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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第163页 > BUW34
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BUW34
描述
·采用TO-3封装
·高击穿电压
应用
·对于高电压,快速开关
应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
描述
绝对最大额定值( TA = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
.25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
500
400
7
10
15
5
125
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
1.4
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CE
=500V ;V
BE
=0
T
C
=125
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
15
8
400
BUW34
符号
V
CEO ( SUS )
V
CESAT
V
BESAT
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
典型值。
最大
单位
V
1.5
1.5
0.1
3.0
1
50
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5A ;我
B1
=- I
B2
=1A
V
CC
=250V
0.7
3.0
0.8
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUW34
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BUW34
描述
·带
TO- 3封装
击穿电压
应用
For
高电压时,快速切换
应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
集热器
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
固电
IN
集电极 - 基极电压
导½
参数
条件
发射极开路
开基
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
ES
CH
集电极开路
ND
ICO
EM
OR
UCT
500
400
7
10
15
5
价值
单位
V
V
V
A
A
A
W
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
≤25℃
125
200
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
1.4
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
典型值。
BUW34
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
=0
400
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CE
=500V ;V
BE
=0
T
C
=125℃
V
EB
= 7V ;我
C
=0
1.5
0.1
3.0
1
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
15
50
h
FE-2
直流电流增益
开关时间
t
on
固电
下降时间
导½
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
8
开启时间
t
s
贮存时间
t
f
IN
ES
CH
I
C
= 5A ;我
B1
=- I
B2
=1A
V
CC
=250V
ND
ICO
EM
OR
UCT
0.7
3.0
0.8
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUW34
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
BUW34
BUW35
BUW36
NPN硅
功率晶体管
中央
TM
半导体公司
描述:
中央半导体BUW34 , BUW35 ,
和BUW36类型的硅NPN功率晶体管
设计用于高电压,快速开关应用。
标记:全部型号
TO- 3 CASE
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
VCES
VCEO
VEBO
IC
IB
PD
TJ , TSTG
Θ
JC
BUW34
500
400
BUW35
800
400
7.0
10
5.0
125
-65到+200
1.4
BUW36
900
450
单位
V
V
V
A
A
W
°C
° C / W
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
IEBO
BVCEO
BVCEO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE ( SAT )
的hFE
花花公子
VCE =额定VCES
VCE =额定VCES , TC = 125°C
VEB=7.0V
IC = 100毫安( BUW34 , BUW35 )
IC = 100毫安( BUW36 )
IC=5.0A,
IC=8.0A,
IC=8.0A,
IC=5.0A,
IB=1.0A
IB = 2.5A ( BUW35 )
IB = 2.5A ( BUW36 )
IB=1.0A
15
400
450
最大
500
3
1
单位
μA
mA
mA
V
V
1.5
1.5
3.0
1.5
1.8
0.7
3.8
V
V
V
V
V
μs
μs
IC = 8.0A , IB = 2.5A ( BUW35 , BUW36 )
VCE = 5.0V , IC = 1.0A
IC = 5.0A , IB1 = 1.0A , VCC = 250V
IC = 5.0A , IB1 = IB2 = 1.0A , VCC = 250V
R0 (2008年5月)
中央
TM
BUW34
BUW35
BUW36
NPN硅
功率晶体管
半导体公司
TO- 3 CASE - 机械概要
前导码:
1)基础
2 )辐射源
C)集热器
标记:全部型号
R0 (2008年5月)
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BUW34
描述
·带
TO- 3封装
击穿电压
应用
For
高电压时,快速切换
应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
集热器
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
≤25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
500
400
7
10
15
5
125
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
1.4
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
典型值。
BUW34
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
=0
400
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CE
=500V ;V
BE
=0
T
C
=125℃
V
EB
= 7V ;我
C
