INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUV27
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差为0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUV27
图2外形尺寸（ unindicated公差为0.1mm ）
3
半导体
BUV27 - BUV27A
硅功率晶体管
高速， NPN型功率晶体管在TO -220信封。它们用于
快速切换的应用，如高频和效率的转换器，
开关稳压器和电机控制。
绝对最大额定值
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
CESAT
I
CSAT
I
C
I
CM
I
B
I
BM
集电极 - 发射极电压
峰值; V
BE
=0
集电极 - 发射极电压
评级
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
价值
240
300
120
150
1.5
1
8
7
15
25
4
6
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
集电极 - 发射极饱和电压
集电极电流饱和
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流
符号
P
t
T
j
T
s
功耗
连接点
温度
评级
@ T
mb
< 25 °
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
价值
65
150
单位
瓦
°C
存储温度范围
-65到+150
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
热特性
符号
R
THJ - MB
评级
从结点到安装基座
BUV27
BUV27A
价值
1.92
单位
K / W
第1页3
半导体
BUV27 - BUV27A
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
CEX
I
CER
I
EBO
V
CE0sust
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
评级
集电极截止电流（ * ）
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
测试条件（S ）
V
CE
=V
CES
马克斯，V
BE
= -1.5V
T
J
=125°C
V
CE
=V
CES
MAX ， RBE = 50
T
J
=125°C
V
EB
= 5 V，I
C
=0
最小典型单位的Mx
-
-
-
120
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
3
1
-
-
1.5
1.5
0.7
0.7
2.0
2.0
mA
mA
MA
V
集电极 - 发射极可持续
I
B
=0 , I
C
= 0.2A ，L = 25mH
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和
电压
I
C
= 8 A，I
B
= 800毫安
I
C
= 7 A，I
B
= 700毫安
I
C
= 4 A，I
B
= 400毫安
I
C
= 3.5 A，I
B
= 350毫安
I
C
= 8 A，I
B
= 800毫安
I
C
= 7 A，I
B
= 700毫安
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
V
V
符号
t
on
t
关闭
t
f
开启时间
打开-O FF时间
下降时间
评级
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
BUV27
BUV27A
-
-
-
价值
0.4
0.5
0.12
0.8
1.2
0.4
单位
s
s
s
I
CON
= 8 A，I
BON
= 800毫安;
I
B关
=2 I
BON
; V
CE
= 50 V
（*） Mesured用半正弦波电压（曲线示踪） 。
分页： 1 2 3
BUV27
包装尺寸
TO220AB
CASE 221A -09
ISSUE AA
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
2.04
T
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81357733850
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
BUV27/D
BUV27
中功率NPN硅晶体管
s
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPE
NPN晶体管
开关速度快
低集电极发射极饱和
应用
s
开关稳压器
s
电机控制
描述
该BUV27是Multiepitaxial平面NPN
晶体管在TO-220封装。其目的是为
在高频工作功率转换器使用，
开关稳压器和电机控制。
1
2
3
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基峰电流
总功耗在Tc < 25℃
总功耗在T
c
< 60℃
储存温度
马克斯。工作结温
o
o
价值
240
120
7
12
20
4
6
85
65
-65到+175
175
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
o
o
C
C
2003年2月
1/4
BUV27
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
1.76
o
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
CER
I
CEX
I
EBO
参数
集电极截止
电流（R
BE
= 50)
集电极截止
电流（V
BE
= -1.5V)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 240V
V
CE
= 240V
V
EB
= 5 V
I
C
= 0.2 A
L = 25mH
120
T
c
= 125
o
C
T
c
= 125
o
C
分钟。
典型值。
马克斯。
3
1
1
单位
mA
mA
mA
V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
发射极 - 基极电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
阻性负载
开启时间
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
贮存时间
下降时间
I
E
= 50毫安
I
C
= 4A
I
C
= 8A
I
C
= 8A
I
B
= 0.4A
I
B
= 0.8A
I
B
= 0.8A
7
30
0.7
1.5
2
V
V
V
V
t
on
t
s
t
f
t
s
t
f
t
s
t
f
V
CC
= 90V
V
BE
= - 6V
R
BB
= 3.75
V
CC
I
B1
L
B
V
CC
I
B1
L
B
= 90V
= 0.8A
= 1H
= 90V
= 0.8A
= 1H
I
C
= 8A
I
B1
= 0.8A
0.4
0.5
0.12
0.6
0.04
0.8
1.2
0.25
ms
s
s
s
s
I
C
= 8A
V
BE
= - 5V
I
C
= 8 A
V
BE
= - 5V
o
T
c
= 125 C
2
0.15
s
s
脉冲：脉冲持续时间= 300μS ，占空比= 2 ％
2/4
BUV27
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
2003意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
http://www.st.com
4/4
BUV27
中功率NPN硅晶体管
s
s
s
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPE
NPN晶体管
开关速度快
低集电极发射极饱和
应用
s
开关稳压器
s
电机控制
描述
该BUV27是Multiepitaxial平面NPN
晶体管在TO-220封装。其目的是为
在高频工作功率转换器使用，
开关稳压器和电机控制。
3
1
2
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基峰电流
总功耗在Tc < 25℃
总功耗在T
c
< 60
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
240
120
7
12
20
4
6
85
65
-65到+175
175
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
o
o
C
C
1997年6月
1/4
BUV27
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
1.76
o
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
CER
I
CEX
I
EBO
参数
集电极截止
电流（R
BE
= 50)
集电极截止
当前
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 240V牛逼
c
= 125
o
C
V
CE
= 240V V
BE
= -1.5V牛逼
c
= 125
o
C
V
EB
= 5 V
I
C
= 0.2 A
I
E
= 50毫安
I
C
= 4A
I
C
= 8A
I
C
= 8A
I
B
= 0.4A
I
B
= 0.8A
I
B
= 0.8A
L = 25mH
120
7
30
0.7
1.5
2
分钟。
典型值。
马克斯。
3
1
1
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
发射极 - 基极电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
阻性负载
开启时间
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
贮存时间
下降时间
t
on
t
s
t
f
t
s
t
f
t
s
t
f
V
CC
= 90V
V
BE
= - 6V
R
BB
= 3.75
V
CC
I
B1
L
B
V
CC
I
B1
L
B
= 90V
= 0.8A
= 1H
= 90V
= 0.8A
= 1H
I
C
= 8A
I
B1
= 0.8A
0.4
0.5
0.12
0.6
0.04
0.8
1.2
0.25
ms
s
s
s
s
I
C
= 8A
V
BE
= - 5V
I
C
= 8 A
V
BE
= - 5V
T
j
= 125
o
C
2
0.15
s
s
脉冲：脉冲持续时间= 300μS ，占空比= 2 ％
2/4
BUV27
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
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SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
...
4/4
QQ：2881677436 复制
