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BUT11A
高压快速切换
NPN功率晶体管
s
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPE
NPN晶体管
高电压能力
开关速度快
应用范围:
s
反激和进单曲
晶体管低功耗转换器
描述
该BUT11A是硅multiepitaxial台面的NPN
晶体管JEDEC的TO -220塑料封装,
特别是用于切换应用程序。
1
3
2
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
BE
= 0 V)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值(T
p
& LT ; 5毫秒)
基极电流
基峰电流(T
p
& LT ; 5毫秒)
在T总功率耗散
c
25
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
1000
450
9
5
10
2
4
83
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
2004年3月
1/5
BUT11A
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
1.5
o
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止
电流(V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
=额定V
CES
在T
c
= 125
o
C
I
C
= 0
I
乙(OFF)的
= 0
V
BE
= 9 V
I
C
= 100毫安
450
分钟。
典型值。
马克斯。
1
2
10
单位
mA
mA
mA
V
V
CEO ( SUS) *
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
CE (SAT) *
V
BE (SAT) *
h
FE
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
阻性负载
启动时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2.5 A
I
C
= 2.5 A
I
C
= 5毫安
I
C
= 0.5 A
I
B
= 0.5 A
I
B
= 0.5 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
10
10
1.5
1.3
35
35
1
4
0.8
V
V
t
on
t
s
t
f
I
C
= 2.5 A
V
CC
= 250 V
I
B
= -I
B2
= 0.5 A
s
s
s
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5% 。
2/5
BUT11A
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
3/5
BUT11A
TO- 220机械数据
DIM 。
A
C
D
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
M
DIA 。
3.75
13.00
2.65
15.25
6.20
3.50
2.60
3.85
0.147
mm
分钟。
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.40
10.00
16.40
14.00
2.95
15.75
6.60
3.93
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.102
0.151
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.70
10.40
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.394
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
典型值。
马克斯。
0.181
0.052
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.202
0.106
0.409
P011CI
4/5
BUT11A
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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