LAB
机械数据
尺寸mm （英寸）
6.40 (0.252)
6.78 (0.267)
5.21 (0.205)
5.46 (0.215)
SEME
BUL64A
2.18 (0.086)
2.44 (0.096)
0.84 (0.033)
0.94 (0.037)
先进
分布式基站设计
高压
高速NPN
硅功率晶体管
专为使用
电子镇流器应用
1.09 (0.043)
1.30 (0.051)
5.97 (0.235)
6.22 (0.245)
1
2
3
0.76 (0.030)
1.14 (0.045)
0.64 (0.025)
0.89 (0.035)
8.89 (0.350)
9.78 (0.385)
SEMEFAB DESIGNED并扩散DIE
高压
快速开关
高能耗等级
2.31
(0.091)
典型值。
2.31
(0.091)
典型值。
0.46 (0.018)
0.61 (0.024)
特点
多基地，高效的能量分布
横跨造成显著芯片
改进的交换和能源评级
跨越整个温度范围内。
离子注入和高精度屏蔽
特点严格控制批与
批次。
三重保护环的改进控制
高电压。
4.60 (0.181)
典型值。
1.04 (0.041)
1.14 (0.045)
Ⅰ- PAK （TO- 251 ）
引脚1 - 基地
2脚 - 集电极
3脚 - 发射极
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（ PK ）
I
B
P
合计
T
英镑
Semelab PLC 。
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
连续集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗在T
例
= 25°C
工作和存储温度范围
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
1000V
500V
10V
4A
7A
2A
20W
-55到+ 150°C
预赛。 3/95
LAB
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
SEME
BUL64A
测试条件
分钟。
500
1000
10
典型值。
马克斯。
单位
电气特性
集电极 - 发射极耐受电压我
C
= 10毫安
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 1毫安
I
E
= 1毫安
V
CB
= 1000V
T
C
= 125°C
I
B
= 0
V
EB
= 9V
I
C
= 0
I
C
= 0.1A
I
C
= 0.5A
I
C
= 1A
I
C
= 100毫安
T
C
= 125°C
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
V
CE
= 1V
T
C
= 125°C
I
B
= 20mA下
I
B
= 0.1A
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.1A
I
B
= 0.2A
V
CE
= 4V
F = 1MHz的
V
CE
= 500V
V
10
100
100
10
100
A
A
A
20
12
5
30
15
8
0.05
0.15
0.3
0.8
0.9
20
20
0.1
0.2
0.5
1.0
1.1
V
V
—
h
FE *
直流电流增益
V
CE （SAT） *
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 0.5A
I
C
= 1A
I
C
= 0.5A
I
C
= 1A
I
C
= 0.2A
V
CB
= 20V
V
BE （SAT） *
基地 - 发射极饱和电压
动态特性
跃迁频率
输出电容
f
t
C
ob
兆赫
pF
*脉冲测试吨
p
= 300s ,
δ
＆ LT ; 2 ％
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 3/95
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