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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
·
集电极 - 发射极电压 - 可持续
: V
CEO （ SUS ）
= 200V （最小） - BUX16
= 250V （最小） - BUX16A
= 300V （最小） - BUX16B
= 350V （最小） - BUX16C
高
功耗
ùWide
安全工作区
应用
·设计
对于串联稳压器，功率放大器使用，
逆变器，偏转电路，开关稳压器和
高压桥式放大器。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
参数
BUX16
V
CBO
集电极 - 基极电压
BUX16A
BUX16B
BUX16C
BUX16
V
CER
集电极 - 发射极电压
R
BE
≤50Ω
BUX16A
BUX16B
BUX16C
BUX16
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压
BUX16A
BUX16B
BUX16C
V
EBO
I
C
I
B
B
BUX16/A/B/C
价值
250
325
375
425
225
300
350
400
200
250
300
350
6
5
2
100
200
-65~200
单位
V
V
V
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流连续
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
V
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.75
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BUX16
BUX16A
I
C
= 200毫安;我
B
= 0
BUX16B
BUX16C
BUX16
BUX16A
I
C
= 200毫安;
BE
≤50Ω
BUX16B
BUX16C
V
EBO
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
BE
（上）
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
BUX16
BUX16A
BUX16B
BUX16C
BUX16/A
I
EBO
发射Cuto FF电流
BUX16B/C
h
FE-1
直流电流增益
BUX16/A
h
FE-2
直流电流增益
BUX16B/C
h
FE-3
C
OB
f
T
直流电流增益
输出电容
电流增益带宽积
I
C
= 4.5A ; V
CE
= 10V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 10V
I
C
= 2A ; V
CE
= 10V
I
C
= 0.4A ; V
CE
= 10V
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
E
= 20mA下;我
C
= 0
I
C
= 2A ;我
B
= 0.25A
B
BUX16/A/B/C
条件
民
200
250
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
300
350
225
300
V
350
400
6
2.5
5.0
3.0
5
8
5
8
2
3
2
3
5.0
mA
2.0
15
15
12
5
150
5
pF
兆赫
130
V
V
V
V
V
CER （ SUS）
集电极 - 发射极
维持电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 1.125A
I
C
= 2A ; V
CE
= 10V
V
CE
= 250V;V
BE
= -1.5V
V
CE
= 250V;V
BE
= -1.5V ;吨
C
= 150℃
V
CE
= 325V;V
BE
= -1.5V
V
CE
= 250V;V
BE
= -1.5V ;吨
C
= 150℃
V
CE
= 375V;V
BE
= -1.5V
V
CE
= 250V;V
BE
= -1.5V ;吨
C
= 150℃
V
CE
= 425V;V
BE
= -1.5V
V
CE
= 250V;V
BE
= -1.5V ;吨
C
= 150℃
I
CEV
集热器
截止目前
mA
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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