【INCHANGE半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管描述·带TO- 247封装】,IC型号BUW13AW,BUW13AW PDF资料,BUW13AW经销商,ic,电子元器件-51电子网

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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 247封装

高

电压，高速

应用

·转换器

·逆变器

切换

稳压器

Motor

控制系统

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

集热器

描述

BUW13W BUW13AW

Fig.1简化外形（ TO- 247 ）和符号

辐射源

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

参数

BUW13W

集电极 - 基极电压

BUW13AW

BUW13W

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

T

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

BUW13AW

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

450

9

15

30

6

9

175

150

-65~150

V

A

A

A

A

W

℃

℃

发射极开路

1000

400

V

条件

价值

850

V

单位

热特性

符号

R

日J- MB

参数

从结热阻安装基座

最大

0.7

单位

K / W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

BUW13W

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

BUW13AW

BUW13W

V

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

BUW13AW

BUW13W

V

BESAT

基射

饱和电压

BUW13AW

I

CES

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

I

C

= 8A ;我

B

=1.6A

V

CE

=额定V

CES

; V

BE

=0

T

j

=125℃

V

EB

9V ;我

C

=0

I

C

= 20mA下; V

CE

=5V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=5V

I

C

= 8A ;我

B

=1.6A

I

C

= 10A ;我

B

=2A

I

C

= 10A ;我

B

=2A

I

C

= 0.1A ;我

B

= 0; L = 25mH

条件

BUW13W BUW13AW

民

400

典型值。

最大

单位

V

450

1.5

V

1.6

V

1.0

4.0

10

10

10

35

35

mA

mA

开关时间阻性负载

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

对于BUW13AW

I

C

= 8A ，我

B1

=-I

B2

=-1.6A

1.0

4.0

0.8

μs

μs

μs

对于BUW13W

I

C

= 10A ;我

B1

=-I

B2

=-2A

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BUW13W BUW13AW

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 247封装

高

电压，高速

应用

·转换器

·逆变器

切换

稳压器

Motor

控制系统

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

集热器

描述

BUW13W BUW13AW

Fig.1简化外形（ TO- 247 ）和符号

辐射源

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

固电

IN

导½

半

参数

条件

发射极开路

BUW13W

集电极 - 基极电压

BUW13AW

BUW13W

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

T

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

昂

CH

BUW13AW

MIC

ê SE

开基

集电极开路

ND

O

OR

UCT

价值

850

1000

400

450

9

15

30

6

9

单位

V

V

V

A

A

A

A

W

℃

℃

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

175

150

-65~150

热特性

符号

R

日J- MB

参数

从结热阻安装基座

最大

0.7

单位

K / W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

BUW13W

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

BUW13AW

BUW13W

V

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

BUW13AW

BUW13W

V

BESAT

基射

饱和电压

BUW13AW

I

CES

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

集电极截止电流

发射极截止电流

I

C

= 8A ;我

B

=1.6A

V

CE

=额定V

CES

; V

BE

=0

T

j

=125℃

V

EB

9V ;我

C

=0

I

C

= 20mA下; V

CE

=5V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=5V

I

C

= 8A ;我

B

=1.6A

I

C

= 10A ;我

B

=2A

I

C

= 10A ;我

B

=2A

I

C

= 0.1A ;我

B

= 0; L = 25mH

条件

BUW13W BUW13AW

民

400

典型值。

最大

单位

V

450

1.5

V

1.6

V

1.0

4.0

10

10

mA

mA

固电

IN

直流电流增益

直流电流增益

导½

半

开关时间阻性负载

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

10

OR

UCT

35

35

1.0

4.0

μs

μs

μs

对于BUW13W

I

C

