【BUL742A高压快速切换NPN功率晶体管ssss高电压能力动态参数的低SPREAD最小LOT - 】,IC型号BUL742A,BUL742A PDF资料,BUL742A经销商,ic,电子元器件-51电子网

BUL742A

高压快速切换

NPN功率晶体管

高电压能力

动态参数的低SPREAD

最小LOT - TO- lot传播的

可靠运行

非常高开关速度

应用

四灯电子镇流器：

120 V IN PUSH - PULL电网

配置;

277 V半桥电流电网

配置提供。

开关模式电源

描述

该BUL742A采用高电压制造

多外延平面技术高

开关速度和高电压能力。

由于增加的中间层，它具有

的固有的坚固性从而使所述

晶体管承受高集电极电流

水平在击穿状态，而无需使用

一般在典型的必要TRANSIL保护

转换器灯镇流器。

TO-220

内部原理图

绝对最大额定值

符号

CES

首席执行官

EBO

合计

英镑

参数

集电极 - 发射极电压（V

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

= 0)

发射极 - 基极电压

= 0, I

≤

2 A，T

＆ LT ;为10μs ，T

＆ LT ; 150

集电极电流

集电极电流峰值（T

<5毫秒）

基极电流

基峰电流（T

<5毫秒）

总功耗在Tc = 25℃

储存温度

马克斯。工作结温

价值

950

400

（ BR ） EBO

-65到150

150

单位

1/5

2003年10月

BUL742A

热数据

THJ情况

THJ - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大

1.78

62.5

C / W

电气特性

例

= 25

C除非另有说明）

符号

CES

首席执行官

参数

集电极截止

电流（V

= 0)

集电极截止

电流（I

= 0)

测试条件

= 950 V

= 400 V

= 10毫安

L = 25毫亨

400

分钟。

典型值。

马克斯。

100

250

单位

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

= 0)

（ BR ） EBO

发射极 - 基

击穿电压

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

直流电流增益

阻性负载

贮存时间

下降时间

雪崩能量

= 1毫安

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

= 1 A

= 3.5 A

= 800毫安

= 10毫安

= 250 V

= 0.5 A

= 30

L = 2 mH的

= 0.2 A

= 1 A

= 3 V

= 5 V

= 2.5 A

= -1 A

（参见图2）

（参见图1）

0.9

100

0.5

1.5

脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

安全工作区

降额曲线

2/5

BUL742A

图1：

能耗等级测试电路

图2：

阻性负载开关测试电路

3/5

BUL742A

TO- 220机械数据

DIM 。

DIA 。

3.75

13.00

2.65

15.25

6.20

3.50

2.60

3.85

0.147

分钟。

4.40

1.23

2.40

0.49

0.61

1.14

4.95

2.40

10.00

16.40

14.00

2.95

15.75

6.60

3.93

0.511

0.104

0.600

0.244

0.137

0.102

0.151

典型值。

马克斯。

4.60

1.32

2.72

0.70

0.88

1.70

5.15

2.70

10.40

分钟。

0.173

0.048

0.094

0.019

0.024

0.044

0.194

0.094

0.394

0.645

0.551

0.116

0.620

0.260

0.154

寸

典型值。

马克斯。

0.181

0.052

0.107

0.027

0.034

0.067

0.202

0.106

0.409

P011CI

4/5

BUL742A

提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任

使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证

牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格

如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品

未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。

ST的标志是意法半导体公司的商标。

所有其他名称均为其各自所有者的财产。

公司意法半导体集团

澳大利亚 - 比利时 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 捷克 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 -

马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。

http://www.st.com

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高压快速切换

NPN功率晶体管

高电压能力

动态参数的低SPREAD

最小LOT - TO- lot传播的

可靠运行

非常高开关速度

应用

四灯电子镇流器：

120 V IN PUSH - PULL电网

配置;

277 V半桥电流电网

配置提供。

开关模式电源

描述

该BUL742A采用高电压制造

多外延平面技术高

开关速度和高电压能力。

由于增加的中间层，它具有

的固有的坚固性从而使所述

晶体管承受高集电极电流

水平在击穿状态，而无需使用

一般在典型的必要TRANSIL保护

转换器灯镇流器。

TO-220

内部原理图

绝对最大额定值

符号

CES

首席执行官

EBO

合计

英镑

参数

集电极 - 发射极电压（V

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

= 0)

发射极 - 基极电压

= 0, I

≤

2 A，T

＆ LT ;为10μs ，T

＆ LT ; 150

集电极电流

集电极电流峰值（T

<5毫秒）

基极电流

基峰电流（T

<5毫秒）

总功耗在Tc = 25℃

储存温度

马克斯。工作结温

价值

950

400

（ BR ） EBO

-65到150

150

单位

1/5

2003年10月

BUL742A

热数据

THJ情况

THJ - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大

1.78

62.5

C / W

电气特性

例

= 25

C除非另有说明）

符号

CES

首席执行官

参数

集电极截止

电流（V

= 0)

集电极截止

电流（I

= 0)

测试条件

= 950 V

= 400 V

= 10毫安

L = 25毫亨

400

分钟。

典型值。

马克斯。

100

250

单位

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

= 0)

（ BR ） EBO

发射极 - 基

击穿电压

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

直流电流增益

阻性负载

贮存时间

下降时间

雪崩能量

= 1毫安

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

= 1 A

= 3.5 A

= 800毫安

= 10毫安

= 250 V

= 0.5 A

= 30

L = 2 mH的

= 0.2 A

= 1 A

= 3 V

= 5 V

= 2.5 A

= -1 A

（参见图2）

（参见图1）

0.9

100

0.5

1.5

脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

安全工作区

降额曲线

2/5

BUL742A

图1：

能耗等级测试电路

图2：

阻性负载开关测试电路

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BUL742A

TO- 220机械数据

DIM 。

DIA 。

3.75

13.00

2.65

15.25

6.20

3.50

2.60

3.85

0.147

分钟。

4.40

1.23

2.40

0.49

0.61

1.14

4.95

2.40

10.00

16.40

14.00

2.95

15.75

6.60

3.93

0.511

0.104

0.600

0.244

0.137

0.102

0.151

典型值。

马克斯。

4.60

1.32

2.72

0.70

0.88

1.70

5.15

2.70

10.40

分钟。

0.173

0.048

0.094

0.019

0.024

0.044

0.194

0.094

0.394

0.645

0.551

0.116

0.620

0.260

0.154

寸

典型值。

马克斯。

0.181

0.052

0.107

0.027

0.034

0.067

0.202

0.106

0.409

P011CI

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提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任

使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证

牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格

如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品

未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。

ST的标志是意法半导体公司的商标。

所有其他名称均为其各自所有者的财产。

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