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BUP 305
IGBT用反并联二极管
初步数据
低正向压降
高开关速度
低尾电流
闭锁免费
包括快速续流二极管
销1
G
销2
C
3脚
E
TYPE
BUP 305
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
V
CE
I
C
包
TO- 218 AB
订购代码
Q67040-A4225-A2
1200V 12A
符号
值
1200
1200
单位
V
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
± 20
A
12
8
T
C
= 25 °C
T
C
= 90 °C
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
I
Cpuls
24
16
T
C
= 25 °C
T
C
= 90 °C
二极管的正向电流
I
F
8
T
C
= 90 °C
脉冲二极管电流，
t
p
= 1毫秒
I
Fpuls
48
T
C
= 25 °C
功耗
P
合计
100
W
-55 ... + 150
-55 ... + 150
°C
T
C
= 25 °C
芯片或工作温度
储存温度
T
j
T
英镑
半导体集团
1
Dec-02-1996
BUP 305
最大额定值
参数
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
热阻
热电阻，片式案例
二极管的热电阻，片式案例
符号
-
-
值
E
55 / 150 / 56
单位
-
R
thJC
R
thJC
D
1
3.1
K / W
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
GE （日）
4.5
5.5
2.8
3.8
-
-
6.5
3.3
4.3
V
V
GE
=
V
CE，
I
C
= 0.3毫安，
T
j
= 25 °C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
-
-
V
GE
= 15 V,
I
C
= 5 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 5 A,
T
j
= 125 °C
零栅极电压集电极电流
I
CES
-
0.35
mA
nA
-
100
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
栅极 - 发射极漏电流
I
GES
V
GE
= 20 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
g
fs
1.7
2.5
650
50
20
-
S
pF
-
800
80
30
V
CE
= 20 V,
I
C
= 5 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
半导体集团
2
Dec-02-1996
BUP 305
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性，感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
t
D（上）
值
典型值。
马克斯。
单位
ns
30
50
nS
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 5 A
R
坤
= 68
上升时间
-
t
r
-
20
30
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 5 A
R
坤
= 68
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
180
270
ns
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 5 A
R
高夫
= 68
下降时间
t
f
-
15
25
MWS
-
0.7
-
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 5 A
R
高夫
= 68
总的关断损耗的能量
E
关闭
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 5 A
R
高夫
= 68
,
T
j
= 25 °C
续流二极管
二极管的正向电压
V
F
-
-
2.3
1.9
3
-
V
I
F
= 4 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 4 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
反向恢复时间
t
rr
ns
I
F
= 4 A,
V
R
= -300 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
反向恢复电荷
-
-
-
60
-
100
C
Q
rr
I
F
= 4 A,
V
R
= -300 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
3
-
-
-
1
-
1.8
半导体集团
Dec-02-1996
BUP 305
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
110
W
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
12
A
10
P
合计
90
80
70
60
I
C
9
8
7
6
50
5
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
2
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
IGBT
A
t
= 25.0s
p
K / W
I
C
10
1
100 s
Z
thJC
10
0
10
0
1毫秒
10
-1
D = 0.50
0.20
0.10
10毫秒
10
-1
DC
10
-2
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
-2
0
10
10
1
10
2
10
3
V
10
-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
CE
t
p
半导体集团
4
Dec-02-1996
BUP 305
典型值。输出特性
典型值。传输特性
I
C
= f
(
V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
I
C
=
f
(V
GE
)
参数：
t
P
= 80 s,
V
CE
= 20 V,
T
j
= 25 °C
典型值。饱和特性
典型值。饱和特性
V
CE （ SAT ）
=
f
(V
GE
)
参数：
T
j
= 25 °C
V
CE （ SAT ）
=
f
(
V
GE
)
参数：
T
j
= 125 °C
半导体集团
5
Dec-02-1996
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