MAGNA
TEC
20.0
5.0
BUZ900DP
BUZ901DP
机械数据
尺寸（mm）
3.3直径。
N沟道
功率MOSFET
功率MOSFET
音频应用
特点
1
2.0
2
3
2.0
1.0
高开关速度
N沟道功率MOSFET
SEMEFAB DESIGNED并扩散
高电压（ 160V ＆安培; 200V ）
高能耗等级
1.2
0.6
2.8
3.4
增强型
积分保护二极管
P沟道也可作为
BUZ905DP & BUZ906DP
双模包的最大
电源和散热器空间
5.45 5.45
TO–3PBL
引脚1 - 门
2脚 - 来源
案件来源
3脚 - 漏
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSX
漏 - 源极电压
V
GSS
I
D
I
D（ PK ）
P
D
T
英镑
T
j
R
θJC
栅 - 源电压
连续漏电流
续流保护二极管
总功耗
存储温度范围
最大工作结温
热阻结 - 壳
@ T
例
= 25°C
BUZ900DP
160V
16A
16A
250W
-55 ℃150℃
150°C
0.5°C/W
BUZ901DP
200V
±14V
Magnatec 。
电话（ 01455 ） 554711.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 2/95
MAGNA
TEC
特征
BV
DSX
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
DS （ SAT ）
*
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
栅 - 源截止电压
漏 - 源极饱和电压
BUZ900DP
BUZ901DP
静态特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
V
GS
= –10V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 0
V
DS
= 10V
V
GD
= 0
BUZ900DP
BUZ901DP
I
G
= ±100A
I
D
= 100毫安
I
D
= 16A
V
DS
= 160V
I
DSX
漏 - 源截止电流
V
GS
= –10V
BUZ900DP
V
DS
= 200V
BUZ901DP
YFS *
正向转移导纳
V
DS
= 10V
I
D
= 3A
1.4
分钟。
160
200
±14
0.1
典型值。
马克斯。
单位
V
V
1.5
12
10
V
V
mA
10
4
S
动态特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
特征
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
DS
= 10V
F = 1MHz的
V
DS
= 20V
I
D
= 7A
分钟。
典型值。
950
550
18
160
80
马克斯。
单位
pF
ns
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2%.
300
降额图
250
CH AN NE l D同时ISS IP ATION （ W）
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ℃）
Magnatec 。
电话（ 01455 ） 554711.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 2/95
MAGNA
TEC
22
20
18
I
D
- ，D R AIN ú RR EN T（A ）
7V
BUZ900DP
BUZ901DP
典型的输出特性
T
C
= 25C
22
20
18
I
D
- ，D R AIN ú RR EN T（A ）
典型的输出特性
T
C
= 75C
16
6V
16
14
12
7V
6V
14
5V
12
P
C
5V
P
C
10
8
6
H
=
25
10
8
6
4
H
=
4V
0W
25
4V
0W
3V
3V
4
2
0
0
10
20
30
40
50
2V
2V
1V
2
0
60
70
0
10
20
30
40
50
1V
60
70
V
DS
- 漏 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏 - 源极电压（ V）
100
正向偏置安全工作区
T
C
= 25C
G
FS
- TRA NSC时ON D UC谭CE （ S）
100
V
DS
= 20V
跨
I
D
- ，D R AIN ú RR EN T（A ）
10
DC
10
T
C
= 25C
T
C
= 75C
OP
ER
AT
IO
N
1
BUZ900D
BUZ901D
1
160V
0.1
1
10
100
200V
0.1
1000
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
DS
- 漏 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏极电流（ A）
漏 - 源极电压
vs
16
14
V
DS
- DR AIN - S OU RC V OLTAGE （ V）
栅 - 源电压
T
C
= 25C
22
20
18
典型的传输特性
V
DS
= 10V
T
C
= 25C
12
I
D
- D RA IN C UR EN T（A ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
C
= 75C
T
C
= 100C
10
8
6
I
D
= 9A
I
D
= 14A
4
I
D
= 5A
2
I
D
= 3A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
- 栅 - 源电压（ V）
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
V
GS
- 栅 - 源电压（ V）
Magnatec 。
电话（ 01455 ） 554711.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 2/95
QQ：2880707522 复制
