BUX80
高压硅NPN功率晶体管
s
s
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPE
NPN晶体管
开关速度快
应用
s
开关稳压器
s
电机控制
s
高频工作功率
转换器
1
2
TO-3
描述
该BUX80是硅multiepitaxial台面的NPN
晶体管JEDEC的TO - 3金属外壳，特别是
用于变频器，逆变器，开关
稳压器
和
汽车
控制
系统
应用程序。
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0)
集电极 - 发射极电压（R
BE
= 50)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（ IC = 0 ）
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
在T总功率耗散
例
储存温度
最大工作结温
≤
40 C
o
价值
800
500
400
10
10
15
5
100
-65到150
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
1997年6月
1/4
BUX80
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
1.1
o
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 800 V
V
CE
= 800 V
V
BE
= 10 V
I
C
= 100毫安
400
T
例
= 125 C
o
分钟。
典型值。
马克斯。
1
3
10
单位
mA
mA
mA
V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
SustainingVoltage
(I
B
= 0)
V
CER （ SUS）
集电极 - 发射极
维持
电压（R
BE
= 50
)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
t
on
t
s
t
f
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 100毫安
500
V
I
C
= 5 A
I
C
= 8 A
I
C
= 5 A
I
C
= 8 A
I
C
= 1.2 A
I
C
= 5 A
V
CC
= 250 V
I
C
= 5 A
I
B2
= - 2 A
I
C
= 5 A
I
B2
= - 2 A
I
B
= 1 A
I
B
= 2.5 A
I
B
= 1 A
I
B
= 2.5 A
V
CE
= 5 V
I
B1
= 1 A
I
B1
= 1 A
V
CC
= 250 V
I
B1
= 1 A
V
CC
= - 250 V
30
1.5
3
1.4
1.8
V
V
V
V
0.5
3.5
0.5
s
s
s
脉冲：脉冲持续时间= 300μS ，占空比= 1.5 ％
2/4
BUX80
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
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1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
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新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
...
4/4
功率晶体管
TO- 3案（续）
型号
IC
(A)
最大
15
15
PD
(W)
175
175
125
125
125
125
100
100
100
100
120
120
120
120
60
60
60
150
150
125
125
125
175
175
175
150
120
120
125
175
100
100
100
BVCBO
(V)
民
350
450
45
60
80
100
45
60
80
100
40
60
80
100
120
100
80
1,500
1,500
500
800
900
500
800
900
250
400
450
850
850
800
1,000
800
BVCEO
(V)
民
300
400
45
60
80
100
45
60
80
100
40
60
80
100
100
80
60
700
700
400
400
450
400
400
450
200
325
400
400
400
400
400
325
的hFE
* TYP
民
8.0
8.0
20
20
20
20
750
750
750
750
750
750
750
750
30
30
30
--
--
--
--
--
--
--
--
20
15
15
--
--
30*
15
15
最大
20
20
150
150
150
150
18,000
18,000
18,000
18,000
18,000
18,000
18,000
18,000
120
120
120
--
--
--
--
--
--
--
--
60
60
45
--
--
--
--
--
@ IC VCE （ SAT ）
(A)
--
--
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
4.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
5.0
5.0
5.0
--
--
--
--
--
--
--
--
6.0
3.0
2.0
--
--
1.2
2.5
2.5
(V)
最大
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
4.0
4.0
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
3.0
1.5
1.5
1.0
5.0
1.0
1.5
1.5
1.5
3.0
1.5
1.5
1.5
1.6
2.0
3.0
5.0
3.0
3.3
3.3
@ IC
(A)
15
15
10
10
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
12
12
12
12
10
10
10
4.5
4.5
5.0
5.0
5.0
10
10
10
12
5.0
4.0
9.0
15
8.0
8.0
8.0
NPN
2N6674
2N6675
BDW51
BDW51A
BDW51B
BDW51C
BDX85
BDX85A
BDX85B
BDX85C
BDX87
BDX87A
BDX87B
BDX87C
BDY90
BDY91
BDY92
BU208
BU208A
BUW34
BUW35
BUW36
BUW44
BUW45
BUW46
BUX11
BUX43
BUX44
BUX47
BUX48
BUX80
BUY69A
BUY69B
PNP
fT
* TYP
（兆赫）
民
15
15
3.0
3.0
3.0
3.0
10*
10*
10*
10*
20*
20*
20*
20*
70*
70*
70*
7.0*
7.0*
--
--
--
--
--
--
8.0
8.0
8.0
--
--
--
10*
10*
BDW52
BDW52A
