【BUZ 73ALHSIPMOS功率晶体管 N沟道增强型雪崩额定值逻辑电平。根据IEC61249-2-】,IC型号BUZ73ALH,BUZ73ALH PDF资料,BUZ73ALH经销商,ic,电子元器件-51电子网

BUZ 73AL

SIPMOS

功率晶体管

N沟道

增强型

雪崩额定值

逻辑电平

。根据IEC61249-2-21的无卤素

销1

销2

3脚

TYPE

无铅

200 V

5.5 A

DS （上

)

0.6

包

BUZ 73 AL

PG-TO220-3

是的

最大额定值

参数

符号

值

单位

连续漏电流

= 37 C

5.5

Dpuls

漏电流脉冲

= 25 C

雪崩电流，通过限制

JMAX

雪崩能量，通过定期的限制

JMAX

雪崩能量，单脉冲

= 7 A,

= 50 V,

= 25

= 3.67 mH的，

= 25 C

6.5

120

门源电压

静电放电敏感度HBM按照MIL -STD 883

功耗

= 25 C

1级

合计

英镑

thJC

thJA

工作温度

储存温度

热电阻，片式案例

热电阻，芯片到环境

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

-55 ... + 150

≤

3.1

K / W

55 / 150 / 56

修订版2.4

第1页

2009-11-10

BUZ 73AL

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

值

典型值。

马克斯。

单位

漏源击穿电压

= 0 V,

= 0.25毫安，

= 25 C

（ BR ） DSS

200

GS （ TH）

栅极阈值电压

GS =

DS ，

= 1毫安

1.2

DSS

1.6

零栅极电压漏极电流

= 200 V,

= 0 V,

= 25 C

= 200 V,

= 0 V,

= 125 C

0.1

GSS

100

栅极 - 源极漏电流

= 20 V,

= 0 V

DS （ ON）

100

漏源导通电阻

= 5 V,

= 3.5 A

0.5

0.6

修订版2.4

第2页

2009-11-10

BUZ 73AL

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

值

典型值。

马克斯。

单位

跨

≥

D *

DS （ ON）最大值，

= 3.5 A

国际空间站

6.5

输入电容

= 0 V,

= 25 V,

= 1兆赫

OSS

630

840

输出电容

= 0 V,

= 25 V,

= 1兆赫

RSS

120

200

反向传输电容

= 0 V,

= 25 V,

= 1兆赫

D（上）

导通延迟时间

= 30 V,

= 5 V,

= 3 A

= 50

上升时间

= 30 V,

= 5 V,

= 3 A

= 50

D（关闭）

打开-O FF延迟时间

= 30 V,

= 5 V,

= 3 A

= 50

100

130

下降时间

= 30 V,

= 5 V,

= 3 A

= 50

修订版2.4

第3页

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BUZ 73AL

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

反向二极管

值

典型值。

马克斯。

单位

逆二极管连续正向电流

= 25 C

5.5

逆二极管直流，脉冲

= 25 C

逆二极管正向电压

= 0 V,

= 14 A

1.1

1.7

反向恢复时间

= 100 V,

/ DT = 100 A / μs的

140

反向恢复电荷

= 100 V,

/ DT = 100 A / μs的

0.7

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第4页

2009-11-10

BUZ 73AL

功耗

合计

)

漏电流

)

参数：

≥

5 V

6.0

5.0

合计

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

120

160

100

120

160

安全工作区

)

参数：

= 0.01,

= 25C

瞬态热阻抗

日JC

)

参数：

D =吨

K / W

= 24.0s

thJC

100 s

1毫秒

-1

D = 0.50

0.20

10毫秒

0.10

-2

0.05

0.02

单脉冲

0.01

-1

-3

-7

-6

-5

-4

-3

-2

s 10

-1

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