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A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BUV47 BUV47B
描述
·带
TO- 3PN封装。
高
电压。
Very
高开关速度。
应用
·适合
对于220V开关模式电源，
直流和交流电动机的控制。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
固电
IN
参数
导½
半
条件
发射极开路
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
AG
CH
ON
MIC
ê SE
N
开基
集电极开路
OR
DUT
价值
850
400
7
9
15
3
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
90
-65~150
-65~150
热特性
符号
R
第j个例
参数
热阻结案件
最大
1.38
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BUV47 BUV47B
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） EBO
V
CEO （ SUS ）
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
BUV47
BUV47B
BUV47
BUV47B
BUV47
BUV47B
条件
I
E
= 10毫安;我
C
=0
I
C
= 0.2A ;我
B
=0;L=25mH
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.5
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
I
C
= 8A ;我
B
=2.5A
3.0
I
C
= 9A ;我
B
=3A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.6
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
V
CE
=850V ;V
BE
=-2.5V
V
EB
= 5V ;我
C
=0
V
V
V
民
10
400
典型值。
最大
单位
V
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CEsat-2
集电极 - 发射极
饱和电压
V
BESAT
基射
饱和电压
I
CEX
I
EBO
h
FE
固电
IN
集电极截止电流
发射极截止电流
导½
半
直流电流增益
开关时间：
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
AG
CH
ON
MIC
ê SE
N
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A我
B1
=- I
B2
=1.0A
V
CC
=150V
OR
DUT
7
10
14
0.15
1.0
mA
mA
1.0
3.0
0.8
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUV47 BUV47B
固电
IN
导½
半
AG
CH
ON
MIC
ê SE
N
OR
DUT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BUV47 BUV47B
描述
·采用TO- 3PN封装。
·高电压。
·极高的转换速度。
应用
·适用于220V开关模式电源，
直流和交流电动机的控制。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
850
400
7
9
15
3
90
-65~150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个例
参数
热阻结案件
最大
1.38
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BUV47 BUV47B
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
BUV47
BUV47B
BUV47
BUV47B
BUV47
BUV47B
条件
I
E
= 10毫安;我
C
=0
I
C
= 0.2A ;我
B
=0;L=25mH
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.5
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
I
C
= 8A ;我
B
=2.5A
3.0
I
C
= 9A ;我
B
=3A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.6
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
V
CE
=850V ;V
BE
=-2.5V
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
7
10
0.15
1.0
14
mA
mA
V
V
V
民
10
400
典型值。
最大
单位
V
V
符号
V
（ BR ） EBO
V
CEO （ SUS ）
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CEsat-2
集电极 - 发射极
饱和电压
V
BESAT
基射
饱和电压
I
CEX
I
EBO
h
FE
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
开关时间：
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5A我
B1
=- I
B2
=1.0A
V
CC
=150V
1.0
3.0
0.8
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUV47 BUV47B
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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B66206A1110T001
B41857A6108M00
BZT55C
B32529-C8332
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