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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BUT131H
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 450V （最小值）
高
开关速度
应用
·设计
在转换器的使用，逆变器，开关
稳压器，电机控制系统等。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 发射极电压V
BE
= 0
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
850
450
6
5
10
4
8
80
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.56
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BUT131H
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0; L = 10MH
B
450
V
V
CE(sat)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1.5A ;我
B
= 0.15A
1.0
V
V
CE(sat)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.3A
B
2.5
V
V
BE （ SAT ）
I
CEV
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.3A
B
1.5
0.25
1.5
1.0
V
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=V
CESmax
;V
BE
=-1.5V
V
CE
=V
CESmax
;V
BE
=-1.5V;T
J
=100℃
V
EB
= 6V ;我
C
=0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
= 5V
5
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1kHz时
200
pF
开关时间;阻性负载
μs
μs
μs
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
0.4
贮存时间
I
C
= 3A ;我
B1
= 0.3A ;我
B2
= -0.6A
1.2
下降时间
0.12
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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BRCR12201VB
BR-CR1220-1VB
B43508E2228M062
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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操作
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