【BUZ 10不适用于新设计SIPMOS功率晶体管 N沟道增强型雪崩额定值销1G销2D3脚STYPEB】,IC型号BUZ10,BUZ10 PDF资料,BUZ10经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BUZ 10

不适用于新设计

SIPMOS

功率晶体管

N沟道

增强型

雪崩额定值

销1

G

销2

D

3脚

S

TYPE

BUZ 10

V

DS

50 V

I

D

23 A

R

DS （ ON）

0.07

包

的TO-220 AB

订购代码

C67078-S1300-A2

最大额定值

参数

连续漏电流

符号

值

23

单位

A

I

D

I

Dpuls

92

T

C

= 26 °C

漏电流脉冲

T

C

= 25 °C

雪崩电流，通过限制

T

JMAX

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

AR

E

AR

E

AS

23

1.3

mJ

I

D

= 23 A,

V

DD

= 25 V,

R

GS

= 25

L

= 15.1 H,

T

j

= 25 °C

门源电压

功耗

8

V

GS

P

合计

±

20

75

V

W

T

C

= 25 °C

工作温度

储存温度

热电阻，片式案例

热电阻，芯片到环境

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

半导体集团

T

j

T

英镑

R

thJC

R

thJA

-55 ... + 150

-55 ... + 150

≤

1.67

≤

75

E

55 / 150 / 56

°C

K / W

1

07/96

BUZ 10

不适用于新设计

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

50

-

3

0.1

10

10

0.05

-

4

V

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安，

T

j

= 25 °C

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

2.1

V

GS =

V

DS ，

I

D

= 1毫安

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

-

1

100

A

V

DS

= 50 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= 50 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

-

100

nA

-

0.07

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

V

GS

= 10 V,

I

D

= 14 A

半导体集团

2

07/96

BUZ 10

不适用于新设计

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

跨

值

典型值。

马克斯。

单位

g

fs

7

13

650

300

110

-

S

pF

-

820

450

170

ns

-

20

35

V

DS

≥

2

*

I

D *

R

DS （ ON）最大值，

I

D

= 14 A

输入电容

C

国际空间站

C

OSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

C

RSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

t

D（上）

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A

R

GS

= 50

上升时间

t

r

-

40

65

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A

R

GS

= 50

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

80

110

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A

R

GS

= 50

下降时间

t

f

-

60

75

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A

R

GS

= 50

半导体集团

3

07/96

BUZ 10

不适用于新设计

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

T

C

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

A

-

-

-

-

1.5

60

0.1

23

92

V

-

1.9

ns

-

-

C

-

-

值

典型值。

马克斯。

单位

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

T

C

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

GS

= 0 V,

I

F

= 46 A

反向恢复时间

V

R

= 30 V,

I

F=

l

S,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

V

R

= 30 V,

I

F=

l

S,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

半导体集团

4

07/96

BUZ 10

不适用于新设计

功耗

P

合计

=

(T

C

)

漏电流

I

D

=

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

24

A

80

W

20

P

合计

I

D

60

18

16

50

14

12

10

40

30

8

6

4

20

10

0

0

2

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

C

T

C

安全工作区

I

D

=

(V

DS

)

参数：

D

= 0.01,

T

C

= 25°C

10

3

瞬态热阻抗

Z

日JC

=

(t

p

)

参数：

D =吨

p

/

T

10

1

K / W

A

I

D

10

2

t

= 2.9s

p

10 s

Z

thJC

10

0

/I

D

=

)

on

S(

R

D

1毫秒

V

D

S

100 s

10

-1

D = 0.50

0.20

0.10

10

-2

0.05

0.02

单脉冲

0.01

10

1

10毫秒

10

0

0

10

DC

10

1

V 10

2

10

-3

-7

10

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

s 10

0

V

DS

t

p

半导体集团

5

07/96

BUZ10

N - CHANNEL 50V - 0.06Ω - 23A TO- 220

的STripFET MOSFET

牛逼YPE

BUZ 10

s

s

s

s

s

V

DSS

50 V

R

DS （O N）

< 0.07

I

D

23 A

典型

DS （ ON）

= 0.06

雪崩坚固的技术

100％的雪崩测试

高电流能力

175

o

C的工作温度

3

1

2

应用

s

大电流，高开关速度

s

电磁阀和继电器驱动器

s

稳压器

s

DC-DC & DC- AC转换器

s

电机控制，音频放大器

s

汽车环境（注射，

ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）

TO-220

内部原理图

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

合计

T

s TG

T

j

参数

漏源电压（V

GS

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

GS

= 20 k)

