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BUZ 10 S2
不适用于新设计
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 10 S2
V
DS
60 V
I
D
23 A
R
DS （ ON）
0.07
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1300-A7
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
23
单位
A
I
D
I
Dpuls
92
T
C
= 26 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
23
1.3
mJ
I
D
= 23 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 15.1 H,
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
8
V
GS
P
合计
±
20
75
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
1.67
≤
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
半导体集团
07/96
BUZ 10 S2
不适用于新设计
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
60
-
3
0.1
10
10
0.05
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2.1
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
0.07
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V,
I
D
= 14 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 10 S2
不适用于新设计
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
7
13
650
300
110
-
S
pF
-
820
450
170
ns
-
20
35
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 14 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
40
65
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
80
110
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
60
75
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 10 S2
不适用于新设计
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
1.5
60
0.1
23
92
V
-
1.9
ns
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 46 A
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 10 S2
不适用于新设计
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
24
A
80
W
20
P
合计
I
D
60
18
16
50
14
12
10
40
30
8
6
4
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
2
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C
10
3
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
I
D
10
2
t
= 15.0s
p
Z
thJC
10
0
DS
(o
n)
=
V
DS
/
I
D
100 s
10
-1
D = 0.50
0.20
R
10
1
1毫秒
0.10
10
-2
10毫秒
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
0
0
10
10
1
DC
V 10
2
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
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BLM15BA100SN1B
BU4508DF
BR1006S
BL8509-280
BZX585-B18
BRT23F-X007
BFG17A
B41252A7568M000
B59830C0080A070
B41866C6397M001
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUZ10S2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
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BUZ10S2
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BUZ10S2
INFINEON/英飞凌
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BUZ10S2
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