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BUZ 91一
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 91一
V
DS
600 V
I
D
8A
R
DS ( ON)
0.9
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1342-A3
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
8
单位
A
I
D
I
Dpuls
32
T
C
= 33 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流,通过限制
T
JMAX
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量,单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
8
13
mJ
I
D
= 8 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 16.3毫亨,
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
570
V
GS
P
合计
±
20
150
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻,片式案例
热电阻,芯片到环境
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
半导体集团
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
0.83
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
1
07/96
BUZ 91一
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
600
-
3
0.1
10
10
0.8
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安,
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
2.1
V
GS =
V
DS ,
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 600 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 600 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
0.9
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,
I
D
= 5 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 91一
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
5
8.5
1400
180
65
-
S
pF
-
2100
270
100
ns
-
20
30
V
DS
2
*
I
D *
R
DS ( ON)最大值,
I
D
= 5 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
70
110
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
-
250
330
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
80
100
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 91一
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流,脉冲
A
-
-
-
-
1.1
480
6.5
8
32
V
-
1.2
ns
-
-
C
-
-
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 16 A
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 91一
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数:
V
GS
10 V
9
A
160
W
P
合计
I
D
120
7
6
100
5
80
4
60
3
2
1
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
40
20
0
0
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数:
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
2
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数:
D =吨
p
/
T
10
0
A
t
= 3.8s
p
10 s
K / W
I
D
10
1
Z
thJC
10
-1
100 s
D
/I
DS
(上
)
=V
DS
1毫秒
10毫秒
D = 0.50
0.20
10
-2
0.10
0.05
单脉冲
0.02
0.01
10
0
R
DC
10
-1
0
10
10
-3
-7
10
10
1
10
2
V 10
3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
07/96
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型号
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数量
封装
单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUZ91A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
BUZ91A
INFINEON/英飞凌
2410+
12590
TO-220
十年企业,诚信经营,原装量大价优
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
BUZ91A
INFINEON/英飞凌
2410+
12590
TO-220
十年企业,诚信经营,原装量大价优
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
BUZ91A
INFINEON
24+
5000
TO220
原装正品现货
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BUZ91A
INFINEON
24+
8000
TO220
100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
BUZ91A
SIEMENS/西门子
24+
16800
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BUZ91A
INFINEON
2443+
23000
TO-220
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BUZ91A
INFINEON
24+
27200
TO220
全新原装现货,原厂代理。
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电话:13711580601
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
BUZ91A
INFINEON
22+/23+
1000
TO220
原装正品 力挺实单
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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
BUZ91A
Siemens
1922+
9825
TO-220
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
BUZ91A
SIEMENS
13+
25800
TO-220
全新原装正品,大量现货库存,可以出样品,欢迎咨询洽谈
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