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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第324页 > BUZ21L
SIPMOS
功率晶体管
BUZ 21L
N沟道
增强型
雪崩额定值
逻辑电平
销1
销2
3脚
G
TYPE
D
订购代码
S
V
DS
I
D
R
DS （上
)
包
BUZ 21 L
100 V
21 A
0.085
的TO-220 AB
C67078-S1338-A2
最大额定值
参数
符号
值
单位
连续漏电流
I
D
21
A
T
C
= 25 C
漏电流脉冲
I
Dpuls
84
T
C
= 25 C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
21
11.5
mJ
I
D
= 21 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 340 H,
T
j
= 25 C
门源电压
静电放电敏感度HBM按照MIL -STD 883
功耗
100
V
GS
±
20
1级
V
P
合计
75
W
T
C
= 25 C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
C
≤
1.67
75
E
55 / 150 / 56
K / W
数据表
1
05.99
BUZ 21L
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
100
-
-
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
1.2
1.6
2
A
-
-
0.1
10
1
100
nA
-
10
100
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
-
0.075
0.085
V
GS
= 5 V,
I
D
= 10.5 A
数据表
2
05.99
BUZ 21L
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
跨
g
fs
8
14
-
S
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 10.5 A
输入电容
C
国际空间站
-
1200
1500
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
C
OSS
-
320
580
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
160
260
ns
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
上升时间
-
25
40
t
r
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
-
110
170
t
D（关闭）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
下降时间
-
210
270
t
f
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
-
100
130
数据表
3
05.99
BUZ 21L
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
值
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管连续正向电流
I
S
-
-
21
A
T
C
= 25 C
逆二极管直流，脉冲
I
SM
-
-
84
V
-
1.35
1.7
ns
-
150
-
C
-
0.58
-
T
C
= 25 C
逆二极管正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
F
= 42 A
反向恢复时间
t
rr
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
Q
rr
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
数据表
4
05.99
BUZ 21L
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
5 V
22
A
80
W
P
合计
60
I
D
18
16
14
12
50
40
10
30
8
6
4
10
2
0
0
20
40
60
80
100
120
C
160
0
0
20
40
60
80
100
120
C
160
20
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25C
10
3
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
A
K / W
I
D
10
2
tp
= 22.0s
Z
thJC
10
0
/I
D
=
V
D
S
100 s
R
D
10
1
S(
o
n)
1毫秒
10
-1
D = 0.50
10毫秒
0.20
0.10
10
0
DC
10
-2
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-1
0
10
10
1
V 10
2
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
数据表
5
05.99
BUZ 21 L
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
逻辑电平
销1
G
TYPE
BUZ 21 L
销2
D
3脚
S
V
DS
100 V
I
D
21 A
R
DS （ ON）
0.085
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1338-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
21
单位
A
I
D
I
Dpuls
84
T
C
= 25 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
21
11.5
mJ
I
D
= 21 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 340 H,
T
j
= 25 °C
门源电压
栅源电压峰值，非周期性
功耗
100
V
GS
V
gs
P
合计
±
14
±
20
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
75
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
1.67
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
半导体集团
1
01/97
BUZ 21 L
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
100
-
1.6
0.1
10
10
0.075
-
2
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
1.2
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
0.085
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 5 V,
I
D
= 10.5 A
半导体集团
2
01/97
BUZ 21 L
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
8
14
1200
320
160
-
S
pF
-
1500
580
260
ns
-
25
40
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 10.5 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
110
170
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
210
270
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
100
130
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
01/97
BUZ 21 L
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
典型值。
马克斯。
单位
A
-
-
-
-
1.35
150
0.58
21
84
V
-
1.7
ns
-
-
C
-
-
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 42 A
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
01/97
BUZ 21 L
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
5 V
22
A
80
W
P
合计
60
I
D
18
16
14
12
50
40
10
30
8
6
4
10
2
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
20
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
3
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
A
K / W
I
D
10
2
/I
D
=
tp
= 22.0s
DS
Z
thJC
10
0
V
100 s
R
D
10
1
S(
)
on
1毫秒
10
-1
D = 0.50
10毫秒
0.20
0.10
10
0
DC
10
-2
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-1
0
10
10
1
V 10
2
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
01/97
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B43504D2337M000
B41303A7338M002
BD540B
B63399-B1
BL-BK33V1
BZX3V9
B57150K1242J000
BD8918F
B5150C
BC650S
BAT54SERIES
BAS16TT1G
BTB1424L3
BZV55-F22
BZT52-B15
BZT52B15
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUZ21L
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市春涛电子有限公司
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联系人：王云
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BUZ21L
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联系人：陈泽强
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BUZ21L
INFINEON/英飞凌
2443+
23000
TO-220
一级代理专营，原装现货，价格优势
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电话：0755-83268779
联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
BUZ21L
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
BUZ21L
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全新原装现货特价销售！
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电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BUZ21L
INFINEON/英飞凌
24+
21000
TO-220
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话：0755-83798683
联系人：许先生
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BUZ21L
INFINEON/英飞凌
22+
90092
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电话：0755-82170267
联系人：李经理
地址：深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
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20+
33803
QFN
有挂就有货 支持订货.备货
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电话：0755-83259954/0755-82701784
联系人：李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
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BUZ21L
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