms的
正向电流。
正弦;牛逼
J
= 150℃之前
71
A
浪涌与重新申请V
RWM (最大)
工作结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
°C
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到标签
符号
θ
JA
θ
JB
评级
60
2
单位
K / W
K / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
正向电压
反向电流
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
正向恢复电压
符号
V
F
I
R
t
RR
I
RRM
V
FR
测试条件
I
F
= 10A ,T
J
=150°C
I
F
= 20A ,T
J
=150°C
I
F
=10A
V
R
=600V
V
R
= 500V ,T
J
=100°C
I
F
= 1A ,V
R
= 30V ,二
F
/dt=50A/μs
最小典型最大单位
1.4 1.8
V
1.7 2.3
V
2.0 2.9
V
9
200 A
1.1 3.0毫安
35
55
ns
19
ns
I
F
= 10A ,V
R
= 400V ,二
F
/dt=500A/μs
32
40
ns
T
J
=100°C
I
F
=10A,V
R
= 400V ,二
F
/ DT = 100A / μs的,T
J
=125°C
3
7.5
A
9.5
12
A
I
F
=10A,V
R
= 400V ,二
F
/ DT = 500A / μs的,T
J
=125°C
I
F
= 10A ,二
F
/dt=100A/μs
8
11
V
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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2 3
QW-R601-023.b
BYC10-600
典型特征
V
IN
150uH (典型值)
I
L
初步
二极管
V
IN
V
IN
= 400V直流
输出二极管
500V MOSFET
I
D
I
R
I
F
感性负载
I
L
V
O
= 400V直流
图1 。典型的应用,输出整流升压
转换器的功率因数校正电路。连续
导通方式,其中该晶体管导通
而正向电流仍流过二极管。
图2 。典型应用中,在半续流二极管
桥变换器。连续导通模式,其中
每个晶体管导通,而正向电流仍
中流动的其它桥臂的二极管。
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超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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可靠,可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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