NPN BUX39
大电流，高转速，高功率
晶体管
该BUX39是硅multiepitaxial平面NPN晶体管JEDEC的TO - 3 。
它们中的开关和在军事及工业设备线性应用目的使用。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CEX
I
C
I
CM
I
B
P
t
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
评级
I
B
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
V
BE
= -1.5V
t
p
= 10ms的
@ T
C
= 25°
价值
90
120
7
120
30
40
6
120
200
-65到+200
单位
V
V
V
V
A
A
A
瓦
°C
°C
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻，结到外壳
价值
1.46
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO （ SUS ）
V
EB0
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
评级
集电极 - 发射极
维持电压（ 1）
发射极 - 基极电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
± 200毫安
测试条件（S ）
最小典型单位的Mx
90
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
5
1
V
V
mA
mA
mA
I
C
= 0A ，我
E
-50毫安
V
CE
= 70 V，I
B
=0A
V
CE
= V
CEX
, V
BE
= -1.5V
V
CE
= V
CEX
, V
BE
= -1.5V ，T
例
= 125°C
V
EB
= 5.0 V，I
C
=0
半导体COMSET
1/2
NPN BUX39
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
直流电流增益（ 1 ）
集电极 - 发射极
饱和电压（ 1）
基射极饱和
电压（1）
I
C
= 12 A，V
CE
=4.0 V
I
C
= 20 A，V
CE
=4.0 V
I
C
= 12 A，I
B
=1.2 A
I
C
= 20 A，I
B
=2.5 A
I
C
= 20 A，I
B
=2.5 A
15
8
-
-
-
-
-
0.7
1.25
2.1
45
-
1.2
1.6
2.5
-
V
符号
I
S / B
f
T
t
on
t
s
t
f
评级
测试条件（S ）二段
最小典型单位的Mx
4
1
8
-
-
-
-
-
-
0.8
0.55
.15
-
-
-
1.2
1
0.25
s
A
兆赫
第二击穿集电极
V
CE
= 30 V ，T
s
= 1s
当前
V
CE
= 135 V，T
s
= 1s
V
CE
= 15 V，I
C
= 1 ， F = 4兆赫
跃迁频率
开启时间
贮存时间
文件时间
I
C
= 8 A，I
B
= 1 A，V
CC
=150 V
I
C
= 8 A，V
CC
=150 V
I
B1
= -I
B2
=1 A
（ 1 ）脉冲宽度= 300
s,
占空比< = 2 ％
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而， CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果，也没有对可能出现的错误。
资料如有变更，恕不另行通知。
半导体COMSET
3/2
LAB
机械数据
尺寸mm （英寸）
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
SEME
BUX39
HIGH CURRENT
高速
高功率
硅NPN平面
晶体管
特点
快速的开启时间 - 1
m
s @我
C
= 15A
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
22.23
(0.875)
马克斯。
高电流能力
应用
该BUX39是外延硅NPN平面
晶体管具有高电流和高功率han-
危及周围能力和高开关速度。
此设备尤其适合于切换控制
放大器，电源门控，开关稳压器，加电
开关电路的转换器，逆变器和控制税务局局长
cuits.Other推荐的应用包括
DC -RF放大器和功率振荡器。
TO- 204AA （TO- 3）
引脚1 - 基地
PIN 2 - 发射极
情况是收藏家。
该BUX39是SEMELAB的保养系列
并
不
建议用于新设计。
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
CEX
V
CER
V
CEO （ SUS ）
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
, T
j
T
L
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极耐受电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗
减免上述25℃
最高结温和存储温度范围
焊接温度
1
/
32
寸（ 0.8mm）的10秒。最大。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
120V
@ V
BE
= –1.5V
@ R
BE
= 100
W
120V
110V
90V
7V
30A
40A
6A
120W
0.68 W / ℃，
-65 ℃100℃
230°C
预赛。 3/94
Semelab PLC 。
LAB
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
CEO （ SUS） *
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
V
CE （SAT） *
V
BE （SAT） *
h
FE *
I
S / B
f
T
t
ON
t
s
t
f
集电极 - 发射极可持续
电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基地 - 发射极
饱和电压
直流电流增益
第二击穿
集电极电流
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 0.2A
L = 25mH
I
C
= 0
V
CE
= 70V
V
CE
= 120V
V
CE
= 120V
T
C
= 125°C
I
C
= 0
I
C
= 12A
I
C
= 20A
I
C
= 20A
I
C
= 12A
I
C
= 20A
V
CE
= 45V
V
CE
= 30V
I
C
= 1A
I
C
= 20A
I
B
= 2.5A
I
C
= 20A
V
CC
= 30V
I
B1
= –I
B2
= 2.5A
V
BE
= –5V
I
B
= 1.2A
I
B
= 2.5A
I
B
= 2.5A
V
CE
= 4V
V
CE
= 4V
T = 1秒
T = 1秒
V
CE
= 15V
V
CC
= 30V
15
8
1
4
8
0.8
0.55
0.15
1.5
1
0.3
0.7
1.25
2.1
V
BE
= –1.5V
V
BE
= –1.5V
I
E
= 50毫安
SEME
BUX39
测试条件
I
B
= 0
分钟。
90
7
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V
1
1
5
1
1.2
1.6
2.5
45
mA
mA
V
V
—
A
兆赫
mA
m
s
热特性
R
q
JC
热阻结到外壳
1.46
° C / W
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
预赛。 3/94
NPN BUX39
大电流，高转速，高
功率晶体管
该BUX39是硅multiepitaxial平面NPN晶体管JEDEC的TO - 3 。
它们旨在用于军事，工业开关和线性应用
设备。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CEX
I
C
I
CM
I
B
P
t
T
J
T
英镑
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
I
B
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
V
BE
= -1.5V
t
p
= 10ms的
@ T
C
= 25°
价值
90
120
7
120
30
40
6
120
200
-65到+200
单位
V
V
V
V
A
A
A
瓦
°C
°C
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻，结到外壳
价值
1.46
单位
° C / W
半导体COMSET
1/3
NPN BUX39
机械数据案例TO- 3
外形尺寸（mm ）
民
A
B
C
D
F
G
N
P
R
U
V
11
0.97
1.5
8.32
19
10.70
16.50
25
4
38.50
30
最大
13.10
1.15
1.65
8.92
20
11.1
17.20
26
4.09
39.30
30.30
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
BASE
辐射源
集热器
修订后的2012年9月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，
恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何与
所有责任，包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的关键
组件生命支持设备或系统。
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26/10/2012
半导体COMSET
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3/3
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