【BUZ 81SIPMOS功率晶体管 N沟道增强型雪崩额定值销1G销2D3脚STYPEBUZ 81VD】,IC型号BUZ81,BUZ81 PDF资料,BUZ81经销商,ic,电子元器件-51电子网

BUZ 81

SIPMOS

功率晶体管

N沟道

增强型

雪崩额定值

销1

销2

3脚

TYPE

BUZ 81

800 V

DS （ ON）

2.5

包

的TO-220 AB

订购代码

C67078-S1345-A2

最大额定值

参数

连续漏电流

符号

值

单位

Dpuls

= 48 °C

漏电流脉冲

= 25 °C

雪崩电流，通过限制

JMAX

雪崩能量，通过定期的限制

JMAX

雪崩能量，单脉冲

= 4 A,

= 50 V,

= 25

= 48毫亨，

= 25 °C

门源电压

功耗

410

合计

125

= 25 °C

工作温度

储存温度

热电阻，片式案例

热电阻，芯片到环境

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

半导体集团

英镑

thJC

thJA

-55 ... + 150

≤

55 / 150 / 56

°C

K / W

07/96

BUZ 81

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

800

0.1

= 0 V,

= 0.25毫安，

= 25 °C

栅极阈值电压

GS （ TH）

2.1

GS =

DS ，

= 1毫安

零栅极电压漏极电流

DSS

100

= 800 V,

= 0 V,

= 25 °C

= 800 V,

= 0 V,

= 125 °C

栅极 - 源极漏电流

GSS

100

2.5

= 20 V,

= 0 V

漏源导通电阻

DS （ ON）

= 10 V,

= 2.8 A

半导体集团

07/96

BUZ 81

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

跨

值

典型值。

马克斯。

单位

900

1350

140

≥

D *

DS （ ON）最大值，

= 2.8 A

输入电容

国际空间站

OSS

= 0 V,

= 25 V,

= 1兆赫

输出电容

= 0 V,

= 25 V,

= 1兆赫

反向传输电容

RSS

= 0 V,

= 25 V,

= 1兆赫

导通延迟时间

D（上）

= 30 V,

= 10 V,

= 2.1 A

= 50

上升时间

= 30 V,

= 10 V,

= 2.1 A

= 50

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

200

270

= 30 V,

= 10 V,

= 2.1 A

= 50

下降时间

= 30 V,

= 10 V,

= 2.1 A

= 50

半导体集团

07/96

BUZ 81

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

反向二极管

逆二极管连续正向电流

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

0.3

2.5

1.4

值

典型值。

马克斯。

单位

= 25 °C

逆二极管正向电压

= 0 V,

= 8 A

反向恢复时间

= 100 V,

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

= 100 V,

/ DT = 100 A / μs的

半导体集团

07/96

BUZ 81

功耗

合计

)

漏电流

)

参数：

≥

10 V

4.5

130

110

合计

100

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

0.0

100

120

°C

160

100

120

°C

160

1.0

0.5

安全工作区

)

参数：

= 0.01,

= 25°C

瞬态热阻抗

日JC

)

参数：

D =吨

K / W

= 25.0s

thJC

-1

100 s

-2

1毫秒

D = 0.50

0.20

-3

0.10

0.05

-4

单脉冲

0.02

0.01

（上

)

10毫秒

-1

V 10

-5

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

s 10

半导体集团

07/96

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SIEMENS/西门子

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ST/意法

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12400

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