BULD85KC
带集成二极管NPN硅晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1994年5月 - 修订1997年9月
q
专为高频设计
电子镇流器
集成的快速吨
rr
反并联二极管，
提高可靠性
二极管吨
rr
通常为1μs
严格控制晶体管的存储时间
电压匹配集成的晶体管和
二极管
性能优化的酷跑
二极管，三极管电荷耦合
最大限度地减小以提高频率稳定度
B
C
E
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
q
1
2
3
q
q
q
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
q
q
设备符号
C
描述
晶体管的新BULDxx范围已
专为中高频率使用而设计的
电子镇流器（ HFEB的） 。这一系列的
开关晶体管已受到严格控制
储存时间和一个集成的快速吨
rr
ANTI-
并联二极管。革命性的设计保证
该二极管同时具有快进和反向
恢复时间，实现了相同的性能
作为分立的反并联二极管加晶体管。
集成的二极管具有最低费用
与晶体管耦合，频率增加
稳定性，特别是在较低的电源电路，其中
循环电流越小。通过设计，这
新器件提供集成匹配的电压
晶体管和反并联二极管。
B
E
在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0)
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
峰值基极电流（见注1 ）
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度
最大平均连续二极管在（或低于）正向电流25 ° C的温度
工作结温范围
存储温度范围
记
1 ：此值适用于吨
p
=
10毫秒，占空比
≤
2%.
符号
V
CES
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
I
E（ AV）
T
j
T
英镑
价值
600
600
400
9
6
8
2
4
70
0.5
-65到+150
-65到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
W
A
°C
°C
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BULD85KC
带集成二极管NPN硅晶体管
1994年5月 - 修订1997年9月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
维持电压
集电极 - 发射极
截止电流
发射极截止
当前
基射
饱和电压
集电极 - 发射极
饱和电压
正向电流
传输比
反并联二极管
正向电压
I
C
=
0.1 A
测试条件
L = 25毫亨
V
BE
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
1A
1A
2A
1A
2A
（见注2和3）
（见注2和3）
（见注2和3）
10
（见注2和3）
10
10
0.85
0.2
0.4
17.5
15
15.5
1.2
20
20
1.5
V
民
400
10
1
1.1
0.5
1
典型值
最大
单位
V
A
mA
V
V
V
CE
= 600 V
V
EB
=
I
B
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
I
E
=
9V
0.2 A
0.2 A
0.4 A
1V
5V
1A
V
CE
= 10 V
I
C
= 0.01 A
h
FE
V
EC
注： 2。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
3.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量，并位于
内从装置主体3.2毫米。
热特性
参数
R
θ
JA
R
θ
JC
结到自由空气的热阻
结到外壳热阻
民
典型值
最大
62.5
1.78
单位
° C / W
° C / W
在25 ℃的外壳温度开关特性
参数
t
rr
记
反并联二极管
反向恢复时间
测试条件
测量通过举办晶体管
在断开条件下， V
EB
= -3 V.
（见注4 ）
民
典型值
1
最大
单位
s
4 ：经测试，在一个典型的高频电子镇流器。
感性负载的切换，在25 ° C的温度特性
参数
t
sv
贮存时间
I
C
= 1 A
L = 1毫亨
测试条件
I
B（上）
= 0.2 A
I
B（关闭）
= 0.2 A
V
CC
= 40 V
V
钳
= 300 V
民
典型值
4
最大
5
单位
s
在25 ℃的外壳温度电阻负载开关特性
参数
t
fi
电流下降时间
I
C
= 1 A
V
CC
= 300 V
测试条件
I
B（上）
= 0.2 A
I
B（关闭）
= 0.2 A
民
典型值
150
最大
200
单位
ns
产品
信息
2
QQ：2880707522 复制
