LAB
机械数据
尺寸（mm）
10.2
1.3
4.5
SEME
BUL76B
先进
分布式基站设计
高压
高速NPN
硅功率晶体管
专为使用
电子镇流器应用
6.3
3.6直径。
15.1
18.0
1 2 3
1.3
14.0
0.85
0.5
SEMEFAB DESIGNED并扩散DIE
高压
HIGH CURRENT
高效的电源开关
特点
多基地，高效的能量分布
横跨造成显著芯片
改进的交换和能源评级
跨越整个温度范围内。
离子注入和高精度屏蔽
特点严格控制批与
批次。
三重保护环的改进控制
高电压。
2.54 2.54
TO-220
引脚1 - 基地
2脚 - 集电极
3脚 - 发射极
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
Semelab PLC 。
集电极 - 基极电压（I
E
=0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
连续集电极电流
基极电流
总功耗在T
例
= 25°C
结温
工作和存储温度范围
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
250V
100V
10V
70A
14A
85W
150°C
-55到+ 150°C
预赛。 2/97
LAB
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
SEME
BUL76B
测试条件
分钟。
100
250
10
典型值。
马克斯。
单位
电气特性
集电极 - 发射极耐受电压我
C
= 100毫安
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 1毫安
I
E
= 1毫安
V
CB
= 240V
T
C
= 125°C
V
CE
= 90V
V
EB
= 9V
T
C
= 125°C
I
C
= 1A
V
CE
= 1V
V
CE
= 1V
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
I
B
= 1A
I
B
= 2A
I
B
= 4A
I
B
= 1A
I
B
= 2A
V
CE
= 4V
F = 1MHz的
V
10
100
100
10
100
A
A
A
45
25
50
40
90
60
80
70
0.5
0.8
0.7
1.2
1.5
20
200
V
V
—
h
FE *
直流电流增益
I
C
= 15A
I
C
= 10A
I
C
= 18A
I
C
= 10A
V
CE （SAT） *
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 20A
I
C
= 20A
I
C
= 10A
I
C
= 20A
I
C
= 0.2A
V
CB
= 10V
V
BE （SAT） *
基地 - 发射极饱和电压
动态特性
跃迁频率
输出电容
f
t
C
ob
兆赫
pF
*脉冲测试吨
p
= 300s ,
δ
＆ LT ; 2 ％
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 2/97
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