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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第351页 > BUV27A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BUV27A
描述
·带
TO- 220封装
ULOW
集电极饱和电压
·快速
开关速度
应用
For
在高频率和效率使用
转换器，开关稳压器和电机
控制
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（峰值）
基极电流
基本电流（峰值）
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
150
7
12
20
4
6
85
175
-65~175
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个例
参数
热阻结案件
最大
1.76
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
BUV27A
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2 A;我
B
=0;L=25mH
150
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 50毫安;我
C
=0
7
30
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ，我
B
=0.4 A
0.7
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
V
CE
=300V;V
BE
= -1.5 V
T
C
=125℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
2
V
I
CEX
集电极截止电流
1
mA
I
EBO
发射极截止电流
1
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUV27A
图2外形尺寸（ unindicated公差为0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BUV27A
描述
·采用TO- 220封装
·低集电极饱和电压
·快速开关速度
应用
·对于高频率使用效率
转换器，开关稳压器和电机
控制
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（峰值）
基极电流
基本电流（峰值）
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
150
7
12
20
4
6
85
175
-65~175
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个例
参数
热阻结案件
最大
1.76
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
BUV27A
符号
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
I
CEX
I
EBO
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2 A;我
B
=0;L=25mH
I
E
= 50毫安;我
C
=0
I
C
= 4A ，我
B
=0.4 A
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
V
CE
=300V;V
BE
= -1.5 V
T
C
=125
V
EB
= 5V ;我
C
=0
150
V
发射极 - 基极击穿电压
7
30
V
集电极 - 发射极饱和电压
0.7
V
集电极 - 发射极饱和电压
1.5
V
基射极饱和电压
2
V
集电极截止电流
1
mA
发射极截止电流
1
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUV27A
图2外形尺寸（ unindicated公差为0.1mm ）
3
半导体
BUV27 - BUV27A
硅功率晶体管
高速， NPN型功率晶体管在TO -220信封。它们用于
快速切换的应用，如高频和效率的转换器，
开关稳压器和电机控制。
绝对最大额定值
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
CESAT
I
CSAT
I
C
I
CM
I
B
I
BM
集电极 - 发射极电压
峰值; V
BE
=0
集电极 - 发射极电压
评级
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
价值
240
300
120
150
1.5
1
8
7
15
25
4
6
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
集电极 - 发射极饱和电压
集电极电流饱和
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流
符号
P
t
T
j
T
s
功耗
连接点
温度
评级
@ T
mb
< 25 °
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
价值
65
150
单位
瓦
°C
存储温度范围
-65到+150
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
热特性
符号
R
THJ - MB
评级
从结点到安装基座
BUV27
BUV27A
价值
1.92
单位
K / W
第1页3
半导体
BUV27 - BUV27A
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
CEX
I
CER
I
EBO
V
CE0sust
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
评级
集电极截止电流（ * ）
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
测试条件（S ）
V
CE
=V
CES
马克斯，V
BE
= -1.5V
T
J
=125°C
V
CE
=V
CES
MAX ， RBE = 50
T
J
=125°C
V
EB
= 5 V，I
C
=0
最小典型单位的Mx
-
-
-
120
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
3
1
-
-
1.5
1.5
0.7
0.7
2.0
2.0
mA
mA
MA
V
集电极 - 发射极可持续
I
B
=0 , I
C
= 0.2A ，L = 25mH
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和
电压
I
C
= 8 A，I
B
= 800毫安
I
C
= 7 A，I
B
= 700毫安
I
C
= 4 A，I
B
= 400毫安
I
C
= 3.5 A，I
B
= 350毫安
I
C
= 8 A，I
B
= 800毫安
I
C
= 7 A，I
B
= 700毫安
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
V
V
符号
t
on
t
关闭
t
f
开启时间
打开-O FF时间
下降时间
评级
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
-
-
-
价值
0.4
0.5
0.12
0.8
1.2
0.4
单位
s
s
s
I
CON
= 8 A，I
BON
= 800毫安;
I
B关
=2 I
BON
; V
CE
= 50 V
（*） Mesured用半正弦波电压（曲线示踪） 。
分页： 1 2 3
半导体
BUV27 - BUV27A
机械数据案例TO- 220
尺寸
mm
A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
P
R
S
T
U
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
9,86
15,73
13,37
6,67
4,44
4,21
2,99
17,21
1,29
3,6
1,36
0,46
2,1
5
2,51
0,79
英寸
0,39
0,62
0,52
0,26
0,17
0,16
0,11
0,68
0,05
0,14
0,05
0,02
0,08
0,19
0,098
0,03
阳极1
阳极2
门
第3页3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BUV27A
描述
·带
TO- 220封装
ULOW
集电极饱和电压
·快速
开关速度
应用
For
在高频率和效率使用
转换器，开关稳压器和电机
控制
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
导½
半
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
ES
昂
CH
发射极开路
开基
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
300
150
7
12
20
4
6
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
集电极开路
集电极电流（峰值）
基极电流
基本电流（峰值）
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25℃
85
175
-65~175
热特性
符号
R
第j个例
参数
热阻结案件
最大
1.76
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
BUV27A
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2 A;我
B
=0;L=25mH
150
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 50毫安;我
C
=0
7
30
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ，我
B
=0.4 A
0.7
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
=0.7A
V
CE
=300V;V
BE
= -1.5 V
T
C
=125℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
2
V
I
CEX
集电极截止电流
1
mA
I
EBO
发射极截止电流
固电
IN
导½
半
1
mA
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUV27A
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差为0.1mm ）
3
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BZX84C30T-7-F
BQ2057TSN
B37873J5224M001
BCX78-9
BTA204-800B
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