快速关断时间
60 ns的电感下降时间 - 25
_
C（典型值）
120 ns的感应交叉时间 - 25
_
C（典型值）
工作温度范围-65 + 200
_
C
100
_
性能指定为：
反向偏置SOA感性负载
开关时间与感性负载
饱和电压
漏电流（ 125
_
C)
设计师和开关模式是Motorola，Inc.的商标。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
该BUS98和BUS98A晶体管设计用于高电压，高转速，
在感性电路中下降时间电源开关是至关重要的。它们特别
适合于线操作的开关模式的应用，如：
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
SWITCHMODE系列
NPN硅功率晶体管
设计师
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
第七版
最大的铅温度
用于焊接用途：
1/8 ？从案例5秒
热阻，
结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散 - TC = 25
_
C
- TC = 100
_
C
减免上述25
_
C
基极电流 - 连续
- 峰值（ 1 ）
连续集电极电流 -
- 峰值（ 1 ）
- 超载
发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
开关稳压器
逆变器
电磁阀和继电器驱动器
电机控制
偏转电路
数据表
特征
等级
x
10%.
VCEO （ SUS）
符号
符号
TJ ， TSTG
VCEV
R
θJC
VEB
IC
ICM
IOI
IB
IBM
PD
TL
BUS98
850
400
- 65至+ 200
最大
250
142
1.42
30
60
120
275
0.7
10
30
7
30安培
NPN硅
功率晶体管
400和450伏
（ BVCEO ）
250瓦
850 - 1000 V （ BVCES ）
BUS98A
BUS98
BUS98A
1000
450
订购此文件
通过BUS98 / D
案例1-07
TO–204AA
瓦
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
1
BUS98 BUS98A
（ 1 ）脉冲测试： PW = 300
s,
占空比
感性负载时，钳位（表1）
开关特性
动荡的负荷（表1）
动态特性
基本特征（ 1 ）
第二击穿
开关特性（ 1 ）
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
下降时间
交叉时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， FTEST = 100千赫）
基射极饱和电压
（ IC = 20 ADC ， IB = 4 ADC ）
（ IC = 20 ADC ， IB = 4个ADC ， TC = 100
_
C)
（ IC = 16位ADC ， IB = 3.2 ADC ）
（ IC = 16位ADC ， IB = 3.2 ADC ， TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 20 ADC ， IB = 4 ADC ）
（ IC = 30 ADC ， IB = 8 ADC）
（ IC = 20 ADC ， IB = 4个ADC ， TC = 100
_
C)
（ IC = 16位ADC ， IB = 3.2 ADC ）
（ IC = 24 ADC ， IB = 5 ADC ）
（ IC = 16位ADC ， IB = 3.2 ADC ， TC = 100
_
C)
直流电流增益
（ IC = 20 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 16位ADC ， VCE = 5V）
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 100 mA数 - IC = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 7伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE =额定VCEV ， RBE = 10
)
收藏家Cuto FF电流
（ VCEV =额定值时， VBE （关闭） = 1.5伏）
（ VCEV =额定值时， VBE （关闭） = 1.5伏， TC = 125
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压（表1）
（ IC = 200 mA时， IB = 0 ）， L = 25毫亨
2
IC （PK ）= 20 A
IB1 = 4的
VBE （关闭） = 5 V ，
的VCE（ c1）中= 250 V）的
IC （PK ）= 16 A
LB1 = 3.2 A）
（ VCC = 250 VDC ， IC = 20 A，
IB1 = 4.0 A， TP = 30
s,
占空比
2％ ， VBE （关闭） = 5 V）的
（对于BUS98A ： IC = 16 A ， Ib1的= 3.2 A）
特征
v
2%.
