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BUW1215
高压快速切换
NPN功率晶体管
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPE
高电压能力（ > 1500 V ）
非常高开关速度
应用范围：
s
水平偏转对于高端
彩色电视及21"监听音箱
3
描述
该
BUW1215
is
制成的
运用
Multiepitaxial梅萨技术，具有成本效益
高性能，采用了空心发射
结构，提高开关速度。
2
1
TO-247
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值（T
p
＆ LT ; 5毫秒）
基极电流
基峰电流（T
p
＆ LT ; 5毫秒）
总功耗在T
c
= 25 C
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
1500
700
10
16
22
9
12
200
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
1/7
2002年2月
BUW1215
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
0.63
o
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 1500 V
V
CE
= 1500 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安
700
T
j
= 125
o
C
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
2
100
单位
mA
mA
A
V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
发射极 - 基极电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
阻性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
I
E
= 10毫安
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
I
B
= 2.4 A
I
B
= 2.4 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
10
1.5
1.5
7
5
10
14
V
V
V
T
j
= 100 C
o
t
s
t
f
t
s
t
f
V
CC
= 400 V
I
B1
= 2 A
I
C
= 12 A
I
B1
= 2 A
V
ceflyback
I
C
= 12 A
I
B2
= -6 A
1.5
110
4
220
s
ns
s
ns
F = 31250赫兹
I
B2
= -1.5 A
π
= 1050的罪
10
6
吨V
5
F = 64千赫
V
BE （OFF）的
= -2 A
π
= 1200的罪
10
6
吨V
5
t
s
t
f
感性负载
贮存时间
下降时间
I
C
= 6 A
I
B1
= 1 A
V
ceflyback
3.5
180
s
ns
*脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
安全工作区
热阻抗
2/7
BUW1215
降额曲线
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
功率损耗为64千赫
开关时间感性负载在64千赫
（参见图2）
3/7
BUW1215
反向偏置SOA
基极驱动信息
以饱和的电源开关，并减少
导通损耗，足够直接的基极电流
I
B1
已被设置为最低增益
FE
at
100
o
C（行扫描相位） 。另一方面，
负基极电流I
B2
必须提供
晶体管截止（回扫期） 。
大部分的耗散，特别是在偏转
应用程序时，发生在开关关闭，因此它是必不可少
确定的I值
B2
最大限度地减少
功率损耗，下降时间t
f
，因此，T
j
. A
新组曲线已被定义，得到总
功率损耗，T
s
和T
f
为I的函数
B1
在64
千赫兹扫描频率选择
最佳的负驱动。该测试电路是
在图1中示出。
L和C的值是从所计算的
下面的等式：
1
1
L
(
I
C
)
2
=
C
(
V
CEfly
)
2
2
2
1
ω =
2
π
f
=
L
√
C
在那里我
C
=工作集电极电流，V
CEfly
=
反激电压， F =振荡期间频率
追溯。
4/7
BUW1215
图1：
感应负载开关测试电路。
图2：
开关波形在一个偏转电路
5/7
BUW1215
高压快速切换
NPN功率晶体管
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPE
高电压能力（ > 1500 V ）
非常高开关速度
应用范围：
s
水平偏转对于高端
彩色电视及21"监听音箱
3
描述
该
BUW1215
is
制成的
运用
Multiepitaxial梅萨技术，具有成本效益
高性能，采用了空心发射
结构，提高开关速度。
2
1
TO-247
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值（T
p
＆ LT ; 5毫秒）
基极电流
基峰电流（T
p
＆ LT ; 5毫秒）
总功耗在T
c
= 25 C
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
1500
700
10
16
22
9
12
200
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
1/7
2002年2月
BUW1215
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
0.63
o
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 1500 V
V
CE
= 1500 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安
