【功率晶体管TO- 3案（续）型号IC(A)最大1515PD(W)175175125125125125】,IC型号BUW36,BUW36 PDF资料,BUW36经销商,ic,电子元器件-51电子网

功率晶体管

TO- 3案（续）

型号

IC

(A)

最大

15

PD

(W)

175

125

100

120

60

150

125

175

150

120

125

175

100

BVCBO

(V)

民

350

450

45

60

80

100

45

60

80

100

40

60

80

100

120

100

80

1,500

500

800

900

500

800

900

250

400

450

850

800

1,000

800

BVCEO

(V)

民

300

400

45

60

80

100

45

60

80

100

40

60

80

100

80

60

700

400

450

400

450

200

325

400

325

的hFE

* TYP

民

8.0

20

750

30

--

20

15

--

30*

15

最大

20

150

18,000

120

--

60

45

--

@ IC VCE （ SAT ）

(A)

--

5.0

4.0

6.0

5.0

--

6.0

3.0

2.0

--

1.2

2.5

(V)

最大

5.0

3.0

4.0

3.0

1.5

1.0

5.0

1.0

1.5

3.0

1.5

1.6

2.0

3.0

5.0

3.0

3.3

@ IC

(A)

15

10

8.0

12

10

4.5

5.0

10

12

5.0

4.0

9.0

15

8.0

NPN

2N6674

2N6675

BDW51

BDW51A

BDW51B

BDW51C

BDX85

BDX85A

BDX85B

BDX85C

BDX87

BDX87A

BDX87B

BDX87C

BDY90

BDY91

BDY92

BU208

BU208A

BUW34

BUW35

BUW36

BUW44

BUW45

BUW46

BUX11

BUX43

BUX44

BUX47

BUX48

BUX80

BUY69A

BUY69B

PNP

fT

* TYP

（兆赫）

民

15

3.0

10*

20*

70*

7.0*

--

8.0

--

10*

BDW52

BDW52A

BDW52B

BDW52C

BDX86

BDX86A

BDX86B

BDX86C

BDX88

BDX88A

BDX88B

BDX88C

15

10

12

10

8.0

10

15

20

10

8.0

9.0

15

10

84

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

BUW36

尺寸以毫米（英寸）。

25.15 (0.99)

26.67 (1.05)

10.67 (0.42)

11.18 (0.44)

1.52 (0.06)

3.43 (0.135)

6.35 (0.25)

9.15 (0.36)

在一个双极NPN器件

密封TO3

金属包装。

38.61 (1.52)

39.12 (1.54)

1.47 (0.058)

1.60 (0.063)

29.9 (1.177)

30.4 (1.197)

16.64 (0.655)

17.15 (0.675)

1

2

3

（案例）

3.84 (0.151)

4.09 (0.161)

7.92 (0.312)

12.70 (0.50)

TO3 （ TO204AE ）

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

案例 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

22.23

(0.875)

马克斯。

分钟。

典型值。

马克斯。

900

10

单位

V

A

-

Hz

@ 5/5 (V

CE

/ I

C

)

8

120

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

产生

1-Aug-02

BUW36

尺寸以毫米（英寸）。

25.15 (0.99)

26.67 (1.05)

10.67 (0.42)

11.18 (0.44)

1.52 (0.06)

3.43 (0.135)

6.35 (0.25)

9.15 (0.36)

在一个双极NPN器件

密封TO3

金属包装。

38.61 (1.52)

39.12 (1.54)

1.47 (0.058)

1.60 (0.063)

29.9 (1.177)

30.4 (1.197)

16.64 (0.655)

17.15 (0.675)

1

2

3

（案例）

3.84 (0.151)

4.09 (0.161)

7.92 (0.312)

12.70 (0.50)

TO3 （ TO204AE ）

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

案例 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

22.23

(0.875)

马克斯。

分钟。

典型值。

马克斯。

900

10

单位

V

A

-

Hz

@ 5/5 (V

CE

/ I

C

)

