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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BUV82/83
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 400V （最小值） -BUV82
= 450V （最小值） -BUV83
高
开关速度
应用
·设计
在变频器，逆变器的使用，开关稳压
器，电机控制系统和切换应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BUV82
BUV83
BUV82
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BUV83
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
价值
850
单位
V
CES
集电极 - 发射
电压V
BE
=0
V
1000
400
V
450
10
6
10
2
3
100
150
-65~150
V
A
A
A
A
W
℃
℃
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
I
BM
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.25
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BUV82/83
典型值。
最大
单位
BUV82
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
BUV83
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0; L = 25毫亨
B
400
V
450
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
BE
(sat)-1
V
BE
(sat)-2
I
CES
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.5A
1.5
V
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 1.25A
B
3.0
V
基射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.5A
1.4
V
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 1.25A
B
1.6
1
2
10
v
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= V
CESmax
;V
BE
= 0
V
CE
= V
CESmax
;V
BE
= 0; T
J
= 125℃
V
EB
= 10V ;我
C
=0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.6A ; V
CE
= 5V
22
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
6
兆赫
开关时间;阻性负载
μs
μs
μs
t
on
t
s
t
f
开启时间
I
C
= 2.5A ;我
B1
= 0.5A ;我
B2
= -1.0A;
V
CC
= 250V
0.3
0.6
贮存时间
2.0
3.5
下降时间
0.3
0.75
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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批号
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封装
单价/备注
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