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BUZ11
数据表
1999年6月
网络文件编号
2253.2
30A , 50V , 0.040 Ohm的N通道功率
MOSFET
[ /标题
(BUZ1
1)
/子
拍摄对象
(30A,
50V,
0.040
欧姆,
N-
NEL
动力
MOSFET导
FET)
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
(跨
SIL
Corpo-
比,
N-
NEL
动力
MOSFET导
场效应管,
TO -
220AB
)
/ Cre-
员( )
/ DOCI
NFO
PDF-
标志
这是一个N沟道增强型硅栅功率
音响场效晶体管设计的应用程序,例如
开关稳压器,开关转换器,电机驱动器,
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高速,低栅极驱动电源。
这种类型的可以直接从集成电路来操作。
以前发育类型TA9771 。
特点
30A , 50V
r
DS ( ON)
= 0.040
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
BUZ11
TO-220AB
BRAND
BUZ11
注:订货时,使用整个零件编号。
符号
D
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏极(法兰)
2001仙童半导体公司
BUZ1版本A
BUZ11
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
BUZ11
漏极至源极击穿电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20k
) (注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
T
C
= 30
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲(注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
连续漏电流
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
DIN湿度类别 - DIN 40040 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
IEC气候类别 - DIN IEC 68-1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
50
50
30
120
±
20
75
0.6
-55到150
E
55/150/56
300
260
o
C
o
C
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
测试条件
I
D
= 250
A,V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安(图9)
T
J
= 25
o
C,V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
T
J
= 125
o
C,V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
门源漏电流
漏极至源极导通电阻(注2 )
正向跨导(注2 )
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS ( ON)
政府飞行服务队
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中,f = 1MHz的(图10)
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
I
D
= 15A ,V
GS
= 10V (图8)
V
DS
= 25V ,我
D
= 15A (图11)
V
CC
= 30V ,我
D
3A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 50
,
R
L
= 10
50
2.1
-
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
3
20
100
10
0.03
8
30
70
180
130
1500
750
250
1.67
75
最大
-
4
250
1000
100
0.04
-
45
110
230
170
2000
1100
400
单位
V
V
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项:
2.脉冲测试:脉冲宽度
300毫秒,占空比
2%.
3.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线(图3 ) 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD
t
rr
Q
RR
T
C
= 25
o
C
T
C
= 25
o
C
T
J
= 25
o
C,我
SD
= 60A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25
o
C,我
SD
= 30A ,二
SD
/ DT = 100A /
s,
V
R
= 30V
测试条件
-
-
-
-
-
典型值
-
-
1.7
200
0.25
最大
30
120
2.6
-
-
单位
A
A
V
ns
C
2001仙童半导体公司
BUZ1版本A
BUZ11
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
,漏电流( A)
30
0.8
除非另有规定编
40
V
GS
> 10V
0.6
0.4
20
10
0.2
0
0
25
50
75
100
T
A
,外壳温度(
o
C)
125
150
0
0
50
100
T
C
,外壳温度(
o
C)
150
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
ψJC ,
瞬态热阻抗
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
0.1
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
吨,矩形脉冲持续时间( S)
10
0
10
1
t
1
t
2
0.01
10
-5
10
-4
图3.最大瞬态热阻抗
10
3
操作在此
面积可能有限
由R
DS ( ON)
10
2
2.5s
10s
100s
10
1
1ms
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
单脉冲
10
1
V
DS
,漏源极电压( V)
10ms
100ms
DC
10
2
60
P
D
= 75W
50
I
D
,漏电流( A)
10V
40
30
20
10
0
V
GS
= 8.0V
V
GS
= 7.5V
V
GS
= 7.0V
V
GS
= 6.5V
V
GS
= 6.0V
V
GS
= 5.5V
V
GS
= 5.0V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏源极电压( V)
6
V
GS
= 20V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
I
D
,漏电流( A)
10
0
10
0
图4.正向偏置安全工作区
图5.输出特性
2001仙童半导体公司
BUZ1版本A
BUZ11
典型性能曲线
I
DS (ON ) ,
漏源电流(A )
20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DS
= 25V
除非另有规定编
(续)
0.15
r
DS ( ON)
,通态电阻( Ω )
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 5V