700
T
j
= 125
o
C
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
2
100
单位
mA
mA
A
V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
发射极 - 基极电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
阻性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
I
E
= 10毫安
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
I
B
= 2.4 A
I
B
= 2.4 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
10
1.5
1.5
7
5
10
14
V
V
V
T
j
= 100 C
o
t
s
t
f
t
s
t
f
V
CC
= 400 V
I
B1
= 2 A
I
C
= 12 A
I
B1
= 2 A
V
ceflyback
I
C
= 12 A
I
B2
= -6 A
1.5
110
4
220
s
ns
s
ns
F = 31250赫兹
I
B2
= -1.5 A
π
= 1050的罪
10
6
吨V
5
F = 64千赫
V
BE （OFF）的
= -2 A
π
= 1200的罪
10
6
吨V
5
t
s
t
f
感性负载
贮存时间
下降时间
I
C
= 6 A
I
B1
= 1 A
V
ceflyback
3.5
180
s
ns
*脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
安全工作区
热阻抗
2/7
BUW1215
降额曲线
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
功率损耗为64千赫
开关时间感性负载在64千赫
（参见图2）
3/7
BUW1215
反向偏置SOA
基极驱动信息
以饱和的电源开关，并减少
导通损耗，足够直接的基极电流
I
B1
已被设置为最低增益
FE
at
100
o
C（行扫描相位） 。另一方面，
负基极电流I
B2
必须提供
晶体管截止（回扫期） 。
大部分的耗散，特别是在偏转
应用程序时，发生在开关关闭，因此它是必不可少
确定的I值
B2
最大限度地减少
功率损耗，下降时间t
f
，因此，T
j
. A
新组曲线已被定义，得到总
功率损耗，T
s
和T
f
为I的函数
B1
在64
千赫兹扫描频率选择
最佳的负驱动。该测试电路是
在图1中示出。
L和C的值是从所计算的
下面的等式：
1
1
L
(
I
C
)
2
=
C
(
V
CEfly
)
2
2
2
1
ω =
2
π
f
=
L
√
C
在那里我
C
=工作集电极电流，V
CEfly
=
反激电压， F =振荡期间频率
追溯。
4/7
BUW1215
图1：
感应负载开关测试电路。
图2：
开关波形在一个偏转电路
5/7
BUW1215
高压快速切换
NPN功率晶体管
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPE
高电压能力（ > 1500 V ）
非常高开关速度
应用范围：
s
水平偏转对于高端
彩色电视及21"监听音箱
3
描述
该
BUW1215
is
制成的
运用
Multiepitaxial梅萨技术，具有成本效益
高性能，采用了空心发射
结构，提高开关速度。
2
1
TO-247
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值（T
p
＆ LT ; 5毫秒）
基极电流
基峰电流（T
p
＆ LT ; 5毫秒）
总功耗在T
c
= 25 C
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
1500
700
10
16
22
9
12
200
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
1/7
2002年2月
BUW1215
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
0.63
o
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 1500 V
V
CE
= 1500 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安
700
T
j
= 125
o
C
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
2
100
单位
mA
mA
A
V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
发射极 - 基极电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
阻性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
I
E
= 10毫安
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
I
B
= 2.4 A
I
B
= 2.4 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
10
1.5
1.5
7
5
10
14
V
V
V
T
j
= 100 C
o
t
s
t
f
t
s
t
f
V
CC
= 400 V
I
B1
= 2 A
I
C
= 12 A
I
B1
= 2 A
V
ceflyback
I
C
= 12 A
I
B2
= -6 A
1.5
110
4
220
s
ns
s
ns
F = 31250赫兹
I
B2
= -1.5 A
π
= 1050的罪
10
6
吨V
5
F = 64千赫
V
BE （OFF）的
= -2 A
π
= 1200的罪
10
6
吨V
5
t
s
t
f
感性负载
贮存时间
下降时间
I
C
= 6 A
