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首字符B的型号第757页
> BUZ78
BUZ 78
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 78
V
DS
800 V
I
D
1.5 A
R
DS ( ON)
8
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1318-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
1.5
单位
A
I
D
I
Dpuls
6
T
C
= 25 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流,通过限制
T
JMAX
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量,单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
1.5
5
mJ
I
D
= 1.5 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 142毫亨,
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
170
V
GS
P
合计
±
20
40
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻,片式案例
热电阻,芯片到环境
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
半导体集团
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
3.1
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
1
07/96
BUZ 78
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
800
-
3
0.1
10
10
6.5
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安,
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
2.1
V
GS =
V
DS ,
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
8
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 78
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
1
1.35
320
40
20
-
S
pF
-
430
60
30
ns
-
8
12
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS ( ON)最大值,
I
D
= 1 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1.7 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
40
60
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1.7 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
-
45
60
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1.7 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
25
35
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1.7 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 78
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流,脉冲
A
-
-
-
-
0.95
370
2.1
1.5
6
V
-
1.45
ns
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 3 A
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 78
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数:
V
GS
≥
10 V
1.6
45
W
A
P
合计
35
30
I
D
1.2
1.0
25
0.8
20
0.6
15
0.4
10
5
0
0
0.2
0.0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数:
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
1
t
= 21.0s
p
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数:
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
100 s
I
D
10
0
Z
thJC
10
0
/I
D
=V
DS
1毫秒
DS
(上
)
10
-1
D = 0.50
10毫秒
R
0.20
0.10
10
-2
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-1
DC
10
-2
0
10
10
1
10
2
V 10
3
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
07/96
查看更多
BUZ78
PDF信息
推荐型号
B41793A5158Q000
BSR11KE
BUK9518-30
BIR-NM23C1
BPY12H1
BR/CR2032/1HF
BZX97C8V2
BUK455-100A/B
B25A2C60DL
B84143B0250S021
BFC233620474
B3W-9000-HG1N
B37872K3681K070
B43305A9227M000
B82496C3339A
BH3863F
BUS-61569-230
B82442H1394K000
B66379F0000X146
BZX84J56C
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
深圳市壹芯创科技有限公司
QQ:
QQ:2880707522
复制
QQ:2369405325
复制
电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
BUZ78
-
-
-
-
终端采购配单精选
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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QQ:2881677436
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QQ:2881620402
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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
BUZ78
-
-
-
-
终端采购配单精选
更多配单专家
深圳和润天下电子科技有限公司
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QQ:1139848500
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
BUZ78
INFINEON
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10000
TO-262
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
江苏芯钻时代电子科技有限公司
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QQ:1316996791
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
BUZ78
INFINEON
24+
5000
TO-220
原装正品现货
深圳信泰电子器材有限公司
QQ:
QQ:1248156793
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QQ:519794981
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
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BUZ78
INFINEON
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100%原装正品,只做原装正品
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联系人:王云
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BUZ78
INFINEON
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BUZ78
INFINEON/英飞凌
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BUZ78
Infineon/英飞凌
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QQ:2273544375
复制
QQ:1402770874
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电话:13711580601
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
BUZ78
Infineon/英飞凌
22+/23+
1000
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原装正品 力挺实单
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ:
QQ:2236823936
复制
电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
BUZ78
INFINEON
1922+
9825
TO-220
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
深圳勤思达科技有限公司
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QQ:2881243225
复制
电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
BUZ78
INFINEON
13+
25800
全新原装正品,大量现货库存,可以出样品,欢迎咨询洽谈
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BUZ78
Infineon/英飞凌
21+22+
62710
TO-220
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深圳市碧威特网络技术有限公司
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