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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
高
集电极电流-I
C
= 1
.5A
高
集电极 - 发射极电压 - 可持续
: V
CEO （ SUS ）
= 300V （最小值）
高
开关速度
应用
·设计
用于快速开关应用中使用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BUX99
参数
集电极 - 发射极电压
V
BE
= 0
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
发射极电流连续
发射极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
730
300
12
1.5
3
0.75
1.5
2.25
4.5
28
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
I
E
I
EM
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
4.5
100
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CES
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
输出电容
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0; L = 25mH
I
C
= 0.2A ;我
B
= 20mA下
I
C
= 0.2A ;我
B
= 20mA下
V
CE
= 400V;V
BE
= 0
V
CE
= 730V;V
BE
= -1.5V
V
CE
= 730V;V
BE
= -1.5V ;吨
J
=100℃
V
EB
= 12V ;我
C
= 0
I
C
= 10毫安; V
CE
= 2V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
I
E
= 0; V
CB
= 10V ，女
TEST
= 1MHz的
10
16
4
12
民
300
典型值。
BUX99
最大
单位
V
2
1
5
50
250
1
V
V
μA
μA
mA
42
兆赫
pF
开关时间
t
英镑
t
f
贮存时间
I
C
= 1A ，V
CC
= 250V,
I
B1
= 20mA下;我
B2
= -40mA
下降时间
0.8
2
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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B32325-A1355
B82475A1224K000
B7713
B-36-9
B37540K5102J062
BZV55-C2V7/T1
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    BUX99
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    -
    -
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全新原装现货，原厂代理。
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