=0
1.5
0.1
3.0
1
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
15
50
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
8
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
= 5A ;我
B1
=- I
B2
=1A
V
CC
=250V
0.7
t
s
贮存时间
3.0
μs
t
f
下降时间
0.8
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUW34
图2外形尺寸
3
功率晶体管
TO- 3案(续)
型号
IC
(A)
最大
15
15
PD
(W)
175
175
125
125
125
125
100
100
100
100
120
120
120
120
60
60
60
150
150
125
125
125
175
175
175
150
120
120
125
175
100
100
100
BVCBO
(V)
350
450
45
60
80
100
45
60
80
100
40
60
80
100
120
100
80
1,500
1,500
500
800
900
500
800
900
250
400
450
850
850
800
1,000
800
BVCEO
(V)
300
400
45
60
80
100
45
60
80
100
40
60
80
100
100
80
60
700
700
400
400
450
400
400
450
200
325
400
400
400
400
400
325
的hFE
* TYP
8.0
8.0
20
20
20
20
750
750
750
750
750
750
750
750
30
30
30
--
--
--
--
--
--
--
--
20
15
15
--
--
30*
15
15
最大
20
20
150
150
150
150
18,000
18,000
18,000
18,000
18,000
18,000
18,000
18,000
120
120
120
--
--
--
--
--
--
--
--
60
60
45
--
--
--
--
--
@ IC VCE ( SAT )
(A)
--
--
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
4.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
5.0
5.0
5.0
--
--
--
--
--
--
--
--
6.0
3.0
2.0
--
--
1.2
2.5
2.5
(V)
最大
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
4.0
4.0
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
3.0
1.5
1.5
1.0
5.0
1.0
1.5
1.5
1.5
3.0
1.5
1.5
1.5
1.6
2.0
3.0
5.0
3.0
3.3
3.3
@ IC
(A)
15
15
10
10
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
12
12
12
12
10
10
10
4.5
4.5
5.0
5.0
5.0
10
10
10
12
5.0
4.0
9.0
15
8.0
8.0
8.0
NPN
2N6674
2N6675
BDW51
BDW51A
BDW51B
BDW51C
BDX85
BDX85A
BDX85B
BDX85C
BDX87
BDX87A
BDX87B
BDX87C
BDY90
BDY91
BDY92
BU208
BU208A
BUW34
BUW35
BUW36
BUW44
BUW45
BUW46
BUX11
BUX43
BUX44
BUX47
BUX48
BUX80
BUY69A
BUY69B
PNP
fT
* TYP
(兆赫)
15
15
3.0
3.0
3.0
3.0
10*
10*
10*
10*
20*
20*
20*
20*
70*
70*
70*
7.0*
7.0*
--
--
--
--
--
--
8.0
8.0
8.0
--
--
--
10*
10*
BDW52
BDW52A
BDW52B
BDW52C
BDX86
BDX86A
BDX86B
BDX86C
BDX88
BDX88A
BDX88B
BDX88C
15
15
15
15
10
10
10
10
12
12
12
12
10
10
10
8.0
8.0
10
10
10
15
15
15
20
10
8.0
9.0
15
10
10
10
84
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
BUW34
尺寸以毫米(英寸) 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
1.47 (0.058)
1.60 (0.063)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
3
(案例)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
TO3 ( TO204AE )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
22.23
(0.875)
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
500
10
单位
V
A
-
Hz
@ 5/5 (V
CE
/ I
C
)
8
120
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
BUW34
尺寸以毫米(英寸) 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
1.47 (0.058)
1.60 (0.063)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
3
(案例)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
TO3 ( TO204AE )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
22.23
(0.875)
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
500
10
单位
V
A
-
Hz
@ 5/5 (V
CE
/ I
C
)
8
120
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
查看更多BUW34PDF信息
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUW34
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800021960 复制
电话:0755-83258002
联系人:林
地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
BUW34
2015+
70
公司现货库存,绝对原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2433532182 复制

电话:0755-23607529/23603360/83258002
联系人:江先生
地址:深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
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