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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 3PN封装
·高电压，高转速
应用
·转换器
·逆变器
开关稳压器
·电机控制系统
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
BUW11 BUW11A
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BUW11
BUW11A
BUW11
BUW11A
发射极开路
条件
价值
850
1000
400
450
9
5
10
2
4
T
C
=25
100
150
-65~150
单位
V
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
开基
集电极开路
V
V
A
A
A
A
W
热特性
符号
R
日J- MB
参数
从结热阻安装基座
最大
1.25
单位
K / W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
BUW11
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0; L = 25mH
BUW11A
BUW11
BUW11A
BUW11
BUW11A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
条件
BUW11 BUW11A
符号
民
400
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
450
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
1.5
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
1.4
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
V
CE
=额定V
CES
; V
BE
=0
T
j
=125
V
EB
9V ;我
C
=0
I
C
= 5毫安; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
10
10
1.0
2.0
10
35
35
V
V
BESAT
基射
饱和电压
V
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
mA
mA
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
对于BUW11AF
I
C
= 2.5A ;我
B1
=-I
B2
=0.5A
1.0
4.0
0.8
s
s
s
对于BUW11F
I
C
= 3A ，我
B1
=-I
B2
=0.6A
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUW11 BUW11A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
高
电压;高速
应用
·转换器
·逆变器
切换
稳压器
Motor
控制系统
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
BUW11 BUW11A
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
固电
IN
导½
半
参数
条件
发射极开路
BUW11
集电极 - 基极电压
BUW11A
BUW11
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
昂
CH
BUW11A
MIC
ê SE
开基
集电极开路
ND
O
OR
UCT
价值
850
1000
400
450
9
5
10
2
4
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
100
150
-65~150
热特性
符号
R
日J- MB
参数
从结热阻安装基座
最大
1.25
单位
K / W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
BUW11
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
BUW11A
BUW11
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
BUW11A
BUW11
V
BESAT
基射
饱和电压
BUW11A
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
V
CE
=额定V
CES
; V
BE
=0
T
j
=125℃
V
EB
9V ;我
C
=0
I
C
= 5毫安; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0; L = 25mH
条件
BUW11 BUW11A
民
400
典型值。
最大
单位
V
450
1.5
V
1.4
V
1.0
2.0
mA
mA
固电
IN
直流电流增益
直流电流增益
导½
半
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
10
10
OR
UCT
35
35
1.0
4.0
10
μs
μs
μs
对于BUW11F
I
C
= 3A ，我
B1
=-I
B2
=-0.6A
对于BUW11AF
I
C
= 2.5A ;我
B1
=-I
B2
=-0.5A
下降时间
0.8
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUW11 BUW11A
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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