5.5V
6V
6.5V
7V
7.5V
8V
9V
10V
20V
15
0.10
10
0.05
5
0
0
1
3
4
5
6
V
GS
,门源电压( V)
2
7
8
0
0
20
40
I
D
,漏电流( A)
60
图6.传热特性
图7.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
V
GS ( TH)
,栅极阈值电压( V)
0.08
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
I
D
= 15A ,V
GS
= 10V
0.06
4
V
DS
= V
GS
I
D
= 1毫安
r
DS ( ON)
,漏极到源极
导通电阻( Ω )
3
0.04
2
0.02
1
0
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
T
J
,结温(
o
C)
T
J
,结温(
o
C)
图8.漏极至源极导通电阻VS
结温
图9.栅极阈值电压VS结
温度
10
1
g
fs
,跨导( S)
10
8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DS
= 25V
T
J
= 25
o
C
C,电容( NF)
10
0
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
6
4
10
-1
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
0
10
20
30
40
2
10
-2
0
0
5
10
I
D
,漏电流( A)
15
20
V
DS
,漏源极电压( V)
图10.电容VS漏源极电压
图11.跨VS漏极电流
2001仙童半导体公司
BUZ1版本A
BUZ11
典型性能曲线
10
3
I
SD
,源极到漏极电流(A)
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
10
1
除非另有规定编
(续)
15
V
GS
,门源电压( V)
I
D
= 45A
10
2
V
DS
= 10V
10
V
DS
= 40V
5
10
0
10
-1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
SD
,源极到漏极电压( V)
3.0
0
0
10
20
30
Q
g
,栅极电荷( NC)
40
50
图12.源极到漏极二极管电压
图13.栅极至源极电压Vs栅极电荷
测试电路和波形
t
ON
t
D(上)
t
r
R
L
V
DS
90%
t
关闭
t
D(关闭)
t
f
90%
+
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图14.开关时间测试电路
V
DS
(隔离
SUPPLY )
V
DD
同一类型
作为DUT
0.3F
图15.电阻开关波形
当前
调节器
Q
G( TOT )
Q
gd
Q
gs
12V
电池
0.2F
V
GS
50k
D
V
DS
G
DUT
0
I
G( REF )
0
I
G
当前
采样
电阻器
S
V
DS
I
D
当前
采样
电阻器
I
G( REF )
0
图16.栅极电荷测试电路
图17.门充电波形
2001仙童半导体公司
BUZ1版本A
BUZ11
数据表
1999年6月
网络文件编号
2253.2
30A , 50V , 0.040 Ohm的N通道功率
MOSFET
[ /标题
(BUZ1
1)
/子
拍摄对象
(30A,
50V,
0.040
欧姆,
N-
NEL
动力
MOSFET导
FET)
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
(跨
SIL
Corpo-
比,
N-
NEL
动力
MOSFET导
场效应管,
TO -
220AB
)
/ Cre-
员( )
/ DOCI
NFO
PDF-
标志
这是一个N沟道增强型硅栅功率
音响场效晶体管设计的应用程序,例如
开关稳压器,开关转换器,电机驱动器,
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高速,低栅极驱动电源。
这种类型的可以直接从集成电路来操作。
以前发育类型TA9771 。
特点
30A , 50V
r
DS ( ON)
= 0.040
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
BUZ11
TO-220AB
BRAND
BUZ11
注:订货时,使用整个零件编号。
符号
D
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏极(法兰)
2001仙童半导体公司
BUZ1版本A
BUZ11
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
BUZ11
漏极至源极击穿电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20k
) (注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
T
C
= 30
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲(注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
连续漏电流
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
DIN湿度类别 - DIN 40040 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
IEC气候类别 - DIN IEC 68-1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
50
50
30
120
±
20
75
0.6
-55到150
E
55/150/56
300
260
o
C
o
C
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
测试条件
I
D
= 250
A,V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安(图9)
T
J
= 25
o
C,V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
T
J
= 125
o
C,V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
门源漏电流
漏极至源极导通电阻(注2 )
正向跨导(注2 )
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS ( ON)
政府飞行服务队
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中,f = 1MHz的(图10)
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
I
D
= 15A ,V
GS
= 10V (图8)
V
DS
= 25V ,我
D
= 15A (图11)
V
CC
= 30V ,我
D
3A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 50
,
R
L
= 10
50
2.1
-
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
3
20
100
10
0.03
8
30
70
180
130
1500
750
250
1.67
75
最大
-
4
250
1000
100
0.04
-
45
110
230
170
2000
1100
400
单位
V
V
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项:
2.脉冲测试:脉冲宽度
300毫秒,占空比
2%.
