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BUT70W
高功率NPN晶体管
s
s
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPE
NPN晶体管
高电流能力
开关速度快
极低的饱和电压和
高增益
3
2
1
应用
s
开关稳压器
s
电机控制
s
高频工作功率
转换器
描述
该BUT70W是Multiepitaxial平面NPN
晶体管采用TO- 247塑料封装。
它intented用于高频用途和
效率的转换器,例如我们的电机控制器
和工业设备。
TO-247
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
E( RMS)
I
EM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
BE
= -1.5V)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
发射极电流
发射极峰值电流
基极电流
基峰电流
在T总功率耗散
& LT ;
25
o
C
储存温度
最大工作结温
价值
200
125
7
40
120
8
24
200
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
2002年2月
1/4
BUT70W
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
0.63
o
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CER
I
CEV
I
EBO
参数
集电极截止
电流(R
BE
= 5)
集电极截止
电流(V
BE
= -1.5V)
发射极截止
电流(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 200 V
V
CE
= 200 V
V
CE
= 200 V
V
CE
= 200 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 0.2 A
L = 25毫亨
125
T
C
= 100 C
T
C
= 100 C
o
o
分钟。
典型值。
马克斯。
1
5
1
4
1
单位
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
( BR ) EBO
发射极 - 基
击穿电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
I
E
= 50毫安
7
V
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
=
=
=
=
70
70
35
35
70
70
35
35
A
A
A
A
A
A
A
A
I
B
I
B
I
B
I
B
I
B
I
B
I
B
I
B
=
=
=
=
=
=
=
=
7A
7A
T
C
= 100
o
C
1.75 A
1.75为T
C
= 100
o
C
7A
7A
T
C
= 100
o
C
1.75 A
1.75为T
C
= 100
o
C
I
B1
= 3.5 A
T
C
= 100
o
C
140
0.9
1.5
0.9
1.2
1.8
1.9
1.4
1.4
V
V
V
V
V
V
V
V
A / μs的
V
BE ( SAT )
基射
饱和电压
di
c
/d
t
额定的崛起
通态集电极
当前
V
CC
= 100 V
t
p
= 3
s
R
C
= 0
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比< 2 %
感性负载
符号
t
s
t
f
t
c
参数
贮存时间
下降时间
跨越时间
测试条件
I
C
= 35 A
V
BB
= -5 V
Ι
B1
= 1.75 A
V
= 125V
V
CC
= 90 V
R
B2
= 1.4
L
C
= 0.15 mH的
T
C
= 100
o
C
分钟。
典型值。
马克斯。
1.8
0.2
0.35
单位
s
s
s
2/4
BUT70W
TO- 247机械数据
mm
分钟。
A
D
E
F
F3
F4
G
H
L
L3
L4
L5
M
2
15.3
19.7
14.2
34.6
5.5
3
0.079
4.7
2.2
0.4
1
2
3
10.9
15.9
20.3
14.8
0.602
0.776
0.559
1.362
0.217
0.118
典型值。
马克斯。
5.3
2.6
0.8
1.4
2.4
3.4
分钟。
0.185
0.087
0.016
0.039
0.079
0.118
0.429
0.626
0.779
0.582
典型值。
马克斯。
0.209
0.102
0.031
0.055
0.094
0.134
DIM 。
P025P
3/4
BUT70W
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息,也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
如有更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的,而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
2002意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
http://www.st.com
4/4
BUT70W
高功率NPN晶体管
s
s
s
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意法半导体的优选
SALESTYPE
NPN晶体管
高电流能力
开关速度快
极低的饱和电压和
高增益
3
2
1
应用
s
开关稳压器
s
电机控制
s
高频工作功率
转换器
描述
该BUT70W是Multiepitaxial平面NPN
晶体管采用TO- 247塑料封装。
它intented用于高频用途和
效率的转换器,例如我们的电机控制器
和工业设备。
TO-247
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
E( RMS)
I
EM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
BE
= -1.5V)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
发射极电流
发射极峰值电流
基极电流
基峰电流
在T总功率耗散
& LT ;
25
o
C
储存温度
最大工作结温
价值
200
125
7
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200
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
2002年2月
1/4
BUT70W
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
0.63
o
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CER
I
CEV
I
EBO
参数
集电极截止
电流(R
BE
= 5)
集电极截止
电流(V
BE
= -1.5V)
发射极截止
电流(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 200 V
V
CE
= 200 V
V
CE
= 200 V
V
CE
= 200 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 0.2 A
L = 25毫亨
125
T
C
= 100 C
T
C
= 100 C
o
o
分钟。
典型值。
马克斯。
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单位
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
( BR ) EBO
发射极 - 基
击穿电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
I
E
= 50毫安
7
V
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
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C
=
=
=
=
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35
35
70
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35
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A
A
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I
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B
I
B
I
B
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B
I
B
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7A
7A
T
C
= 100
o
C
1.75 A
1.75为T
C
= 100
o
C
7A
7A
T
C
= 100
o
C
1.75 A
1.75为T
C
= 100
o
C
I
B1
= 3.5 A
T
C
= 100
o
C
140
0.9
1.5
0.9
1.2
1.8
1.9
1.4
1.4
V
V
V
V
V
V
V
V
A / μs的
V
BE ( SAT )
基射
饱和电压
di
c
/d
t
额定的崛起
通态集电极
当前
V
CC
= 100 V
t
p
= 3
s
R
C
= 0
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比< 2 %
感性负载
符号
t
s
t
f
t
c
参数
贮存时间
下降时间
跨越时间
测试条件
I
C
= 35 A
V
BB
= -5 V
Ι
B1
= 1.75 A
V
= 125V
V
CC
= 90 V
R
B2
= 1.4
L
C
= 0.15 mH的
T
C
= 100
o
C
分钟。
典型值。
马克斯。
1.8
0.2
0.35
单位
s
s
s
2/4
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TO- 247机械数据
mm
分钟。
A
D
E
F
F3
F4
G
H
L
L3
L4
L5
M
2
15.3
19.7
14.2
34.6
5.5
3
0.079
4.7
2.2
0.4
1
2
3
10.9
15.9
20.3
14.8
0.602
0.776
0.559
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0.217
0.118
典型值。
马克斯。
5.3
2.6
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1.4
2.4
3.4
分钟。
0.185
0.087
0.016
0.039
0.079
0.118
0.429
0.626
0.779
0.582
典型值。
马克斯。
0.209
0.102
0.031
0.055
0.094
0.134
DIM 。
P025P
3/4
BUT70W
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
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如有更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的,而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
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2002意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUT70W
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    终端采购配单精选

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电话:171-4755-1968(微信同号)
联系人:周小姐171-4755-196微信同号,无线联通更快捷!8
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160¥/片,★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:160元
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联系人:李
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10000
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原厂一级代理,原装现货
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全新原装现货,原厂代理。
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联系人:小邹
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原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
BUT70W
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绝对进口原装,公司现货
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-22669259 83214703
联系人:李先生,夏小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
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2116+
44500
to247
全新原装现货
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
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Fairchild Semiconductor
㊣10/11+
8548
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
BUT70W
ST
2025+
26820
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【原装优势★★★绝对有货】
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联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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√ 欧美㊣品
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9400
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