BUZ76
半导体
数据表
1998年10月
文件编号2264.1
3A ， 400V ， 1.800 Ohm的N通道功率
MOSFET
特点
3A ， 400V
[ /标题
这是一个N沟道增强型硅栅功率
r
DS （ ON）
= 1.800
(BUZ76)
音响场效晶体管设计的应用程序，例如
SOA是功耗有限公司
/主题
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
纳秒的开关速度
(3A,
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
400V,
线性传输特性
这种类型的可以直接从集成电路来操作。
1.800
高输入阻抗
欧姆， N-
以前发育类型TA17404 。
多数载波设备
通道
相关文献
动力
订购信息
- TB334 “指南焊锡表面贴装
产品型号
包
BRAND
MOSFET导
组件到PC板“
BUZ76
TO-220AB
BUZ76
FET）
/作者
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
()
D
/密钥 -
WORDS
G
（哈里斯
半
S
传导
器， N-
通道
动力
包装
MOSFET导
JEDEC TO- 220AB
场效应管，
来源
TO -
漏
220AB)
门
漏极（法兰）
/造物主
()
/ DOCIN
PDF- FO
标志
[ /页面 -
模式
/ UseOut-
线
/ DOC-
意见
pdfmark运算
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-800-4-HARRIS
|
版权
1998年哈里斯公司
BUZ76
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
BUZ76
400
400
3
12
±20
40
0.32
-55到150
E
55/150/56
300
260
o
C
o
C
漏极至源极击穿电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流（T
C
= 35
o
C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
DIN湿度类别 - DIN 40040 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
IEC气候类别 - DIN IEC 68-1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安（图9）
T
J
= 25
o
C，V
DS
= 400V, V
GS
= 0V
T
J
= 125
o
C，V
DS
= 400V, V
GS
= 0V
民
400
2.1
-
-
-
-
2.1
-
-
-
-
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图10 ）
-
-
-
典型值
-
3
20
100
10
1.65
2.5
15
40
50
30
300
50
35
≤3.1
≤75
最大
-
4
250
1000
100
1.800
-
20
60
65
40
500
80
60
单位
V
V
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
政府飞行服务队
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
I
D
= 1.5A ，V
GS
= 10V （图8）
V
DS
= 25V ，我
D
= 3A （图11）
V
CC
= 30V ，我
D
≈
2.5A ，V
GS
= 10V ，R
GS
= 50,
R
L
= 10Ω 。 （图14 ， 15）的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 6A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 3A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的，
V
R
= 100V
T
C
= 25
o
C
测试条件
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
1.1
300
2.5
最大
3
12
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
C
2
QQ：2881677436 复制