= 10A ;我

B1

=-I

B2

=-2A

对于BUW13AW

I

C

= 8A ，我

B1

=-I

B2

=-1.6A

0.8

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BUW13W BUW13AW

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO- 247封装

·高电压，高转速

应用

·转换器

·逆变器

开关稳压器

·电机控制系统

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

BUW13W BUW13AW

Fig.1简化外形（ TO- 247 ）和符号

绝对最大额定值（ TA = 25 ）

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

BUW13W

BUW13AW

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

BUW13W

BUW13AW

集电极开路

开基

条件

发射极开路

价值

850

1000

400

450

9

15

30

6

9

175

150

-65~150

V

A

A

A

A

W

V

单位

V

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

T

T

j

T

英镑

热特性

符号

R

日J- MB

参数

从结热阻安装基座

最大

0.7

单位

K / W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

BUW13W

I

C

= 0.1A ;我

B

= 0; L = 25mH

BUW13AW

BUW13W

BUW13AW

BUW13W

BUW13AW

I

C

= 10A ;我

B

=2A

条件

BUW13W BUW13AW

符号

民

400

典型值。

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

V

450

V

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

1.5

I

C

= 8A ;我

B

=1.6A

I

C

= 10A ;我

B

=2A

1.6

I

C

= 8A ;我

B

=1.6A

V

CE

=额定V

CES

; V

BE

=0

T

j

=125

V

EB

9V ;我

C

=0

I

C

= 20mA下; V

CE

=5V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=5V

10

10

1.0

4.0

10

35

35

V

V

BESAT

基射

饱和电压

V

I

CES

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

mA

mA

开关时间阻性负载

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

对于BUW13AW

I

C

= 8A ，我

B1

=-I

B2

=-1.6A

1.0

4.0

0.8

s

s

s

对于BUW13W

I

C

= 10A ;我

B1

=-I

B2

=-2A

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BUW13W BUW13AW

图2外形尺寸

3

分立半导体

数据表

BUW13W ; BUW13AW

扩散硅功率晶体管

产品speci fi cation

在分离式半导体文件， SC06

1997年8月13日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

扩散硅功率晶体管

描述

高压，高速，

玻璃钝化NPN电源

晶体管在SOT429封装。

ge

BUW13W ; BUW13AW

应用

转换器

逆变器

开关稳压器

电动机控制系统。

钉扎

针

1

2

3

描述

BASE

集热器;连接

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ SOT429 ）和符号。

1

2

3

MBK117

2

1

MBB008

3

快速参考数据

符号

V

CESM

参数

集电极 - 发射极电压峰值

BUW13W

BUW13AW

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BUW13W

BUW13AW

V

CESAT

I

C

I

CM

P

合计

t

f

集电极 - 发射极饱和电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（峰值）

总功耗

下降时间

参见图7和图9

参见图2和图4

见图2

T

mb

≤

25

°C;

看科幻G.3

电阻性负载;参见图11和图12

开基

400

450

1.5

15

30

175

0.8

V

V

V

A

A

W

s

V

BE

= 0

850

1000

V

V

条件

马克斯。

单位

热特性

符号

R

日J- MB

参数

从结热阻安装基座

价值

0.7

单位

K / W

1997年8月13日

1

飞利浦半导体

产品speci fi cation

扩散硅功率晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CESM

参数

集电极 - 发射极电压峰值

BUW13W

BUW13AW

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BUW13W

BUW13AW

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

集电极电流（ DC ）

集电极电流（峰值）

基极电流（DC）的

基极电流（峰值）

总功耗

储存温度

结温

t

p

< 2毫秒

T

mb

≤

25

°C;

看科幻G.3

参见图2和图4

t

p

< 2毫秒;见图2

开基

V

BE

= 0

条件

BUW13W ; BUW13AW

分钟。

65

马克斯。

850

1000

400

450

15

30

6

9

175

+150

150

V

V

V

V

A

A

A

A

W

单位

°C

°C

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

V

CEOsust

参数

条件

分钟。

400

450

I

C

= 10 A;我

B

= 2 A;看

图7和图9

I

C

= 8 A;我

B

= 1.6 A;看

图7和图9

I

C

= 10 A;我

B

= 2 A;见图7

I

C

= 8 A;我

B

= 1.6 A;见图7

V

CE

= V

CESMmax

; V

BE

= 0;