3.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线(图3 ) 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD
t
rr
Q
RR
T
C
= 25
o
C
T
C
= 25
o
C
T
J
= 25
o
C,我
SD
= 60A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25
o
C,我
SD
= 30A ,二
SD
/ DT = 100A /
s,
V
R
= 30V
测试条件
-
-
-
-
-
典型值
-
-
1.7
200
0.25
最大
30
120
2.6
-
-
单位
A
A
V
ns
C
2001仙童半导体公司
BUZ1版本A
BUZ11
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
,漏电流( A)
30
0.8
除非另有规定编
40
V
GS
> 10V
0.6
0.4
20
10
0.2
0
0
25
50
75
100
T
A
,外壳温度(
o
C)
125
150
0
0
50
100
T
C
,外壳温度(
o
C)
150
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
ψJC ,
瞬态热阻抗
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
0.1
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
吨,矩形脉冲持续时间( S)
10
0
10
1
t
1
t
2
0.01
10
-5
10
-4
图3.最大瞬态热阻抗
10
3
操作在此
面积可能有限
由R
DS ( ON)
10
2
2.5s
10s
100s
10
1
1ms
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
单脉冲
10
1
V
DS
,漏源极电压( V)
10ms
100ms
DC
10
2
60
P
D
= 75W
50
I
D
,漏电流( A)
10V
40
30
20
10
0
V
GS
= 8.0V
V
GS
= 7.5V
V
GS
= 7.0V
V
GS
= 6.5V
V
GS
= 6.0V
V
GS
= 5.5V
V
GS
= 5.0V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏源极电压( V)
6
V
GS
= 20V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
I
D
,漏电流( A)
10
0
10
0
图4.正向偏置安全工作区
图5.输出特性
2001仙童半导体公司
BUZ1版本A
BUZ11
典型性能曲线
I
DS (ON ) ,
漏源电流(A )
20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DS
= 25V
除非另有规定编
(续)
0.15
r
DS ( ON)
,通态电阻( Ω )
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 5V
5.5V
6V
6.5V
7V
7.5V
8V
9V
10V
20V
15
0.10
10
0.05
5
0
0
1
3
4
5
6
V
GS
,门源电压( V)
2
7
8
0
0
20
40
I
D
,漏电流( A)
60
图6.传热特性
图7.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
V
GS ( TH)
,栅极阈值电压( V)
0.08
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
I
D
= 15A ,V
GS
= 10V
0.06
4
V
DS
= V
GS
I
D
= 1毫安
r
DS ( ON)
,漏极到源极
导通电阻( Ω )
3
0.04
2
0.02
1
0
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
T
J
,结温(
o
C)
T
J
,结温(
o
C)
图8.漏极至源极导通电阻VS
结温
图9.栅极阈值电压VS结
温度
10
1
g
fs
,跨导( S)
10
8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DS
= 25V
T
J
= 25
o
C
C,电容( NF)
10
0
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
6
4
10
-1
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
0
10
20
30
40
2
10
-2
0
0
5
10
I
D
,漏电流( A)
15
20
V
DS
,漏源极电压( V)
图10.电容VS漏源极电压
图11.跨VS漏极电流
2001仙童半导体公司
BUZ1版本A
BUZ11
典型性能曲线
10
3
I
SD
,源极到漏极电流(A)
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
10
1
除非另有规定编
(续)
15
V
GS
,门源电压( V)
I
D
= 45A
10
2
V
DS
= 10V
10
V
DS
= 40V
5
10
0
10
-1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
SD
,源极到漏极电压( V)
3.0
0
0
10
20
30
Q
g
,栅极电荷( NC)
40
50
图12.源极到漏极二极管电压
图13.栅极至源极电压Vs栅极电荷
测试电路和波形
t
ON
t
D(上)
t
r
R
L
V
DS
90%
t
关闭
t
D(关闭)
t
f
90%
+
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图14.开关时间测试电路
V
DS
(隔离
SUPPLY )
V
DD
同一类型
作为DUT
0.3F
图15.电阻开关波形
当前
调节器
Q
G( TOT )
Q
gd
Q
gs
12V
电池
0.2F
V
GS
50k
D
V
DS
G
DUT
0
I
G( REF )
0
I
G
当前
采样
电阻器
S
V
DS
I
D
当前
采样
电阻器
I
G( REF )
0
图16.栅极电荷测试电路
图17.门充电波形
2001仙童半导体公司
BUZ1版本A
BUZ11
数据表
1999年6月
文件编号2253.2
30A , 50V , 0.040 Ohm的N通道功率
MOSFET
这是一个N沟道增强型硅栅功率
音响场效晶体管设计的应用程序,例如
开关稳压器,开关转换器,电机驱动器,
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高速,低栅极驱动电源。
这种类型的可以直接从集成电路来操作。
以前发育类型TA9771 。
特点
30A , 50V
r
DS ( ON)
= 0.040
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
BUZ11
TO-220AB
BRAND
BUZ11
注:订货时,使用整个零件编号。
符号
D
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏极(法兰)
4-5
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
