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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第841页 > BUZ73L
SIPMOS
功率晶体管
BUZ 73L
N沟道
增强型
雪崩额定值
逻辑电平
销1
销2
3脚
G
TYPE
D
订购代码
S
V
DS
200 V
I
D
7A
R
DS （上
)
0.4
包
BUZ 73 L
的TO-220 AB
C67078-S1328-A2
最大额定值
参数
符号
值
单位
连续漏电流
T
C
= 28 C
I
D
A
7
漏电流脉冲
T
C
= 25 C
I
Dpuls
28
I
AR
E
AR
E
AS
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 7 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 3.67 mH的，
T
j
= 25 C
7
6.5
mJ
120
V
GS
门源电压
静电放电敏感度HBM按照MIL -STD 883
功耗
T
C
= 25 C
±
20
1级
V
P
合计
W
40
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
C
≤
3.1
75
E
55 / 150 / 56
K / W
数据表
1
05.99
BUZ 73L
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 C
V
（ BR ） DSS
V
200
-
-
栅极阈值电压
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
1.2
I
DSS
1.6
2
A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 200 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 200 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 C
-
-
I
GSS
0.1
10
1
100
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
-
R
DS （ ON）
10
100
漏源导通电阻
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3.5 A
-
0.3
0.4
数据表
2
05.99
BUZ 73L
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
跨
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 3.5 A
g
fs
S
5
6.5
-
pF
-
630
840
输入电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
国际空间站
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
OSS
-
C
RSS
120
200
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
-
t
D（上）
60
90
ns
导通延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
-
t
r
15
20
上升时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
-
t
D（关闭）
60
90
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
-
t
f
100
130
下降时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
-
40
50
数据表
3
05.99
BUZ 73L
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
值
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管连续正向电流
T
C
= 25 C
I
S
A
-
-
7
逆二极管直流，脉冲
T
C
= 25 C
I
SM
-
V
SD
-
28
V
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 14 A
-
t
rr
1.1
1.7
ns
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
Q
rr
140
-
C
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
0.7
-
数据表
4
05.99
BUZ 73L
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
5 V
7.5
A
45
W
6.5
P
合计
35
30
25
20
15
10
5
0
0
I
D
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
20
40
60
80
100
120
C
160
0
20
40
60
80
100
120
C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25C
10
2
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
t
= 15.0s
p
DS
/I
I
D
10
1
Z
thJC
100 s
10
0
R
DS
(o
n)
=V
D
1毫秒
10
-1
D = 0.50
0.20
10
0
10毫秒
0.10
10
-2
0.05
0.02
单脉冲
DC
0.01
10
-1
0
10
10
1
10
2
V
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
数据表
5
05.99
BUZ 73 L
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
逻辑电平
销1
G
TYPE
BUZ 73 L
销2
D
3脚
S
V
DS
200 V
I
D
7A
R
DS （ ON）
0.4
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1328-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
7
单位
A
I
D
I
Dpuls
28
T
C
= 28 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
7
6.5
mJ
I
D
= 7 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 3.67 mH的，
T
j
= 25 °C
门源电压
栅源电压峰值，非周期性
功耗
120
V
GS
V
gs
P
合计
±
14
±
20
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
40
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
3.1
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
半导体集团
1
07/96
BUZ 73 L
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
200
-
1.6
0.1
10
10
0.3
-
2
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
1.2
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 200 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 200 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
0.4
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3.5 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 73 L
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
5
6.5
630
120
60
-
S
pF
-
840
200
90
ns
-
15
20
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 3.5 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
60
90
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
100
130
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
40
50
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 73 L
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
1.1
140
0.7
7
28
V
-
1.7
ns
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 14 A
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 73 L
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
5 V
7.5
A
45
W
6.5
P
合计
35
30
25
20
15
10
5
0
0
I
D
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
2
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
/I
D
t
= 15.0s
p
I
D
10
1
=V
Z
thJC
100 s
10
0
R
DS
(o
n)
DS
1毫秒
10
-1
D = 0.50
0.20
10
0
10毫秒
0.10
10
-2
0.05
0.02
单脉冲
DC
0.01
10
-1
0
10
10
1
10
2
V
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
07/96
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B65822F1008T002
BS62UV2006STIG10
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B37940K5101J001
BA218
BC728-16
B65811J0250J041
BQ-M401RD
BCY58VII
BU7232SF-E2
BC213LA
BCX73-16
B25AC20K
BL-HS134E
BUH513
BT137X-800F
B70NF3LL
B43896F2226M004
BZX84C39V
BQ3285LCS
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUZ73L
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BUZ73L
Infineon Technologies
2439+
16250
TO-220-3
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
江苏芯钻时代电子科技有限公司
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电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
BUZ73L
Infineon Technologies
24+
5000
TO-220-3
原装正品现货
深圳市格雷迪电子有限公司
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电话：15914072177
联系人：林先生
地址：深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
BUZ73L
INFINEON/英飞凌
24+
62885
TO-220
公司现货，全新原厂原装正品！
深圳市科雨电子有限公司
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电话：171-4755-1968（微信同号）
联系人：周小姐171-4755-196微信同号，无线联通更快捷！8
地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
BUZ73L
INFINEON
24+
3000
TO220-3
★体验愉快问购元件！！就找我吧!《停产物料》
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
BUZ73L
Infineon Technologies
24+
10000
PG-TO220-3
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BUZ73L
INFINEON/英飞凌
2443+
23000
P-TO220-3
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BUZ73L
Infineon Technologies
24+
19000
PG-TO220-3
全新原装现货，原厂代理。
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
BUZ73L
Infineon
2025+
26820
PG-TO-220-3
【原装优势★★★绝对有货】
深圳市正信鑫科技有限公司
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电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
BUZ73L
ＩＮＦＩＮＥＯＮ
22+
4112
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
深圳市深科创科技有限公司
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电话：0755-83247290
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23+
2548
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