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SIPMOS
功率晶体管
BUZ 31
H
N沟道
增强型
雪崩额定值
正常
水平
。无铅镀铅;符合RoHS标准
。根据IEC61249-2-21的无卤素
销1
销2
3脚
G
TYPE
D
无铅
S
V
DS
I
D
R
DS （上
)
包
BUZ 31
H
200 V
14.5 A
0.2
PG-TO-220-3
是的
最大额定值
参数
符号
值
单位
连续漏电流
I
D
14.5
A
T
C
=
30
C
漏电流脉冲
I
Dpuls
58
T
C
= 25 C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
13.5
9
mJ
I
D
= 14.5 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 1.42 mH的，
T
j
= 25 C
门源电压
静电放电敏感度HBM按照MIL -STD 883
功耗
200
V
GS
±
20
1级
V
P
合计
95
W
T
C
= 25 C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
C
≤
1.32
75
K / W
E
55 / 150 / 56
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第1页
2009-11-09
BUZ 31
H
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
200
-
-
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2.1
3
4
A
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
0.1
1
V
DS
= 200 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 200 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 C
栅极 - 源极漏电流
-
10
100
nA
I
GSS
-
10
100
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
-
0.16
0.2
V
GS
= 5 V,
I
D
=
9
A
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BUZ 31
H
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
跨
g
fs
5
12
-
S
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 7 A
输入电容
C
国际空间站
-
840
1120
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
C
OSS
-
180
270
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
95
150
ns
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
上升时间
-
12
20
t
r
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
-
50
75
t
D（关闭）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
下降时间
-
150
200
t
f
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
-
60
80
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BUZ 31
H
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
值
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管连续正向电流
I
S
-
-
14.5
A
T
C
= 25 C
逆二极管直流，脉冲
I
SM
-
-
58
V
T
C
= 25 C
逆二极管正向电压
V
SD
-
1.1
1.6
V
GS
= 0 V,
I
F
= 29A
反向恢复时间
t
rr
-
170
-
ns
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
Q
rr
-
1.1
-
C
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
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BUZ 31
H
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10
V
14
100
W
A
12
P
合计
80
I
D
11
70
10
9
60
8
50
7
40
6
5
30
4
20
3
2
10
0
0
1
0
20
40
60
80
100
120
C
160
0
20
40
60
80
100
120
C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25C
10
2
tp
= 15.0s
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
A
I
D
V
DS
/I
D
K / W
100 s
Z
thJC
10
0
R
10
1
DS
(o
n)
=
1毫秒
10
-1
D = 0.50
10毫秒
0.20
10
0
0.10
10
-2
0.05
DC
0.02
0.01
单脉冲
10
-1
0
10
10
1
10
2
V
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
-1
0
V
DS
t
p
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