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分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D189
BY614
微型高压
软恢复整流器
产品speci fi cation
取代1996年5月数据
1996年09月26日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
微型高压软恢复
整流器器
特点
玻璃钝化
较高的最大工作
温度
低漏电流
卓越的稳定性
软恢复开关
特征
非常紧凑的结构。
k
手册, halfpage
a
BY614
扩展使用的所有部件都
匹配。
包被设计成用于
于绝缘介质,如
树脂,油或SF6气体。
描述
微型玻璃封装,使用高
高温合金建设。
这个包是密封的
和疲劳免费为系数
MAM162
应用
微型高压组件
如电压倍增器。
阴极引线标有黑条。
Fig.1简化外形( SOD61H2 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
RSM
V
RRM
V
RW
V
R
I
F( AV )
参数
非重复性峰值反向电压
反向重复峰值电压
反向工作电压
连续反向电压
平均正向电流
平均超过任何20毫秒的时间;
印刷电路板安装(见图5) ;
T
AMB
= 65
°C;
见图2 ;
参见图3
t
10毫秒;半正弦波;
T
j
= T
j max的情况
前激增;
V
R
= V
RWmax
条件
分钟。
马克斯。
2200
2200
2000
2000
50
V
V
V
V
mA
单位
I
FRM
I
FSM
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
500
1
mA
A
T
英镑
T
j
储存温度
结温
65
65
+150
+150
°C
°C
1996年09月26日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
微型高压软恢复
整流器器
电气特性
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
Q
r
参数
正向电压
反向电流
恢复电荷
条件
I
F
= 50毫安;吨
j
= T
j max的情况
;见图4
V
R
= V
RWmax
; T
j
= 120
°C
从我开机时,
F
= 100 mA至
V
R
100 V和DI
F
/ DT =
200
毫安/微秒;
见图6
从我开机时,
F
= 100 mA至
V
R
100 V和DI
F
/ DT =
200
毫安/微秒;
见图6
从我开机时,
F
= 100 mA至
V
R
100 V和DI
F
/ DT =
200
毫安/微秒;
见图6
V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
分钟。
典型值。
BY614
马克斯。
6
3
1
V
单位
A
nC
t
f
下降时间
100
ns
t
rr
反向恢复时间
300
ns
C
d
二极管电容
2
pF
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板, 1.5mm厚;铜的厚度
≥40 m,
见图5 。
欲了解更多信息,请参阅
“总则相关手册” 。
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
注1
条件
导线长度= 10毫米
价值
100
155
单位
K / W
K / W
1996年09月26日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
微型高压软恢复
整流器器
图形数据
MBH389
BY614
手册, halfpage
80
手册, halfpage
1000
MBH390
IF ( AV )
(MA )
60
P
( mW)的
a = 3 2.5 2 1.57 1.42
40
500
20
0
0
40
80
160
120
TAMB ( ° C)
0
0
50
IF ( AV ) (MA )
100
a = 1.57;
δ
= 0.5; V
R
= V
RWmax
;设备安装,如图5所示。
一个=我
F( RMS )
/I
F( AV )
;
δ
= 0.5; V
R
= V
RWmax
.
Fig.2
最大允许正向平均
电流作为环境的函数
温度(包括因损失
反向漏电流) 。
Fig.3
最大稳态功耗
(正向加泄漏损耗),为功能
平均正向电流。
手册, halfpage
手册, halfpage
200
MBH402
50
25
IF
(MA )
7
50
100
2
3
0
0
10
VF ( V)
20
MGA200
虚线:T已
j
= 150
°C.
实线:T已
j
= 25
°C.
尺寸(mm) 。
Fig.4
正向电流为最大的函数
正向电压。
图5 ,安装到印刷电路板上。
1996年09月26日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
微型高压软恢复
整流器器
BY614
手册, halfpage
I
F
的dI F
dt
吨RR
10% t
Qr
90%
IR
tf
MGD569
图6反向恢复的定义。
1996年09月26日
5
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