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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 3PN封装
·高电压,高转速
应用
·转换器
·逆变器
开关稳压器
·电机控制系统
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
BUW13 BUW13A
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
绝对最大额定值( TA = 25 )
符号
参数
BUW13
V
CBO
集电极 - 基极电压
BUW13A
BUW13
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BUW13A
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
450
9
15
30
6
9
175
150
-65~175
V
A
A
A
A
W
发射极开路
1000
400
V
条件
价值
850
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
BUW13
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0; L = 25mH
BUW13A
BUW13
BUW13A
BUW13
BUW13A
I
C
= 10A ;我
B
=2A
条件
BUW13 BUW13A
符号
400
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
V
450
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
1.5
I
C
= 8A ;我
B
=1.6A
I
C
= 10A ;我
B
=2A
1.6
I
C
= 8A ;我
B
=1.6A
V
CE
=额定V
CES
; V
BE
=0
TC=125
V
EB
9V ;我
C
=0
I
C
= 20mA下; V
CE
=5V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=5V
10
10
1.0
4.0
10
35
35
V
V
BESAT
基射
饱和电压
V
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
mA
mA
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
对于BUW13A
I
C
= 8A ,我
B1
=-I
B2
=1.6A
1.0
4.0
0.8
s
s
s
对于BUW13
I
C
= 10A ;我
B1
=-I
B2
=2A
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUW13 BUW13A
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
电压,高速
应用
·转换器
·逆变器
切换
稳压器
Motor
控制系统
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
BUW13 BUW13A
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
固电
IN
导½
参数
条件
BUW13
集电极 - 基极电压
BUW13A
BUW13
发射极开路
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
CH
BUW13A
开基
ICO
EM
OR
UCT
ND
价值
850
1000
400
450
9
15
30
6
9
单位
V
V
集电极开路
V
A
A
A
A
W
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
175
150
-65~175
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
BUW13
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
BUW13A
BUW13
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
BUW13A
BUW13
V
BESAT
基射
饱和电压
BUW13A
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 10A ;我
B
=2A
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0; L = 25mH
条件
BUW13 BUW13A
400
典型值。
最大
单位
V
450
1.5
I
C
= 8A ;我
B
=1.6A
I
C
= 10A ;我
B
=2A
1.6
I
C
= 8A ;我
B
=1.6A
V
CE
=额定V
CES
; V
BE
=0
TC=125℃
V
EB
9V ;我
C
=0
I
C
= 20mA下; V
CE
=5V
10
1.0
4.0
10
V
V
mA
mA
固电
IN
直流电流增益
直流电流增益
导½
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
CH
MIC
ê SE
对于BUW13
I
C
= 10A ;我
B1
=-I
B2
=2A
对于BUW13A
I
C
= 8A ,我
B1
=-I
B2
=1.6A
I
C
= 1.5A ; V
CE
=5V
ND
O
10
OR
UCT
35
35
1.0
4.0
0.8
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUW13 BUW13A
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
NPN BUW13 - BUW13A
高压,高速功率晶体管
该BUW13 -A是TO3PN封装硅NPN功率晶体管。
它们旨在用于开关稳压器,电机控制系统,逆变器和
转换器。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
t
T
J
T
英镑
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
I
B
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
价值
BUW13
400
850
BUW13A
450
1000
单位
V
V
V
A
A
A
A
°C
°C
@ T
C
= 25°
9
15
30
6
9
175
150
-65 175
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻,结到外壳
价值
0.7
单位
° C / W
半导体COMSET
1/3
NPN BUW13 - BUW13A
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO ( SUS )
评级
集电极 - 发射极
维持电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
测试条件(S )
I
C
= 100毫安,我
B
= 0 A
L = 25毫亨
V
CE
= V
CEmax
V
BE
= 0 V
V
CE
= V
CEmax
, V
BE
= 0 V
T
= 125°C
V
EB
= 9 V,I
C
= 0 A
I
C
= 10 A,I
B
= 2 A
I
C
= 8 A,I
B
= 1.6 A
I
C
= 10 A,I
B
= 2 A
I
C
= 8 A,I
B
= 1.6 A
I
C
能力= 20 mA ,V
CE
=5 V
BUW13
BUW13A
BUW13
BUW13A
BUW13
BUW13A
BUW13
BUW13A
BUW13
BUW13A
BUW13
BUW13A
BUW13
BUW13A
BUW13
BUW13A
400
450
-
-
-
-
-
10
10
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Mx
-
-
1
单位
V
I
CES
mA
4
10
1.5
V
1.6
35
-
35
mA
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
I
C
= 1.5 A,V
CE
=5 V
开关时间
符号
t
on
t
s
t
f
评级
开启时间
贮存时间
文件时间
测试条件(S )
对于BUW13
I
C
= 10 A,I
B1
= -I
B2
= 2 A
对于BUW13A
I
C
= 8 A,I
B1
= -I
B2
= 1.6 A
-
-
-
典型值
1.2
0.6
0.17
Mx
1.5
1.1
0.25
单位
s
29/09/2012
半导体COMSET
2/3
NPN BUW13 - BUW13A
机械数据案例TO3PN非隔离塑料包装
外形尺寸(mm )
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
R
S
T
引脚1 :
引脚2 :
3脚:
15.20
1.90
4.60
3.10
马克斯。
1600
2.10
5.00
3.30
9.60
2.00
0.55
1.40
5.55
20.20
1.25
2.00
3.00
4.00
4.00
1.80
5.20
BASE
集热器
辐射源
0.35
5.35
20.00
19.60
0.95
4.80
修订后的2012年8月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更,
恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证,声明或担保
目的,也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何与
所有责任,包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的关键
组件生命支持设备或系统。
www.comsetsemi.com
29/09/2012
半导体COMSET
info@comsetsemi.com
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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SOT93
全新原装正品/质量有保证
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
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地址:深圳市福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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