I
B1
= 1 A
V
ceflyback
3.5
180
s
ns
*脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
安全工作区
热阻抗
2/7
BUW1215
降额曲线
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
功率损耗为64千赫
开关时间感性负载在64千赫
（参见图2）
3/7
BUW1215
反向偏置SOA
基极驱动信息
以饱和的电源开关，并减少
导通损耗，足够直接的基极电流
I
B1
已被设置为最低增益
FE
at
100
o
C（行扫描相位） 。另一方面，
负基极电流I
B2
必须提供
晶体管截止（回扫期） 。
大部分的耗散，特别是在偏转
应用程序时，发生在开关关闭，因此它是必不可少
确定的I值
B2
最大限度地减少
功率损耗，下降时间t
f
，因此，T
j
. A
新组曲线已被定义，得到总
功率损耗，T
s
和T
f
为I的函数
B1
在64
千赫兹扫描频率选择
最佳的负驱动。该测试电路是
在图1中示出。
L和C的值是从所计算的
下面的等式：
1
1
L
(
I
C
)
2
=
C
(
V
CEfly
)
2
2
2
1
ω =
2
π
f
=
L
√
C
在那里我
C
=工作集电极电流，V
CEfly
=
反激电压， F =振荡期间频率
追溯。
4/7
BUW1215
图1：
感应负载开关测试电路。
图2：
开关波形在一个偏转电路
5/7
BUW1215
高压快速切换
NPN功率晶体管
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPE
高电压能力（ > 1500 V ）
非常高开关速度
应用范围：
s
水平偏转对于高端
彩色电视及21"监听音箱
3
描述
该
BUW1215
is
制成的
运用
Multiepitaxial梅萨技术，具有成本效益
高性能，采用了空心发射
结构，提高开关速度。
2
1
TO-247
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值（T
p
＆ LT ; 5毫秒）
基极电流
基峰电流（T
p
＆ LT ; 5毫秒）
总功耗在T
c
= 25 C
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
1500
700
10
16
22
9
12
200
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
1/7
2002年2月
BUW1215
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
0.63
o
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 1500 V
V
CE
= 1500 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安
700
T
j
= 125
o
C
分钟。
典型值。
马克斯。
0.2
2
100
单位
mA
mA
A
V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
发射极 - 基极电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
阻性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
I
E
= 10毫安
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
I
B
= 2.4 A
I
B
= 2.4 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
10
1.5
1.5
7
5
10
14
V
V
V
T
j
= 100 C
o
t
s
t
f
t
s
t
f
V
CC
= 400 V
I
B1
= 2 A
I
C
= 12 A
I
B1
= 2 A
V
ceflyback
I
C
= 12 A
I
B2
= -6 A
1.5
110
4
220
s
ns
s
ns
F = 31250赫兹
I
B2
= -1.5 A
π
= 1050的罪
10
6
吨V
5
F = 64千赫
V
BE （OFF）的
= -2 A
π
= 1200的罪
10
6
吨V
5
t
s
t
f
感性负载
贮存时间
下降时间
I
C
= 6 A
I
B1
= 1 A
V
ceflyback
3.5
180
s
ns
*脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
安全工作区
热阻抗
2/7
BUW1215
降额曲线
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
功率损耗为64千赫
开关时间感性负载在64千赫
（参见图2）
3/7
BUW1215
反向偏置SOA
基极驱动信息
以饱和的电源开关，并减少
导通损耗，足够直接的基极电流
I
B1
已被设置为最低增益
FE
at
100
o
C（行扫描相位） 。另一方面，
负基极电流I
B2
必须提供
晶体管截止（回扫期） 。
大部分的耗散，特别是在偏转
应用程序时，发生在开关关闭，因此它是必不可少
确定的I值
B2
最大限度地减少
功率损耗，下降时间t
f
，因此，T
j
. A
新组曲线已被定义，得到总
功率损耗，T
s
和T
f
为I的函数
B1
在64
千赫兹扫描频率选择
最佳的负驱动。该测试电路是
在图1中示出。
L和C的值是从所计算的
下面的等式：
1
1
L
(
I
C
)
2
=
C
(
V
CEfly
)
2
2
2
1
ω =
2
π
f
=
L
√
C
在那里我
C
=工作集电极电流，V
CEfly
=
反激电压， F =振荡期间频率
追溯。
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BUW1215
图1：
感应负载开关测试电路。
图2：
开关波形在一个偏转电路
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