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初步数据
BUZ 1 S
SPP22N05
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
dv / dt的额定
175 ° C工作温度
销1
G
TYPE
BUZ 1 S
销2
D
3脚
S
V
DS
55 V
I
D
22 A
R
DS （ ON）
0.06
包
的TO-220 AB
订购代码
Q67040-S4013-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
22
16
单位
A
I
D
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
漏电流脉冲
I
Dpuls
88
T
C
= 25 °C
雪崩能量，单脉冲
E
AS
90
mJ
I
D
= 22 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 372 H,
T
j
= 25 °C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
AR
E
AR
dv / dt的
22
5.5
A
mJ
KV / μs的
I
S
= 22 A,
V
DS
= 40 V ，二
F
/ DT = 200 A / μs的
T
JMAX
= 175 °C
门源电压
功耗
6
V
GS
P
合计
±
20
55
V
W
T
C
= 25 °C
半导体集团
1
04/Nov/1997
初步数据
BUZ 1 S
SPP22N05
最大额定值
参数
工作温度
储存温度
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
符号
值
-55 ... + 175
-55 ... + 175
≤
2.7
≤
62
55 / 175 / 56
K / W
单位
°C
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
55
-
3
-
0.1
-
10
0.04
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2.1
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 40 A
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
-
0.1
1
100
A
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= -40 °C
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
0.06
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V,
I
D
= 16 A
半导体集团
2
04/Nov/1997
初步数据
BUZ 1 S
SPP22N05
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
7
-
490
170
95
-
S
pF
-
615
215
120
ns
-
10
15
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 16 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 22 A
R
G
= 19.6
上升时间
t
r
-
25
38
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 22 A
R
G
= 19.6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
20
30
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 22 A
R
G
= 19.6
下降时间
t
f
-
20
0.5
13
17
5.9
30
nC
-
0.75
20
26
V
-
3
-
04/Nov/1997
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 22 A
R
G
= 19.6
栅极电荷的门槛
Q
G（ TH ）
Q
g(7)
-
V
DD
= 40 V,
I
D
= 0.1 A,
V
GS
= 0到1伏
栅极电荷为7.0 V
V
DD
= 40 V,
I
D
= 22 A,
V
GS
= 0到7V的
栅极电荷总量
Q
克（总量）
-
V
DD
= 40 V,
I
D
= 22 A,
V
GS
= 0到10伏
栅极电压平台
V
（高原）
V
DD
= 40 V,
I
D
= 22 A
半导体集团
初步数据
BUZ 1 S
SPP22N05
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
1.2
55
0.12
22
88
V
-
1.8
ns
-
85
C
-
0.18
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 44 A
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
04/Nov/1997
初步数据
BUZ 1 S
SPP22N05
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
24
A
20
60
W
50
P
合计
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
I
D
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
T
C
T
C
半导体集团
5
04/Nov/1997
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推荐型号
B41458B7109M000
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BC238C
BZX384
BD4740G
BS62LV1023JI
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B82462A2682M000
B25355L2316K001
B84143-G-R110
BAS581-02V-V-G-08
BL8560-ACRD
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