摹吃 - 源极电压

漏电流（连续）在T

c

= 25

o

C

漏电流（脉冲）

牛逼otal耗散在T

c

= 25

o

C

储存温度

马克斯。工作结温

DIN湿度CAT EGORY （DIN 40040 ）

IEC CLIMAT IC CAT EG ORY （ DIN IEC 68-1 ）

该日期代码为钾或第一个数字标识硅特征本数据表。

价值

50

50

±

20

23

92

75

-65 175

175

E

55/150/56

取消它

V

V

V

A

A

W

o

o

C

C

2000年2月

1/8

BUZ10

热数据

R

THJ -case

R

THJ -amb

热阻结案件

热阻结到环境

最大

最大

2.0

62.5

o

o

C / W

C / W

雪崩特性

Symbo升

I

AR

E

AS

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度限制T

j

最大，

δ

＆ LT ; 1％）的

单脉冲雪崩能量

（起始物为

j

= 25

o

C，我

D

= I

AR

, V

DD

= 30 V)

VALU ê

10

150

单位

A

mJ

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

关闭

Symbo升

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

参数

漏源

击穿电压

测试刀豆ditions

I

D

= 250

A

V

GS

= 0

分钟。

50

1

10

±

100

典型值。

马克斯。

单位

V

A

A

nA

V

DS

=最大额定值

零栅极电压

漏电流（V

GS

= 0) V

DS

=最大额定值

门体漏

电流（V

DS

= 0)

V

GS

=

±

20 V

T

j

= 125 C

o

开（ *）

Symbo升

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压V

DS

= V

GS

静态漏源

阻力

V

GS

= 10V

测试刀豆ditions

I

D

= 1毫安

I

D

= 14 A

分钟。

2.1

典型值。

3

0.06

马克斯。

4

0.07

单位

V

动态

Symbo升

g

F小号

()

C

国际空间站

C

OS s

C

RSS

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试刀豆ditions

V

DS

= 25 V

V

DS

= 25 V

I

D

= 14 A

F = 1 MHz的

V

GS

= 0

分钟。

6

典型值。

11

900

130

40

马克斯。

单位

S

pF

pF

pF

开关

Symbo升

t

D（上）

t

r

t

（六中）D

t

f

参数

开启时间

上升时间

关断延时T IME

秋季牛逼IME

测试刀豆ditions

V

DD

= 30 V

R

GS

= 4.7

I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V

分钟。

典型值。

20

45

48

10

马克斯。

单位

ns

ns

ns

ns

2/8

BUZ10

电气特性

（续）

源漏二极管

Symbo升

I

SD

I

SDM

V

SD

()

t

rr

Q

rr

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

反向恢复

时间

反向恢复

收费

I

SD

= 46 A

V

GS

= 0

50

0.17

I

SD

=三条的di / dt = 100 A / μs的

V

DD

= 30 V T，

j

= 150

o

C

测试刀豆ditions

分钟。

典型值。

马克斯。

23

92

1.9

单位

A

A

V

ns

C

（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比1.5 ％

安全工作区

热阻抗

3/8

BUZ10

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/8

BUZ10

归栅极阈值电压VS

温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

5/8

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-

-

-

-

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BUZ10

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-

-

-

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21000

N

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STMicroelectronics

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10000

TO-220

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ST

2443+

23000

TO-220

一级代理专营，原装现货，价格优势

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ST/意法

24+

8640

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全新原装现货，原厂代理。

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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25+23+

25500

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SEI/正品

13+

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ST/意法

22+

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ST/意法

2024

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