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BUZ 12一
不适用于新设计
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 12一
V
DS
50 V
I
D
42 A
R
DS ( ON)
0.035
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1331-A3
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
42
单位
A
I
D
I
Dpuls
168
T
C
= 44 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流,通过限制
T
JMAX
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量,单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
42
2.5
mJ
I
D
= 42 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 23.2 H,
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
41
V
GS
P
合计
±
20
125
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻,片式案例
热电阻,芯片到环境
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
1
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
半导体集团
07/96
BUZ 12一
不适用于新设计
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
50
-
3
0.1
10
10
0.03
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安,
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
2.1
V
GS =
V
DS ,
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
0.035
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,
I
D
= 32 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 12一
不适用于新设计
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
12
23
1700
800
280
-
S
pF
-
2300
1200
420
ns
-
35
50
V
DS
2
*
I
D *
R
DS ( ON)最大值,
I
D
= 32 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
85
130
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
-
220
280
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
140
180
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 12一
不适用于新设计
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流,脉冲
A
-
-
-
-
1.8
80
0.14
42
168
V
-
2.2
ns
-
-
C
-
-
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 84 A
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 12一
不适用于新设计
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数:
V
GS
10 V
45
A
130
W
110
P
合计
100
90
80
70
60
50
I
D
35
30
25
20
15
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
5
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数:
D
= 0,
T
C
= 25°C
10
3
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数:
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
10
0
t
= 47.0s
p
I
D
/I
D
10
2
Z
thJC
10
-1
=
)
on
S(
R
D
V
D
S
100 s
1毫秒
10
-2
D = 0.50
0.20
10
1
10毫秒
10
-3
0.10
0.05
10
-4
DC
10
0
0
10
10
-5
-7
10
单脉冲
0.02
0.01
10
1
V 10
2
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
07/96
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUZ12A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
BUZ12A
SIEMENS/西门子
22+
36697
SC70-5
有挂就有货 支持订货.备货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
BUZ12A
ST/意法
22+
96491
TO-220
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制

电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
BUZ12A
SIEMENS/西门子
20+
26000
TO-220
全新原装 货期两周
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BUZ12A
ST
2443+
23000
TO-220
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BUZ12A
SIEMENS/西门子
24+
21000
TO-220
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
BUZ12A
SIEMENS/西门子
24+
32000
TO-220
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
BUZ12A
SIEMENS
2425+
11280
TO-220
进口原装!优势现货!
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电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
BUZ12A
SIEMENS
13+
25800
全新原装正品,大量现货库存,可以出样品,欢迎咨询洽谈
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BUZ12A
SIEMENS/西门子
21+
13000
TO-220
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003494137 复制 点击这里给我发消息 QQ:3003494136 复制

电话:0755-15913992480
联系人:林
地址:深圳市福田区东方时代A2705
BUZ12A
SIEMENS
23+
7982
TO-220
火爆销售.全新原装.深圳市场最低价!
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