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分立半导体
数据表
BUW84 ; BUW85
扩散硅功率晶体管
产品speci fi cation
取代1996年2月数据
在分离式半导体文件， SC06
1997年08月14日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
扩散硅功率晶体管
描述
高压，高速，
玻璃钝化NPN电源
晶体管的SOT82封装。
应用
转换器
逆变器
开关稳压器
电机控制系统
开关应用。
OK ， halfpage
BUW84 ; BUW85
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到安装基座
辐射源
描述
2
1
3
MBB008
1
2
3
MBK107
Fig.1简化外形（ SOT82 ）和符号。
快速参考数据
符号
V
CESM
BUW84
BUW85
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BUW84
BUW85
V
CESAT
I
C
I
CM
P
合计
t
f
集电极 - 发射极饱和电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（峰值）
总功耗
下降时间
I
C
= 1 ;我
B
= 200毫安;见图7
参见图4和图5
参见图4和图5
T
mb
≤
25
°C;
参见图8
电阻性负载;见图11
开基
0.4
400
450
1
2
3
50
V
V
V
A
A
W
s
参数
集电极 - 发射极电压峰值
V
BE
= 0
800
1000
V
V
条件
典型值。
马克斯。
单位
热特性
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
从结热阻安装基座
从结点到环境的热阻在自由空气
价值
2.1
100
单位
K / W
K / W
1997年08月14日
1
飞利浦半导体
产品speci fi cation
扩散硅功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CESM
BUW84
BUW85
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BUW84
BUW85
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（峰值）
基极电流（DC）的
基极电流（峰值）
基极电流（逆转;峰值）关断电流
总功耗
储存温度
结温
T
mb
≤
25
°C;
参见图8
集电极开路
参见图4和图5
t
p
= 2毫秒;参见图4和图5
开基
65
参数
集电极 - 发射极电压峰值
V
BE
= 0
条件
BUW84 ; BUW85
分钟。
马克斯。
800
1000
400
450
5
2
3
0.75
1
1
50
+150
150
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
单位
°C
°C
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
CEOsust
BUW84
BUW85
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.3 A;我
B
= 30毫安;
见图7
I
C
= 1 ;我
B
= 200毫安;
见图7
V
BESAT
I
CES
基射极饱和电压
集电极 - 发射极截止电流
I
C
= 1 ;我
B
= 200毫安
V
CEM
= V
CEMSmax
; V
BE
= 0;
注1
V
CEM
= V
CEMSmax
; V
BE
= 0;
T
j
= 125
°C;
注1
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100毫安;
见图10
f
T
跃迁频率
V
CE
= 10 V ;我
C
= 200毫安;
F = 1 MHz的
参数
集电极 - 发射极电压维持
条件
I
C
= 100毫安;我
B关
= 0;
L = 25 mH的;参见图2和图3
分钟。
400
450
20
典型值。
50
20
马克斯。
0.8
1
1.1
200
1.5
1
100
兆赫
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mA
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5 A;见图10 15
1997年08月14日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
扩散硅功率晶体管
BUW84 ; BUW85
符号
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
s
s
s
s
切换时间在水平挠度电路
（参见图11 ）
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
CON
= 1 ;我
BON
= 200毫安;
I
B关
=
400
毫安; V
CC
= 250 V
I
CON
= 1 ;我
BON
= 200毫安;
I
B关
=
400
毫安; V
CC
= 250 V
I
CON
= 1 ;我
BON
= 200毫安;
I
B关
=
400
毫安; V
CC
= 250 V
I
CON
= 1 ;我
BON
= 200毫安;
I
B关
=
400
毫安; V
CC
= 250 V;
T
mb
= 95
°C
记
1.衡量一个半正弦波电压（波形记录器） 。
0.2
2
0.4
0.5
3.5
1.4
手册， halfpage
+
50 V
100至200
L
I
halfpage
手册，
C
（MA ）
250
200
MGE239
横
示波器
垂直
300
1
MGE252
100
6V
30到60赫兹
0
VCE （ V）
民
VCEOsust
Fig.2
对于集电极 - 发射极的测试电路
维持电压。
Fig.3
示波器显示集电极 - 发射极
维持电压。
1997年08月14日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
扩散硅功率晶体管
BUW84 ; BUW85
手册，全页宽
10
MGB938
IC
(A)
ICM最大
IC最大
(1)
δ
= 0.01
TP =
20
s
1
II
50
s
100
s
200
s
(2)
10
1
500
s
1毫秒
2毫秒
I
5毫秒
10毫秒
DC
10
2
III
IV
10
3
10
10
2
10
3
VCE （ V）
10
4
BUW84.
T
mb
≤
25
°C.
I - 允许的直流操作区。
II - 允许延长重复脉冲操作。
III - 允许经营区时导通的单晶体管转换器，提供
BE
≤
100
和T
p
≤
0.6
s.
IV - 在该地区重复脉冲操作是允许提供V
BE
≤
0和t
p
≤
2毫秒。
(1) P
TOT最大
线。
（2）第二击穿极限。
图4正向偏置飙升。
1997年08月14日
4
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