BDW52B
BDW52C
BDX86
BDX86A
BDX86B
BDX86C
BDX88
BDX88A
BDX88B
BDX88C
15
15
15
15
10
10
10
10
12
12
12
12
10
10
10
8.0
8.0
10
10
10
15
15
15
20
10
8.0
9.0
15
10
10
10
84
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
BUX80
机械数据
尺寸mm （英寸）
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
HIGH CURRENT
高速
高功率
硅NPN平面
晶体管
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
22.23
(0.875)
马克斯。
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
应用
该BUX80是外延硅NPN平面晶体管
具有高电流和高功率处理能力和
高开关速度。
此设备尤其适合于切换控制
放大器，电源门控，开关稳压器，电源开关
荷兰国际集团的电路转换器，逆变器和控制电路。
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
TO- 204AA （TO- 3）
引脚1 - 基地
PIN 2 - 发射极
情况是收藏家。
绝对最大额定值
(T
j
= 25 ° C除非另有说明）
V
CES
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
J
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功率耗散T
例
= 40°C
存储温度范围
最高结温
V
BE
= 0
R
BE
= 50
I
B
= 0
I
C
= 0
800V
500V
400V
10V
10A
15A
5A
100W
-65到+ 150°C
+150°C
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号6049
第1期
BUX80
电气特性
（ TJ = 25 ° C除非另有说明）
参数
V
CEO （ BR ）
V
CER （ BR ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （SAT） *
I
EBO
h
FE
t
on
t
s
t
f
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极
饱和电压
基地 - 发射极
饱和电压
发射极截止电流
直流电流增益
开启时间
贮存时间
下降时间
测试条件
I
C
= 100毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 5A
I
C
= 8A
I
C
= 5A
I
C
= 8A
I
C
= 0
I
C
= 1.2A
I
C
= 5A
I
B1
=1A
I
C
= 5A
I
B1
=1A
I
B
= 0
R
BE
= 50
I
B
= 1A
I
B
= 2.5A
I
B
= 1A
I
B
= 2.5A
V
BE
= 10V
V
CE
= 5V
V
CC
= 250V
I
B2
= -2A
V
CC
=-250V
I
B2
= -2A
分钟。
400
500
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V
1.5
3
1.4
1.8
10
mA
—
0.5
3.5
0.5
s
s
V
30
热特性
R
日J- MB
热阻结到外壳
1.1
° C / W
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号6049
第1期
NPN BUX80
大电流，高转速，高功率
晶体管
该BUX80是硅multiepitaxial平面NPN晶体管JEDEC的TO - 3 。
它们被设计用于在转换器，逆变器，开关调节器和电动机控制系统
应用程序。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CER
V
EBO
V
CES
I
C
I
CM
I
B
P
t
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
评级
I
B
= 0
R
BE
= 50
I
C
= 0
V
BE
= 0
t
p
= 10ms的
@ T
C
= 40°
价值
400
500
10
800
10
15
5
100
150
-65到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
瓦
°C
°C
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻，结到外壳
价值
1.1
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CER
I
EBO
I
CES
评级
集电极 - 发射极
维持电压（ 1）
集电极 - 发射极
维持电压（ 1）
发射Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
I
C
-100毫安
测试条件（S ）
最小典型单位的Mx
400
500
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
1
3
V
V
mA
mA
I
C
= 100毫安，
R
BE
= 50
V
CE
= 10 V，I
C
=0
V
CE
= V
CES
, V
BE
= 0
V
CE
= V
CES
, V
BE
= 0, T
例
= 125°C
半导体COMSET
1/2
NPN BUX80
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
直流电流增益（ 1 ）
集电极 - 发射极
饱和电压（ 1）
基射极饱和
电压（1）
I
C
= 1.2 A，V
CE
=5.0 V
I
C
= 5 A，I
B
=1 A
I
C
= 8 A，I
B
=2.5 A
I
C
= 5 A，I
B
=1 A
I
C
= 8 A，I
B
=2.5 A
-
-
-
-
-
30
-
-
-
-
-
1.5
3
1.4
1.8
-
V
符号
t
on
t
s
t
f
评级
开启时间
贮存时间
文件时间
测试条件（S ）二段
I
C
= 5 A，I
B
= 1 A，V
CC
=250 V
I
C
= 5 A，V
CC
=250 V
I
B1
= 1A ， -I
B2
=2 A
I
C
= 5 A，V
CC
=-250 V
I
B1
= 1A ， -I
B2
=2 A
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
0.5
3.5
0.5
s
（ 1 ）脉冲宽度= 300
s,
占空比< = 1.5 ％
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而， CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果，也没有对可能出现的错误。
资料如有变更，恕不另行通知。
半导体COMSET
3/2
QQ：2881677436 复制