BUZ11
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
BUZ11
50
50
30
120
±20
75
0.6
-55到150
E
55/150/56
300
260
o
C
o
C
漏极至源极击穿电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ时)(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流T
C
= 30
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲(注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
DIN湿度类别 - DIN 40040 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
IEC气候类别 - DIN IEC 68-1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安(图9)
T
J
= 25
o
C,V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
T
J
= 125
o
C,V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
门源漏电流
漏极至源极导通电阻(注2 )
正向跨导(注2 )
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS ( ON)
政府飞行服务队
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中,f = 1MHz的(图10)
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
I
D
= 15A ,V
GS
= 10V (图8)
V
DS
= 25V ,我
D
= 15A (图11)
V
CC
= 30V ,我
D
3A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 50,
R
L
= 10
50
2.1
-
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
3
20
100
10
0.03
8
30
70
180
130
1500
750
250
1.67
75
最大
-
4
250
1000
100
0.04
-
45
110
230
170
2000
1100
400
单位
V
V
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项:
2.脉冲测试:脉冲宽度
300毫秒,占空比
2%.
3.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线(图3 ) 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD
t
rr
Q
RR
T
C
= 25
o
C
T
C
= 25
o
C
T
J
= 25
o
C,我
SD
= 60A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25
o
C,我
SD
= 30A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的,
V
R
= 30V
测试条件
-
-
-
-
-
典型值
-
-
1.7
200
0.25
最大
30
120
2.6
-
-
单位
A
A
V
ns
C
4-6
BUZ11
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
,漏电流( A)
30
0.8
除非另有规定编
40
V
GS
> 10V
0.6
0.4
20
10
0.2
0
0
25
50
75
100
T
A
,外壳温度(
o
C)
125
150
0
0
50
100
T
C
,外壳温度(
o
C)
150
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
ψJC ,
瞬态热阻抗
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
0.1
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
吨,矩形脉冲持续时间( S)
10
0
10
1
t
1
t
2
0.01
10
-5
10
-4
图3.最大瞬态热阻抗
10
3
操作在此
面积可能有限
由R
DS ( ON)
10
2
2.5s
10s
100s
10
1
1ms
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
单脉冲
10
1
V
DS
,漏源极电压( V)
10ms
100ms
DC
10
2
60
P
D
= 75W
50
I
D
,漏电流( A)
10V
40
30
20
10
0
V
GS
= 8.0V
V
GS
= 7.5V
V
GS
= 7.0V
V
GS
= 6.5V
V
GS
= 6.0V
V
GS
= 5.5V
V
GS
= 5.0V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏源极电压( V)
6
V
GS
= 20V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
I
D
,漏电流( A)
10
0
10
0
图4.正向偏置安全工作区
图5.输出特性
4-7
BUZ11
典型性能曲线
I
DS (ON ) ,
漏源电流(A )
20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DS
= 25V
除非另有规定编
(续)
0.15
r
DS ( ON)
,通态电阻( Ω )
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 5V
5.5V
6V
6.5V
7V
7.5V
8V
9V
10V
20V
15
0.10
10
0.05
5
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
,门源电压( V)
7
8
0
0
20
40
I
D
,漏电流( A)
60
图6.传热特性
图7.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
V
GS ( TH)
,栅极阈值电压( V)
0.08
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
I
D
= 15A ,V
GS
= 10V
0.06
4
V
DS
= V
GS
I
D
= 1毫安
r
DS ( ON)
,漏极到源极
导通电阻( Ω )
3
0.04
2
0.02
1
0
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
T
J
,结温(
o
C)
T
J
,结温(
o
C)
图8.漏极至源极导通电阻VS
结温
图9.栅极阈值电压VS结
温度
10
1
g
fs
,跨导( S)
10
8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DS
= 25V
T
J
= 25
o
C
C,电容( NF)
10
0
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