8

120

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

产生

1-Aug-02

BUW34

BUW35

BUW36

NPN硅

功率晶体管

中央

TM

半导体公司

描述：

中央半导体BUW34 ， BUW35 ，

和BUW36类型的硅NPN功率晶体管

设计用于高电压，快速开关应用。

标记：全部型号

TO- 3 CASE

最大额定值：

（ TC = 25° C除非另有说明）

符号

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

功耗

工作和存储结温

热阻

VCES

VCEO

VEBO

IC

IB

PD

TJ ， TSTG

Θ

JC

BUW34

500

400

BUW35

800

400

7.0

10

5.0

125

-65到+200

1.4

BUW36

900

450

单位

V

A

W

°C

° C / W

电气特性：

（ TC = 25° C除非另有说明）

符号

测试条件

民

冰

IEBO

BVCEO

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

的hFE

吨

花花公子

VCE =额定VCES

VCE =额定VCES ， TC = 125°C

VEB=7.0V

IC = 100毫安（ BUW34 ， BUW35 ）

IC = 100毫安（ BUW36 ）

IC=5.0A,

IC=8.0A,

IC=5.0A,

IB=1.0A

IB = 2.5A （ BUW35 ）

IB = 2.5A （ BUW36 ）

IB=1.0A

15

400

450

最大

500

3

1

单位

μA

mA

V

1.5

3.0

1.5

1.8

0.7

3.8

V

μs

IC = 8.0A ， IB = 2.5A （ BUW35 ， BUW36 ）

VCE = 5.0V ， IC = 1.0A

IC = 5.0A ， IB1 = 1.0A ， VCC = 250V

IC = 5.0A ， IB1 = IB2 = 1.0A ， VCC = 250V

R0 （2008年5月）

中央

TM

BUW34

BUW35

BUW36

NPN硅

功率晶体管

半导体公司

TO- 3 CASE - 机械概要

前导码：

1）基础

2 ）辐射源

C）集热器

标记：全部型号

R0 （2008年5月）

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BUW36

描述

·带

TO- 3封装

高

击穿电压

应用

For

高电压时，快速切换

应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

≤25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

900

450

7

10

15

5

125

200

-65~200

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

价值

1.4

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

CES

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 100毫安;我

B

=0

I

C

= 8A ;我

B

=2.5A

I

C

= 8A ;我

B

=2.5A

V

CE

=900V ;V

BE

=0

T

C

=125℃

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

15

8

民

450

典型值。

BUW36

最大

单位

V

3.0

1.8

0.1

3.0

1

50

V

mA

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 5A ;我

B1

=- I

B2

=1A

V

CC

=250V

0.7

3.0

0.8

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BUW36

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BUW36

描述

·带

TO- 3封装

高

击穿电压

应用

For

高电压时，快速切换

应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

参数

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

条件

集电极 - 基极电压

发射极开路

集电极 - 发射极电压

开基

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极开路

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

≤25℃

OR

CT

U

价值

900

450

7

10

15

5

125

200

-65~200

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

价值

1.4

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

CES

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 100毫安;我

B

=0

I

C

= 8A ;我

B

=2.5A

I

C

= 8A ;我

B

=2.5A

V

CE

=900V ;V

BE

=0

T

C

=125℃

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

15

8

民

450

典型值。

BUW36

最大

单位

V

3.0

1.8

0.1

3.0

1

50

V

mA

开关时间

t

on

t

s

t

f

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

开启时间

贮存时间

I

C

= 5A ;我

B1

=- I

B2

=1A

V

CC

=250V

下降时间

OR

CT

U

0.7

3.0

0.8

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BUW36

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

图2外形尺寸

OR

CT

U

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BUW36

描述

·采用TO-3封装

·高击穿电压

应用

·对于高电压，快速开关

应用

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（ TA = 25 ）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

/25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

900

450

7

10

15

5

125

200

-65~200

单位

V

A

W

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

价值

1.4

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 100毫安;我

B

=0

I

C

= 8A ;我

B

=2.5A

I

C

= 8A ;我

B

=2.5A

V

CE

=900V ;V

BE

=0

T

C

=125

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

15

8

民

450

BUW36

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

CES

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

典型值。

最大

单位

V

3.0

1.8

0.1

3.0

1

50

V

mA

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 5A ;我

B1

=- I

B2

=1A

V

CC

=250V

0.7

3.0

0.8

s

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BUW36

图2外形尺寸

3