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首字符B的型号第506页
> BUP200D
BUP 200
IGBT用反并联二极管
初步数据
低正向压降
高开关速度
低尾电流
闭锁免费
包括快速续流二极管
销1
G
销2
C
3脚
E
TYPE
BUP 200
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
V
CE
I
C
包
的TO-220 AB
订购代码
Q67040-A4420-A2
1200V 3.6A
符号
值
1200
1200
单位
V
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
± 20
A
3.6
2.4
T
C
= 25 °C
T
C
= 90 °C
集电极电流脉冲,
t
p
= 1毫秒
I
Cpuls
7.2
4.8
T
C
= 25 °C
T
C
= 90 °C
二极管的正向电流
I
F
8
T
C
= 90 °C
脉冲二极管电流,
t
p
= 1毫秒
I
Fpuls
48
T
C
= 25 °C
功耗
P
合计
50
W
-55 ... + 150
-55 ... + 150
°C
T
C
= 25 °C
芯片或工作温度
储存温度
T
j
T
英镑
半导体集团
1
Dec-06-1995
BUP 200
最大额定值
参数
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
热阻
IGBT热电阻,片式案例
二极管的热电阻,片式案例
符号
-
-
值
E
55 / 150 / 56
单位
-
R
thJC
R
thJC
D
3.1
3.1
K / W
电气特性,
在T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
GE (日)
4.5
5.5
2.8
3.8
-
-
6.5
3.3
4.3
V
V
GE
=
V
CE,
I
C
- 0.1毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
-
-
V
GE
= 15 V,
I
C
= 1.5 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 1.5 A,
T
j
= 125 °C
零栅极电压集电极电流
I
CES
-
0.275
mA
nA
-
100
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
栅极 - 发射极漏电流
I
GES
V
GE
= 20 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
g
fs
-
0.6
225
25
13
-
S
pF
-
320
40
24
V
CE
= 20 V,
I
C
= 1.5 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
半导体集团
2
Dec-06-1995
BUP 200
电气特性,
在T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性,感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
t
D(上)
值
典型值。
马克斯。
单位
ns
30
50
nS
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 1.5 A
R
坤
= 100
上升时间
-
t
r
-
20
30
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 1.5 A
R
坤
= 100
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
-
170
250
ns
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 1.5 A
R
高夫
= 100
下降时间
t
f
-
15
25
MWS
-
0.25
-
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 1.5 A
R
高夫
= 100
总的关断损耗的能量
E
关闭
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 1.5 A
R
高夫
= 100
续流二极管
二极管的正向电压
V
F
-
-
2.3
1.9
3
-
V
I
F
= 4 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 4 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
反向恢复时间
t
rr
ns
I
F
= 4 A,
V
R
= -300 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
反向恢复电荷
-
-
-
60
-
100
C
Q
rr
I
F
= 4 A,
V
R
= -300 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
半导体集团
-
-
-
1
-
1.8
3
Dec-06-1995
BUP 200
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数:
T
j
≤
150 °C
55
W
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数:
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
3.6
A
P
合计
45
40
35
30
25
20
I
C
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
15
0.8
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0.4
0.0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数:
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
1
t
= 4.5s
p
10 s
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数:
D =吨
p
/
T
10
1
IGBT
A
K / W
I
C
100 s
Z
thJC
10
0
10
0
1毫秒
D = 0.50
10毫秒
0.20
10
-1
0.10
0.05
0.02
10
-1
DC
单脉冲
0.01
10
-2
0
10
10
1
10
2
10
3
V
10
-2
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
CE
t
p
半导体集团
4
Dec-06-1995
BUP 200
典型值。输出特性
典型值。传输特性
I
C
= f
(
V
CE
)
参数:
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
I
C
=
f
(V
GE
)
参数:
t
P
= 80 s,
V
CE
= 20 V,
T
j
= 25 °C
典型值。饱和特性
典型值。饱和特性
V
CE ( SAT )
=
f
(V
GE
)
参数:
T
j
= 25 °C
V
CE ( SAT )
=
f
(
V
GE
)
参数:
T
j
= 125 °C
半导体集团
5
Dec-06-1995
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BUP200D
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BZX79-B3V6
BZX79B3V6
B69812N2327A314
BZX784C13
B41888D8687M002
BCM93350
B41888C4337M000
BC381
BXA30-24D12F
B41896C3228M003
BXB150-48S12FLTJ
BS62LV4006SCP70
B41505A5159M002
B82141A1332K000
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-
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BUP200D
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