v
(BUS98A)
(BUS98)
BUS98A
BUS98A
BUS98
BUS98
BUS98
BUS98A
BUS98
BUS98A
TC = 25
_
C
TC = 125
_
C
（ TC = 100
_
C)
（ TC = 25
_
C)
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
符号
RBSOA
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VEBO
IEBO
ICER
ICEV
COB
的hFE
是/ B
TSV
TSV
td
TFI
TFI
tr
tf
tc
ts
民
400
450
7.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
0.17
0.06
1.55
1.55
典型值
0.3
1.8
0.2
0.4
0.1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
见图13
见图12
0.35
最大
700
0.6
2.8
0.4
2.3
0.7
0.2
1.6
1.6
1.6
1.6
1.5
3.5
2.0
1.5
5.0
2.0
0.2
1.0
6.0
0.4
4.0
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
s
s
—
BUS98 BUS98A
开关时间注意
在电阻开关电路，上升，下降和存储时间
已经确定，适用于电流和电压WA-
veforms ，因为它们是同相的。但是，对于电感性
加载中通用的开关模式电源
和锤驱动器，电流和电压波形不是
同相的。因此，独立的测量值必须进行
每个波形以确定总的切换时间。为
由于这个原因，下面的新术语已经被定义。
TSV =电压贮存时间， 90 ％ IB1 10 ％ V钳位
TRV =电压上升时间， 10 - 90 ％ V钳位
TFI =电流下降时间， 90 - 10 ％的IC
TTI =电流拖尾， 10 - 2 ％ IC
TC =交叉时， 10％的V钳位至10％的IC
感应开关波形的放大部分是
在图7所示的这些术语的视觉识别来帮助。
对于设计师，有在最小的开关损耗
存储时间和主要的开关功率损耗
发生交叉间隔期间，能够得到我们 -
荷兰国际集团的AN- 222的标准方程：
PSWT = 1/2 VCCIC （ TC ）F
在一般情况下， TRV + TFI
TC 。然而，在较低的测试电流这
关系可能是无效的。
为是与大多数的开关晶体管，电阻
交换是在指定的25
_
C和已经成为一个标杆
设计师。然而，对于高频率的设计者CON-
变频器电路，用户至上规范这使得
这是一个“开关模式”晶体管是电感式开关
速度（ TC和TSV ），这些都保证在100
_
C.
]
电感式开关
4
3
2
T， TIME （
s)
1
0.7
0.5
TC = 100℃
TC = 25°C
T， TIME （
s)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
TC = 25°C
tc
TFI
β
f = 5
4
6 8 10
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
30
2
4
6 8 10
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
30
TC = 100℃
TC = 100℃
TC = 25°C
β
f = 5
2
图9.保存时间， TSV
图10.交叉和下降时间
3
2
TSV
1
T， TIME （
s)
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
2
4
6
tc
TFI
TC = 25°C
IC = 20 A
VBE （关闭） = 5 V
T， TIME （
s)
3
2
TSV
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
tc
TFI
TC = 25°C
IC = 20 A
β
f = 5
8
10
0.03
1
2
3
Ib2/Ib1
4
5
β
女，强制GAIN
图11A 。关断时间与强制增益
图11b 。关闭TM时代与Ib2的/ Ib1的
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
快速关断时间
60 ns的电感下降时间 - 25
_
C（典型值）
120 ns的感应交叉时间 - 25
_
C（典型值）
工作温度范围-65 + 200
_
C
100
_
性能指定为：
反向偏置SOA感性负载
开关时间与感性负载
饱和电压
漏电流（ 125
_
C)
设计师和开关模式是Motorola，Inc.的商标。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
该BUS98和BUS98A晶体管设计用于高电压，高转速，
在感性电路中下降时间电源开关是至关重要的。它们特别
适合于线操作的开关模式的应用，如：
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
SWITCHMODE系列
NPN硅功率晶体管
设计师
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
第七版
最大的铅温度
用于焊接用途：
1/8 ？从案例5秒
热阻，
结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散 - TC = 25
_
C
- TC = 100
_
C
减免上述25
_
C
基极电流 - 连续
- 峰值（ 1 ）
连续集电极电流 -
- 峰值（ 1 ）
- 超载
发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
开关稳压器
逆变器
电磁阀和继电器驱动器
电机控制
偏转电路
数据表
特征
等级
x
10%.