6
4
10
-1
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
0
10
20
30
40
2
10
-2
0
0
5
10
I
D
,漏电流( A)
15
20
V
DS
,漏源极电压( V)
图10.电容VS漏源极电压
图11.跨VS漏极电流
4-8
BUZ11
典型性能曲线
10
3
I
SD
,源极到漏极电流(A)
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
10
1
除非另有规定编
(续)
15
V
GS
,门源电压( V)
I
D
= 45A
10
2
V
DS
= 10V
10
V
DS
= 40V
5
10
0
10
-1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
SD
,源极到漏极电压( V)
3.0
0
0
10
20
30
Q
g
,栅极电荷( NC)
40
50
图12.源极到漏极二极管电压
图13.栅极至源极电压Vs栅极电荷
测试电路和波形
t
ON
t
D(上)
t
r
R
L
V
DS
90%
t
关闭
t
D(关闭)
t
f
90%
+
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图14.开关时间测试电路
V
DS
(隔离
SUPPLY )
图15.电阻开关波形
当前
调节器
V
DD
同一类型
作为DUT
Q
G( TOT )
Q
gd
Q
gs
D
V
DS
V
GS
12V
电池
0.2F
50k
0.3F
G
DUT
0
I
G( REF )
0
I
G
当前
采样
电阻器
S
V
DS
I
D
当前
采样
电阻器
I
G( REF )
0
图16.栅极电荷测试电路
图17.门充电波形
4-9
BUZ 11
不适用于新设计
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 11
V
DS
50 V
I
D
30 A
R
DS ( ON)
0.04
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1301-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
30
单位
A
I
D
I
Dpuls
120
T
C
= 29 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流,通过限制
T
JMAX
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量,单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
30
1.9
mJ
I
D
= 30 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 15.6 H,
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
14
V
GS
P
合计
±
20
75
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻,片式案例
热电阻,芯片到环境
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
1.67
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
半导体集团
07/96
BUZ 11
不适用于新设计
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
50
-
3
0.1
10
10
0.03
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安,
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
2.1
V
GS =
V
DS ,
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
0.04
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,
I
D
= 19 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 11
不适用于新设计
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
10
17
1000
450
165
-
S
pF
-
1350
680
250
ns
-
15
25
V
DS
2
*
I
D *
R
DS ( ON)最大值,
I
D
= 19 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
55
85
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
-
120
160
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
80
110
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 11
不适用于新设计
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流,脉冲
A
-
-
-
-
1.6
80
0.1
30
120
V
-
1.8
ns
-
-
C
-
-
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 60 A
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 11
不适用于新设计
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数:
V
GS
10 V
32
80
W
A
P
合计
I
D
60
24
50
20
40
16
30
12
20
8
10
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
4
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数:
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
3
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数:
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
I
D
t
= 1.3s
p
Z
thJC
10
2
10
0
/I
D
=
)
on
S(
R
D
10 s
V
D
S
100 s
1毫秒
10
-1
D = 0.50
0.20
10
1
10毫秒
0.10
10
-2
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
0
0
10
DC
10
1
V 10
2
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
07/96
BUZ11
N - CHANNEL 50V - 0.03Ω - 33A TO- 220
的STripFET MOSFET
牛逼YPE
BUZ 11
s
s
s
s
s
V
DSS
50 V
R
DS (O N)
< 0.04
I
D