T

j

= 125

°C;

注1

I

EBO

h

FE

发射极 - 基极截止电流

直流电流增益

V

EB

= 9 V ;我

C

= 0

V

CE

= 5 V ;我

C

能力= 20 mA ;

见图10

V

CE

= 5 V ;我

C

= 1.5 A;

见图10

典型值。

马克斯。

1.5

1.5

单位

V

V

V

V

集电极 - 发射极电压维持我

C

= 100毫安;我

B关

= 0;

L = 25 mH的;参见图5和图6

BUW13W

BUW13AW

集电极 - 发射极饱和电压

BUW13W

BUW13AW

V

CESAT

V

BESAT

基射极饱和电压

BUW13W

BUW13AW

10

10

18

20

1.6

1.6

1

4

10

35

35

V

V

mA

mA

mA

I

CES

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= V

CESMmax

; V

BE

= 0;注1

1997年8月13日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

扩散硅功率晶体管

BUW13W ; BUW13AW

符号

参数

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关时间阻性负载

（参见图11和图12）

t

on

开启时间

BUW13W

BUW13AW

t

s

贮存时间

BUW13W

BUW13AW

t

f

下降时间

BUW13W

BUW13AW

I

CON

= 10 A;我

BON

=

I

B关

= 2 A

I

CON

= 8 A;我

BON

=

I

B关

= 1.6 A

0.8

0.8

s

s

I

CON

= 10 A;我

BON

=

I

B关

= 2 A

I

CON

= 8 A;我

BON

=

I

B关

= 1.6 A

4

4

s

s

I

CON

= 10 A;我

BON

=

I

B关

= 2 A

I

CON

= 8 A;我

BON

=

I

B关

= 1.6 A

1

1

s

s

开关时间感性负载

（参见图13和14）

t

s

贮存时间

BUW13W

BUW13AW

I

CON

= 10 A;我

B

= 2 A

I

CON

= 8 A;我

B

= 1.6 A

I

CON

= 8 A;我

B

= 1.6 A;

T

j

= 100

°C

t

f

下降时间

BUW13W

BUW13AW

I

CON

= 10 A;我

B

= 2 A

I

CON

= 8 A;我

B

= 1.6 A

I

CON

= 8 A;我

B

= 1.6 A;

T

j

= 100

°C

记

1.衡量一个半正弦波电压（波形记录器）。

80

140

80

140

150

300

150

300

ns

ns

ns

ns

I

CON

= 10 A;我

B

= 2 A;牛逼

j

= 100

°C

2.3

2.5

2.3

2.5

3

3.2

3

3.2

s

s

s

s

I

CON

= 10 A;我

B

= 2 A;牛逼

j

= 100

°C

1997年8月13日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

扩散硅功率晶体管

BUW13W ; BUW13AW

手册，全页宽

10

3

IC

(A)

MGB926

10

2

ICM最大

IC最大

10

(1)

II

1

10

1

I

(2)

III

10

2

BUW13W

BUW13AW

DC

IV

10

3

1

10

10

2

10

3

VCE （ V）

10

4

T

mb

≤

25

°C.

I - 允许的直流操作区。

II - 允许延长重复脉冲操作。

III - 允许经营区时导通的单晶体管转换器，提供

BE

≤

100

和T

p

≤

0.6

s.

IV - 在该地区重复脉冲操作是允许提供V

BE

≤

0和t

p

≤

5毫秒。

(1) P

TOT最大

线。

（2）第二击穿极限。

图2正向偏置飙升。

1997年8月13日

4

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23000

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24+

32000

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8131

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BUW13AW

√ 欧美㊣品

▲10/11+

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