VCEO （ SUS）
符号
符号
TJ ， TSTG
VCEV
R
θJC
VEB
IC
ICM
IOI
IB
IBM
PD
TL
BUS98
850
400
- 65至+ 200
最大
250
142
1.42
30
60
120
275
0.7
10
30
7
30安培
NPN硅
功率晶体管
400和450伏
（ BVCEO ）
250瓦
850 - 1000 V （ BVCES ）
BUS98A
BUS98
BUS98A
1000
450
订购此文件
通过BUS98 / D
案例1-07
TO–204AA
瓦
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
1
BUS98 BUS98A
（ 1 ）脉冲测试： PW = 300
s,
占空比
感性负载时，钳位（表1）
开关特性
动荡的负荷（表1）
动态特性
基本特征（ 1 ）
第二击穿
开关特性（ 1 ）
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
下降时间
交叉时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， FTEST = 100千赫）
基射极饱和电压
（ IC = 20 ADC ， IB = 4 ADC ）
（ IC = 20 ADC ， IB = 4个ADC ， TC = 100
_
C)
（ IC = 16位ADC ， IB = 3.2 ADC ）
（ IC = 16位ADC ， IB = 3.2 ADC ， TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 20 ADC ， IB = 4 ADC ）
（ IC = 30 ADC ， IB = 8 ADC）
（ IC = 20 ADC ， IB = 4个ADC ， TC = 100
_
C)
（ IC = 16位ADC ， IB = 3.2 ADC ）
（ IC = 24 ADC ， IB = 5 ADC ）
（ IC = 16位ADC ， IB = 3.2 ADC ， TC = 100
_
C)
直流电流增益
（ IC = 20 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 16位ADC ， VCE = 5V）
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 100 mA数 - IC = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 7伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE =额定VCEV ， RBE = 10
)
收藏家Cuto FF电流
（ VCEV =额定值时， VBE （关闭） = 1.5伏）
（ VCEV =额定值时， VBE （关闭） = 1.5伏， TC = 125
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压（表1）
（ IC = 200 mA时， IB = 0 ）， L = 25毫亨
2
IC （PK ）= 20 A
IB1 = 4的
VBE （关闭） = 5 V ，
的VCE（ c1）中= 250 V）的
IC （PK ）= 16 A
LB1 = 3.2 A）
（ VCC = 250 VDC ， IC = 20 A，
IB1 = 4.0 A， TP = 30
s,
占空比
2％ ， VBE （关闭） = 5 V）的
（对于BUS98A ： IC = 16 A ， Ib1的= 3.2 A）
特征
v
2%.
v
(BUS98A)
(BUS98)
BUS98A
BUS98A
BUS98
BUS98
BUS98
BUS98A
BUS98
BUS98A
TC = 25
_
C
TC = 125
_
C
（ TC = 100
_
C)
（ TC = 25
_
C)
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
符号
RBSOA
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VEBO
IEBO
ICER
ICEV
COB
的hFE
是/ B
TSV
TSV
td
TFI
TFI
tr
tf
tc
ts
民
400
450
7.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
0.17
0.06
1.55
1.55
典型值
0.3
1.8
0.2
0.4
0.1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
见图13
见图12
0.35
最大
700
0.6
2.8
0.4
2.3
0.7
0.2
1.6
1.6
1.6
1.6
1.5
3.5
2.0
1.5
5.0
2.0
0.2
1.0
6.0
0.4
4.0
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
s
s
—
BUS98 BUS98A
开关时间注意
在电阻开关电路，上升，下降和存储时间
已经确定，适用于电流和电压WA-
veforms ，因为它们是同相的。但是，对于电感性
加载中通用的开关模式电源
和锤驱动器，电流和电压波形不是
同相的。因此，独立的测量值必须进行
每个波形以确定总的切换时间。为
由于这个原因，下面的新术语已经被定义。
TSV =电压贮存时间， 90 ％ IB1 10 ％ V钳位
TRV =电压上升时间， 10 - 90 ％ V钳位
TFI =电流下降时间， 90 - 10 ％的IC
TTI =电流拖尾， 10 - 2 ％ IC
TC =交叉时， 10％的V钳位至10％的IC
感应开关波形的放大部分是
在图7所示的这些术语的视觉识别来帮助。
对于设计师，有在最小的开关损耗
存储时间和主要的开关功率损耗
发生交叉间隔期间，能够得到我们 -
荷兰国际集团的AN- 222的标准方程：
PSWT = 1/2 VCCIC （ TC ）F
在一般情况下， TRV + TFI
TC 。然而，在较低的测试电流这
关系可能是无效的。
为是与大多数的开关晶体管，电阻
交换是在指定的25
_
C和已经成为一个标杆
设计师。然而，对于高频率的设计者CON-
变频器电路，用户至上规范这使得
这是一个“开关模式”晶体管是电感式开关
速度（ TC和TSV ），这些都保证在100
_
C.
]
电感式开关
4
3
2
T， TIME （
s)
1
0.7
0.5
TC = 100℃
TC = 25°C
T， TIME （
s)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
TC = 25°C
tc
TFI
β
f = 5
4
6 8 10
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
30
2
4
6 8 10
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
30
TC = 100℃
TC = 100℃
TC = 25°C
β
f = 5
2
图9.保存时间， TSV
图10.交叉和下降时间
3
2
TSV
1
T， TIME （
s)
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
2
4
6
tc
TFI
TC = 25°C
IC = 20 A
VBE （关闭） = 5 V
T， TIME （
s)
3
2
TSV
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
tc
TFI
TC = 25°C
IC = 20 A
β
f = 5
8
10
0.03
1
2
3
Ib2/Ib1
4
5
β
女，强制GAIN
图11A 。关断时间与强制增益
图11b 。关闭TM时代与Ib2的/ Ib1的
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
QQ：2880707522 复制