33 A
典型
DS ( ON)
= 0.03
雪崩坚固的技术
100%的雪崩测试
高电流能力
175
o
C的工作温度
3
1
2
应用
s
大电流,高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
稳压器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电机控制,音频放大器
s
汽车环境(注射,
ABS ,气囊, LAMPDRIVERS ,等等)
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
s TG
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(脉冲)
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
DIN湿度CAT EGORY (DIN 40040 )
IEC CLIMAT IC CAT EG ORY ( DIN IEC 68-1 )
该日期代码为钾或第一个数字标识硅特征本数据表。
价值
50
50
±
20
33
134
90
-65 175
175
E
55/150/56
取消它
V
V
V
A
A
W
o
o
C
C
1999年7月
1/8
BUZ11
热数据
R
THJ -case
R
THJ -amb
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
1.67
62.5
o
o
C / W
C / W
雪崩特性
Symbo升
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
VALU ê
33
200
单位
A
mJ
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
Symbo升
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
50
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
j
= 125 C
o
开( *)
Symbo升
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
V
GS
= 10V
测试刀豆ditions
I
D
= 1毫安
I
D
= 19 A
分钟。
2.1
典型值。
3
0.03
马克斯。
4
0.04
单位
V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试刀豆ditions
V
DS
= 15 V
V
DS
= 25 V
I
D
= 19 A
F = 1 MHz的
V
GS
= 0
分钟。
10
典型值。
17
2100
260
65
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
开关
Symbo升
t
D(上)
t
r
t
(六中)D
t
f
参数
开启时间
上升时间
关断延时T IME
秋季牛逼IME
测试刀豆ditions
V
DD
= 30 V
R
GS
= 50
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
40
200
220
110
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
2/8
BUZ11
电气特性
(续)
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
V
SD
()
t
rr
Q
rr
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
I
SD
= 60 A
I
SD
= 36 A
V
DD
= 30 V
V
GS
= 0
的di / dt = 100 A / μs的
T
j
= 150
o
C
75
0.24
测试刀豆ditions
分钟。
典型值。
马克斯。
33
134
1.8
单位
A
A
V
ns
C
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
安全工作区
热阻抗
3/8
BUZ11
输出特性
传输特性
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/8
BUZ11
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/8
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUZ11
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004005668 复制 点击这里给我发消息 QQ:962143175 复制

电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
BUZ11
FAIRCHILD/仙童
24+
32883
TO220
公司现货,全新原厂原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1275936203 复制 点击这里给我发消息 QQ:1833158415 复制 点击这里给我发消息 QQ:3110308500 复制

电话:029-13289230882
联系人:杨先生
地址:陕西省西安市高新区大寨路/陕西省铜川市耀州新区华夏南道
BUZ11
HARRIS
9727
65
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制

电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
BUZ11
HARRIS
24+
11853
NA
全新原装正品现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BUZ11
FSC/ON
24+
8000
TO220
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ:2942939487 复制

电话:0755-83226745/82584980
联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
BUZ11
HARRIS
21+
8
TO220
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
BUZ11
-
1925+
6523
TO220
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
BUZ11
ST/意法
2403+
6489
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原装现货热卖!十年芯路!坚持!
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电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
BUZ11
SIEMENS
2425+
11280
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进口原装!优势现货!
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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